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STTH8R04
超快恢复二极管
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
T
J(下MAX)的
V
F(典型值)
t
RR (典型值)
8A
400 V
K
A
K
175° C
0.9 V
25纳秒
K
A
K
A
特点和优点
TO-220AC
STTH8R04D
TO-220FPAC
STTH8R04FP
非常低开关损耗
高频率和高脉冲电流
手术
高结温
绝缘包
- TO- 220AC插件
电气绝缘= 2500 V
RMS
电容= 7 pF的
- TO- 220FPAC
电气绝缘= 1500 V
RMS
电容= 12 pF的
NC
K
K
A
A
D
2
PAK
STTH8R04G
TO- 220AC插件
STTH8R04DI
描述
该STTH8R04系列采用意法半导体的新的400 V
平面铂掺杂技术。该STTH8R04是
特别适用于开关模式的基极驱动和
晶体管电路。
打包通的孔和表面贴装
包,该装置适用于在低使用
电压,高频率逆变器,续流
和极性保护。
订购代码
产品型号
STTH8R04D
STTH8R04DI
STTH8R04FP
STTH8R04G
STTH8R04G-TR
记号
STTH8R04D
STTH8R04DI
STTH8R04FP
STTH8R04G
STTH8R04G
2007年3月
REV 1
1/11
www.st.com
特征
STTH8R04
1
表1中。
符号
V
RRM
V
RSM
I
F( RMS )
特征
绝对额定值(在25℃下的限制值,除非另有规定)
参数
反向重复峰值电压
反向重复峰值电压
TO- 220AC / D
2
PAK / TO220FPAC
RMS正向电流
TO220AC插件
TO- 220AC / D
2
PAK
I
F( AV )
平均正向电流,
δ
= 0.5
TO220FPAC
TO220AC插件
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
重复峰值正向电流
浪涌不重复正向电流T
p
= 10 ms的正弦
存储温度范围
工作结温范围
T
c
= 145° C
T
c
= 110° C
T
c
= 115° C
t
p
= 10微秒, F = 1千赫
165
120
-65到+175
-40到+175
A
A
°C
°C
8
A
20
价值
400
400
30
A
单位
V
V
表2中。
热学参数
参数
TO- 220AC / D
2
PAK
价值
2.5
6
5.5
° C / W
单位
符号
R
日(J -C )
结到外壳
TO220FPAC
TO220AB插件
表3中。
符号
I
R(1)
静态电气特性
参数
反向漏电流
测试条件
T
j
= 25° C
T
j
= 125° C
T
j
= 25° C
V
R
= V
RRM
分钟。
典型值
马克斯。
10
A
10
100
1.5
I
F
= 8 A
1.05
0.9
1.3
1.1
V
单位
V
F(2)
正向电压降
T
j
= 100° C
T
j
= 150° C
1.脉冲测试:吨
p
= 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
2.脉冲测试:吨
p
= 380 s,
δ
& LT ; 2 %
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 0.83 ×1
F( AV )
+ 0.034 ×1
F
2
( RMS)
2/11
STTH8R04
表4 。
符号
特征
动态特性
参数
测试条件
I
F
= 1 ,二
F
/ DT = -50 A / μs的,
V
R
= 30 V ,T
j
= 25° C
I
F
= 1 ,二
F
/ DT = -100 A / μs的,
V
R
= 30 V ,T
j
= 25° C
典型值
35
25
5.5
0.4
150
2.9
ns
V
最大
50
ns
35
8
A
单位
t
rr
反向恢复时间
I
RM
S
t
fr
V
FP
反向恢复电流
软化系数
正向恢复时间
正向恢复电压
I
F
= 8的,二
F
/ DT = -200 A / μs的,
V
R
= 320 V,T
j
= 125° C
I
F
= 8的,二
F
/ DT = -200 A / μs的,
V
R
= 320 V,T
j
= 125° C
I
F
= 8的,二
F
/ DT = 100 A / μs的
V
FR
= 1.1× V
FMAX
, T
j
= 25° C
I
F
= 8的,二
F
/ DT = 100 A / μs的
图1 。
P( W)的
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
导通损耗与
平均电流
δ=0.05
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
图2中。
I
FM
(A)
正向压降随
正向电流
200
180
160
140
120
100
80
60
T
T
J
=150°C
(最大值)
T
J
=150°C
(典型值)
40
I
F( AV )
(A)
3
4
5
6
7
8
δ
= TP / T
9
10
tp
20
0
11
T
J
=25°C
(最大值)
V
FM
(V)
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
网络连接gure 3 。
热相对变化
阻抗结到外壳
与脉冲持续时间
图4中。
热相对变化
阻抗结到外壳与
脉冲持续时间TO- 220FPAB
ZTH
(J -C )
/ Rth的
(J -C )
1.0
单脉冲
TO-220AC
TO- 220AC插件
DPAK
ZTH
(J -C )
/ Rth的
(J -C )
1.0
单脉冲
TO-220FPAB
0.1
TP (多个)
0.1
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
TP (多个)
0.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
3/11
特征
STTH8R04
图5中。
I
RM
(A)
I
F
= 8 A
V
R
=320 V
峰值反向恢复电流
与迪
F
/ DT (典型值)
图6 。
t
RR
(纳秒)
反向恢复时间与
dI
F
/ DT (典型值)
I
F
= 8 A
V
R
=320 V
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
140
120
100
80
T
j
=125 °C
60
40
T
j
=25 °C
T
j
=125 °C
T
j
=25 °C
20
dI
F
/ DT ( A / μs)内
0
10
100
1000
dI
F
/ DT ( A / μs)内
10
100
1000
图7 。
反向恢复电荷与
dI
F
/ DT (典型值)
网络连接gure 8 。
热阻结到
环境与铜表面
根据标签(环氧树脂印制电路
FR4电路板,电子
CU
=35m)
DPAK
200
180
160
Q
RR
( NC )
I
F
= 8 A
V
R
=320 V
RTH
第(j-一)
( ° C / W)
80
70
60
140
120
100
80
60
40
20
0
10
100
1000
T
j
=25 °C
T
j
=125 °C
50
40
30
20
10
dI
F
/ DT ( A / μs)内
0
0
2
4
6
8
S
CU
(平方厘米)
10
12
14
16
18
20
4/11
STTH8R04
特征
图9 。
动态相对变化
参数与结
温度
图10.瞬态峰值正向电压
与迪
F
/ DT (典型值)
5.0
4.5
4.0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Q
RR
[T
j
]/Q
RR
[T
j
= 125 ° C] ,我
RM
[T
j
]/I
RM
[T
j
= 125° C]
I
F
= 8 A
V
R
=320 V
V
Fp
(V)
I
F
=8 A
T
j
=125 °C
3.5
I
RM
3.0
2.5
2.0
Q
RR
0.4
0.2
T
j
(°C)
0.0
25
50
75
100
125
150
1.5
1.0
0.5
0.0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
dI
F
/ DT ( A / μs)内
图11.正向恢复时间相对的dI
F
/ DT图12.结电容与
(典型值)
加反向电压(典型
值)
700
600
500
400
300
200
100
0
0
100
200
300
400
500
dI
F
/ DT ( A / μs)内
V
R
(V)
10
1
10
100
1000
t
FR
(纳秒)
I
F
=8 A
V
FR
= 1.1× V
F
马克斯。
T
j
=125°C
C( pF)的
100
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
5/11
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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