16兆位（ X8 ）多用途闪存+
SST39VF1681 / SST39VF1682
SST39VF1681 / 16822.7V 16兆（ X8 ） MPF +记忆
初步规格
产品特点：
组织为2M ×8
单电压读写操作
– 2.7-3.6V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：9 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
硬件块保护/ WP ＃输入引脚
- 热门块保护（前64 K字节）
对于SST39VF1682
- 底部块保护（底部64 K字节）
对于SST39VF1681
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
块擦除功能
- 统一64千字节块
芯片擦除功能
擦除暂停/擦除恢复功能
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
安全-ID功能
- SST ： 128位;用户： 128位
快速读取访问时间：
= 70纳秒
= 90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 7 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 翻转位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
产品说明
该SST39VF168x设备2M ×8 CMOS多陈建
姿势闪存+ （ MPF + ）制造与SST的propri-
etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注射
器实现更高的可靠性和可制造性比较
与其他方法。该SST39VF168x写（亲
克或擦除）用2.73.6V电源。这些
器件符合JEDEC标准引脚排列X8的MEM
法制前提。
拥有高性能的字节编程时，
SST39VF168x设备提供了一个典型的字节编程
7微秒的时间。这些器件使用翻转位或数据＃ Poll-
荷兰国际集团表示完成计划操作。要亲
TECT防止误写入，他们有片上硬件
和软件数据保护方案。设计，制造
factured ，并测试了广泛的应用范围，
这些器件提供了一个保证典型endur-
ANCE 10万次。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST39VF168x设备适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
2003硅存储技术公司
S71243-03-000
11/03
1
它们显著提高性能和可靠性，同时
降低功耗。他们天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。这些
器件还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF168x提供两个48球TFBGA和
48引脚TSOP封装。请参阅图1和图2为销
分配。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
16兆位多用途闪存+
SST39VF1681 / SST39VF1682
初步规格
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39VF168x也有
自动低功耗
模式
这使该装置中的数据后，邻近待机模式
已被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
从通常为9 mA至有效的读电流
一般为3 μA 。自动低功耗模式，降低了典型
CAL我
DD
到2毫安/ MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号转换模式
用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。注意，该设备不进入自动低
上电后用CE ＃功耗模式稳定保持低电平，
直到第一次地址变换或CE ＃驱动为高电平。
内部编程操作期间发出的命令
将被忽略。在命令序列期间， WP＃应
静态地保持为高电平或低电平。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39VF168x提供两个扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的4 K字节均匀扇区大小。块擦除模式
是基于对64 K字节均一的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 50H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 30H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形和图23的流程图。所有的COM
在扇区擦除或块擦除操作期间发出mands
将被忽略。当WP＃为低电平时，任何企图以部门
（块擦除）擦除受保护的块将被忽略。中
命令序列， WP ＃应静态地保持
高还是低。
读
该SST39VF168x的读操作控制
通过CE＃和OE ＃ ，既要低，以便系统
获得的输出数据。 CE＃用于器件
选择。当CE＃为高电平时，芯片被取消选中，
只有待机功耗。 OE＃为输出CON-
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态，当CE＃或
OE ＃为高电平。是指在读周期时序图
进一步的细节（图3） 。
擦除暂停/擦除恢复命令
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动通常在20进入阅读模式
微秒后擦除暂停命令已发出。
有效数据可从没有任何部门或块被读
暂停擦除操作。阅读地址
擦除暂停扇区/块将输出中的位置
DQ
2
触发和DQ
6
在“1”。而在擦除暂停
模式，允许除了一个字节编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。
要恢复扇区擦除或具有块擦除操作
被暂停的系统必须发出擦除恢复
命令。该操作通过发出一个字节执行
与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）
在最后一个字节序列的任何地址。
字节编程操作
该SST39VF168x被编程在逐字节
的基础。在编程之前，扇区所在的字节
存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
步骤是装载字节地址和字节的数据。在字节级
程序运行时，地址锁存在下降沿
边缘CE＃或WE＃ ，最后为准。该
数据被锁存， CE＃或WE＃上升沿
以先到为准。第三步是内部亲
克而操作之后的上升沿开始
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。该计划
操作时，一旦启动，将在10μs内完成。
参见图4和图5为WE ＃和CE＃控制程序
操作时序图，图19的流程图。
在编程操作期间，唯一有效的读操作
数据＃查询和翻转位。在内部编程
操作时，主机可以自由地执行其他任务。任何
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芯片擦除操作
该SST39VF168x提供了全片擦除操作，该操作
允许用户擦除整个存储器阵列的“1”的
状态。此，当整个装置必须迅速地是有用
删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列
（10H） ，在地址AAAH中的最后一个字节序列。该
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表6 ，图9为时序
荷兰国际集团图，图23为流程图。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。当WP＃为低电平时，任何试图芯片擦除操作会
被忽略。在命令序列期间， WP＃应
静态地保持为高电平或低电平。
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图6
数据＃查询时序图和图20为一个流程图。
翻转位（ DQ6和DQ2 ）
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。对于扇区擦除，块或片擦除，翻转位（ DQ
6
)
是后6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿有效。
DQ
6
将被设置为'1'，如果执行读操作，尝试对
擦除暂停的扇区/块。如果程序运行已以启动
tiated在没有选择的扇区/块擦除暂停
模式， DQ
6
将切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
部门正在积极擦除或擦除暂停。表1
列出了详细的状态位信息。切换位
（ DQ
2
）是经过的最后一个WE ＃ （或CE ＃上升沿有效）
脉冲写入操作。参见图7翻转位时序
图，图20为一个流程图。
表1 ：W
RITE
O
PERATION
S
TATUS
状态
正常
标准
操作计划
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
擦除暂停
扇区/块
从阅读
非擦除暂停
扇区/块
节目
写操作状态检测
该SST39VF168x提供了两种软件方法来检测
在完成写的（编程或擦除）周期，
命令对系统进行优化的写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和
切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-
荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了预
泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
DQ
7
DQ
7
#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
数据
数据
数据
DQ
7
#
切换
不适用
T1.0 1243
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF168x是在内部编程操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
将产生的完井
换货的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使
虽然DQ
7
可有有效的数据紧随
在内部写操作完成后，将剩余的
数据输出仍然可能是无效的：在整个有效数据
数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
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注意：
DQ
7
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。
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初步规格
数据保护
该SST39VF168x同时提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式。如果没有内部编程/擦除
操作过程中， T的最小周期
RHR
is
后RST ＃所需的驱动为高电平前有效的阅读能
发生（参见图15） 。
已中断的擦除或编程操作
需要设备恢复正常后才能重新开始
操作模式，以确保数据的完整性。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39VF168x提供了JEDEC核准的软件
数据保护计划的所有数据修改操作，
即，编程和擦除。任何程序运行需要
包含一个3字节的序列。三字节
装入序列用于启动编程操作，
提供防止意外写操作的最佳保护
系统蒸发散，例如，在系统上电或断电。
任何擦除操作需要包含六个字节
序列。这些设备附带的软件
数据保护永久启用。参见表6的
具体的软件命令代码。在SDP命令
序，无效命令会中止器件读取
在T模式
RC 。
硬件块保护
在SST39VF1682支持顶部硬件块保护
化，其保护装置的顶部64 K字节块。
在SST39VF1681支持底层硬件模块亲
tection ，它保护的底部64 K字节的块
装置。引导块地址范围中所描述
表2.编程和擦除操作是防止上
64 K字节，当WP＃为低电平。如果WP ＃悬空，它是
通过一个上拉电阻器，并且所述引导内部保持高
块不受保护，使编程和擦除操作
该系统蒸发散块上。
表2 ： B
OOT
B
LOCK
A
地址H1
R
安格斯
产品
底部引导块，
SST39VF1681
热门引导块
SST39VF1682
1F0000H-1FFFFFH
T2.1 1243
地址范围
000000H-00FFFFH
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39VF168x还包含CFI信息
描述了器件的特性。为了进入
CFI查询模式，系统必须写三个字节
顺序相同与98H产品ID进入命令
（ CFI查询命令）中的最后一个字节地址AAAH
序列。一旦设备进入CFI查询模式下，
系统可以在表中给出的地址读出的CFI数据
7 9系统必须写入CFI退出命令
返回从CFI查询模式阅读模式。
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初步规格
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39VF1681和SST39VF1682 ，和制造商
为SST。用户可以使用该软件产品Identifica-
化操作来识别部分（即，使用设备ID ）
在同一插座中使用多个厂家的时候。
有关详细信息，请参阅表6为软件操作，图11
该软件ID进入和读取时序图，
图21为软件ID进入命令序列
流程图。
表3 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39VF1681
SST39VF1682
0001H
0001H
C8H
C9H
T3.1 1243
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/ CFI
内部程序中的退出命令被忽略或
擦除操作。参见表6软件命令
码，图13为时序波形，图21和图
22的流程图。
安全ID
该SST39VF168x器件提供了256位的安全ID
空间被分成两个128位的段。第一
段编程并锁定在与SST随机
128位的数目。用户段保留未编程
用于根据需要对客户进行编程。
编程安全ID的用户段，用户
必须使用安全ID字节编程命令。对
检测结束了，写了SEC的ID ，可以读取翻转位。办
不要使用数据＃投票。一旦完成，安全ID
应使用用户安全ID计划锁定功能被锁定。
这将禁用该空间中的任何未来的腐败。注意
不管安全ID是否被锁定，既不
秒ID段可以被擦除。
安全ID空间可以通过执行一个查询
与输入-SEC -ID的COM三字节指令序列
命令（ 88H ）地址AAAH在最后一个字节序列。
执行退出-SEC -ID命令退出此模式。参考
表6的更多细节。
数据
BFH
0000H
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
超快闪
内存
内存地址
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
WP ＃
RESET＃
I / O缓冲器和数据锁存器
控制逻辑
DQ7 - DQ0
1243 B1.0
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SST39VF1681 / SST39VF1682
SST39VF1681 / 16822.7V 16兆（ X8 ） MPF +记忆
初步规格
产品特点：
组织为2M ×8
单电压读写操作
– 2.7-3.6V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：9 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
硬件块保护/ WP ＃输入引脚
- 热门块保护（前64 K字节）
对于SST39VF1682
- 底部块保护（底部64 K字节）
对于SST39VF1681
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
块擦除功能
- 统一64千字节块
芯片擦除功能
擦除暂停/擦除恢复功能
硬件复位引脚（ RST ＃ ）
安全-ID功能
- SST ： 128位;用户： 128位
快速读取访问时间：
= 70纳秒
= 90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 7 μs（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 翻转位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
产品说明
该SST39VF168x设备2M ×8 CMOS多陈建
姿势闪存+ （ MPF + ）制造与SST的propri-
etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注射
器实现更高的可靠性和可制造性比较
与其他方法。该SST39VF168x写（亲
克或擦除）用2.73.6V电源。这些
器件符合JEDEC标准引脚排列X8的MEM
法制前提。
拥有高性能的字节编程时，
SST39VF168x设备提供了一个典型的字节编程
7微秒的时间。这些器件使用翻转位或数据＃ Poll-
荷兰国际集团表示完成计划操作。要亲
TECT防止误写入，他们有片上硬件
和软件数据保护方案。设计，制造
factured ，并测试了广泛的应用范围，
这些器件提供了一个保证典型endur-
ANCE 10万次。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST39VF168x设备适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
2003硅存储技术公司
S71243-03-000
11/03
1
它们显著提高性能和可靠性，同时
降低功耗。他们天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。这些
器件还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF168x提供两个48球TFBGA和
48引脚TSOP封装。请参阅图1和图2为销
分配。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
16兆位多用途闪存+
SST39VF1681 / SST39VF1682
初步规格
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39VF168x也有
自动低功耗
模式
这使该装置中的数据后，邻近待机模式
已被浏览了有效的读操作。这
降低了我
DD
从通常为9 mA至有效的读电流
一般为3 μA 。自动低功耗模式，降低了典型
CAL我
DD
到2毫安/ MHz范围内有效的读电流
读周期时间。器件退出自动低功耗
任何地址变换或控制信号转换模式
用于启动另一个读周期，没有访问时间
点球。注意，该设备不进入自动低
上电后用CE ＃功耗模式稳定保持低电平，
直到第一次地址变换或CE ＃驱动为高电平。
内部编程操作期间发出的命令
将被忽略。在命令序列期间， WP＃应
静态地保持为高电平或低电平。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39VF168x提供两个扇区擦除
和块擦除模式。扇区结构是基于
上的4 K字节均匀扇区大小。块擦除模式
是基于对64 K字节均一的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 50H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 30H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形和图23的流程图。所有的COM
在扇区擦除或块擦除操作期间发出mands
将被忽略。当WP＃为低电平时，任何企图以部门
（块擦除）擦除受保护的块将被忽略。中
命令序列， WP ＃应静态地保持
高还是低。
读
该SST39VF168x的读操作控制
通过CE＃和OE ＃ ，既要低，以便系统
获得的输出数据。 CE＃用于器件
选择。当CE＃为高电平时，芯片被取消选中，
只有待机功耗。 OE＃为输出CON-
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态，当CE＃或
OE ＃为高电平。是指在读周期时序图
进一步的细节（图3） 。
擦除暂停/擦除恢复命令
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动通常在20进入阅读模式
微秒后擦除暂停命令已发出。
有效数据可从没有任何部门或块被读
暂停擦除操作。阅读地址
擦除暂停扇区/块将输出中的位置
DQ
2
触发和DQ
6
在“1”。而在擦除暂停
模式，允许除了一个字节编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。
要恢复扇区擦除或具有块擦除操作
被暂停的系统必须发出擦除恢复
命令。该操作通过发出一个字节执行
与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）
在最后一个字节序列的任何地址。
字节编程操作
该SST39VF168x被编程在逐字节
的基础。在编程之前，扇区所在的字节
存在必须完全擦除。程序操作
完成三个步骤。第一步是三字节
软件数据保护负载序列。第二个
步骤是装载字节地址和字节的数据。在字节级
程序运行时，地址锁存在下降沿
边缘CE＃或WE＃ ，最后为准。该
数据被锁存， CE＃或WE＃上升沿
以先到为准。第三步是内部亲
克而操作之后的上升沿开始
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。该计划
操作时，一旦启动，将在10μs内完成。
参见图4和图5为WE ＃和CE＃控制程序
操作时序图，图19的流程图。
在编程操作期间，唯一有效的读操作
数据＃查询和翻转位。在内部编程
操作时，主机可以自由地执行其他任务。任何
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芯片擦除操作
该SST39VF168x提供了全片擦除操作，该操作
允许用户擦除整个存储器阵列的“1”的
状态。此，当整个装置必须迅速地是有用
删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列
（10H） ，在地址AAAH中的最后一个字节序列。该
擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除
操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。
看该命令序列表6 ，图9为时序
荷兰国际集团图，图23为流程图。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。当WP＃为低电平时，任何试图芯片擦除操作会
被忽略。在命令序列期间， WP＃应
静态地保持为高电平或低电平。
'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，数据＃查询后有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图6
数据＃查询时序图和图20为一个流程图。
翻转位（ DQ6和DQ2 ）
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
将产生交变'1'
和'0' ，即0. 1至切换当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。对于扇区擦除，块或片擦除，翻转位（ DQ
6
)
是后6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿有效。
DQ
6
将被设置为'1'，如果执行读操作，尝试对
擦除暂停的扇区/块。如果程序运行已以启动
tiated在没有选择的扇区/块擦除暂停
模式， DQ
6
将切换。
另外一个触发位可在DQ
2
，它可以是
与DQ配合使用
6
检查是否一个特定的
部门正在积极擦除或擦除暂停。表1
列出了详细的状态位信息。切换位
（ DQ
2
）是经过的最后一个WE ＃ （或CE ＃上升沿有效）
脉冲写入操作。参见图7翻转位时序
图，图20为一个流程图。
表1 ：W
RITE
O
PERATION
S
TATUS
状态
正常
标准
操作计划
标准
抹去
使用擦除
暂停
模式
从阅读
擦除暂停
扇区/块
从阅读
非擦除暂停
扇区/块
节目
写操作状态检测
该SST39VF168x提供了两种软件方法来检测
在完成写的（编程或擦除）周期，
命令对系统进行优化的写周期时间。软件
检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
）和
切换位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式
后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能
内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-
荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了预
泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
DQ
7
DQ
7
#
0
1
DQ
6
切换
切换
1
DQ
2
无切换
切换
切换
数据
数据
数据
DQ
7
#
切换
不适用
T1.0 1243
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF168x是在内部编程操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
将产生的完井
换货的真实数据。一旦程序操作
完成后， DQ
7
将产生真正的数据。请注意，即使
虽然DQ
7
可有有效的数据紧随
在内部写操作完成后，将剩余的
数据输出仍然可能是无效的：在整个有效数据
数据总线将出现在后续读
1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作
ATION ，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生一个
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注意：
DQ
7
和DQ
2
阅读时需要一个有效的地址
状态信息。
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数据保护
该SST39VF168x同时提供硬件和软件
功能，以防止非易失性数据免受意外写操作。
硬件复位（ RST ＃ ）
在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平
对于至少吨
RP ，
任何正在进行的操作将终止，而
返回到读取模式。如果没有内部编程/擦除
操作过程中， T的最小周期
RHR
is
后RST ＃所需的驱动为高电平前有效的阅读能
发生（参见图15） 。
已中断的擦除或编程操作
需要设备恢复正常后才能重新开始
操作模式，以确保数据的完整性。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39VF168x提供了JEDEC核准的软件
数据保护计划的所有数据修改操作，
即，编程和擦除。任何程序运行需要
包含一个3字节的序列。三字节
装入序列用于启动编程操作，
提供防止意外写操作的最佳保护
系统蒸发散，例如，在系统上电或断电。
任何擦除操作需要包含六个字节
序列。这些设备附带的软件
数据保护永久启用。参见表6的
具体的软件命令代码。在SDP命令
序，无效命令会中止器件读取
在T模式
RC 。
硬件块保护
在SST39VF1682支持顶部硬件块保护
化，其保护装置的顶部64 K字节块。
在SST39VF1681支持底层硬件模块亲
tection ，它保护的底部64 K字节的块
装置。引导块地址范围中所描述
表2.编程和擦除操作是防止上
64 K字节，当WP＃为低电平。如果WP ＃悬空，它是
通过一个上拉电阻器，并且所述引导内部保持高
块不受保护，使编程和擦除操作
该系统蒸发散块上。
表2 ： B
OOT
B
LOCK
A
地址H1
R
安格斯
产品
底部引导块，
SST39VF1681
热门引导块
SST39VF1682
1F0000H-1FFFFFH
T2.1 1243
地址范围
000000H-00FFFFH
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39VF168x还包含CFI信息
描述了器件的特性。为了进入
CFI查询模式，系统必须写三个字节
顺序相同与98H产品ID进入命令
（ CFI查询命令）中的最后一个字节地址AAAH
序列。一旦设备进入CFI查询模式下，
系统可以在表中给出的地址读出的CFI数据
7 9系统必须写入CFI退出命令
返回从CFI查询模式阅读模式。
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初步规格
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39VF1681和SST39VF1682 ，和制造商
为SST。用户可以使用该软件产品Identifica-
化操作来识别部分（即，使用设备ID ）
在同一插座中使用多个厂家的时候。
有关详细信息，请参阅表6为软件操作，图11
该软件ID进入和读取时序图，
图21为软件ID进入命令序列
流程图。
表3 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39VF1681
SST39VF1682
0001H
0001H
C8H
C9H
T3.1 1243
显然导致设备运行异常，如：
不正确读出。请注意，该软件ID退出/ CFI
内部程序中的退出命令被忽略或
擦除操作。参见表6软件命令
码，图13为时序波形，图21和图
22的流程图。
安全ID
该SST39VF168x器件提供了256位的安全ID
空间被分成两个128位的段。第一
段编程并锁定在与SST随机
128位的数目。用户段保留未编程
用于根据需要对客户进行编程。
编程安全ID的用户段，用户
必须使用安全ID字节编程命令。对
检测结束了，写了SEC的ID ，可以读取翻转位。办
不要使用数据＃投票。一旦完成，安全ID
应使用用户安全ID计划锁定功能被锁定。
这将禁用该空间中的任何未来的腐败。注意
不管安全ID是否被锁定，既不
秒ID段可以被擦除。
安全ID空间可以通过执行一个查询
与输入-SEC -ID的COM三字节指令序列
命令（ 88H ）地址AAAH在最后一个字节序列。
执行退出-SEC -ID命令退出此模式。参考
表6的更多细节。
数据
BFH
0000H
产品标识模式退出/
CFI模式退出
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，将设备返回到读取模式。
该命令也可以被用于将设备复位为
后因疏忽瞬态条件下阅读模式
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
超快闪
内存
内存地址
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE＃
OE ＃
WE＃
WP ＃
RESET＃
I / O缓冲器和数据锁存器
控制逻辑
DQ7 - DQ0
1243 B1.0
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