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STT2603
公司Bauelemente
符合RoHS产品
-5A ， -20V ，R
DS （ ON）
65m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
描述
该STT2603
利用先进的加工技术，以实现最低
可能的导通电阻，极其有效和具有成本效益的设备。
该STT2603普遍适用于所有商业工业表面
安装应用程序
.
特点
*小封装外形
*简单的驱动要求
D
D
6
D
5
S
4
REF 。
A
A1
A2
c
D
E
E1
G
日期代码
1
D
2603
2
D
3
G
S
毫米
分钟。
马克斯。
1.10最大。
0
0.10
0.70
1.00
0.12 REF 。
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
REF 。
L
L1
b
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
0.45 REF 。
0.60参考。
0°
10°
0.30
0.50
0.95 REF 。
1.90 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（注3 ）
连续漏电流（注3 ）
漏电流脉冲（注1,2 ）
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
I
D
@T
A
=70
I
DM
P
D
@T
A
=25
评级
-20
±12
-5
-4
-20
2
0.016
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
热数据
参数
热阻结到环境（注3 ）（最大）
符号
Rthj -A
评级
62.5
单位
C / W
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页4
STT2603
公司Bauelemente
-5A ， -20V ，R
DS （ ON）
65m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
o
电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 55
C
)
o
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
-20
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=-250uA
V
GS
=
±
12V
V
DS
=-20V,V
GS
=0
V
DS
=-16V,V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.5A
o
-0.1
_
_
_
_
-0.5
_
_
_
_
-
1.2
±
100
-1
-10
53
65
120
250
16
_
_
_
_
_
_
10.6
2.32
3.68
5.9
3.6
32.4
2.6
740
静态漏源导通电阻
2
_
R
DS （ ON）
_
_
m
Ω
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-1.0A
I
D
=-4.2A
V
DS
=-16V
V
GS
=-4.5V
总栅极电荷
2
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
2
nC
_
_
_
_
V
DD
=-15V
I
D
=-4.2A
nS
V
GS
=-10V
R
G
=6
Ω
R
D
=3.6
Ω
1200
_
_
167
126
9
pF
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.8A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
符号
V
DS
TRR
QRR
分钟。
_
典型值。
_
27.7
22
马克斯。
-1.2
单位
V
测试条件
I
S
= -1.2A ，V
GS
=0V.
是= -4.2A ，V
GS
=0V
dl/dt=100A/us
_
_
_
_
nS
nC
反向恢复电荷
注： 1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
O
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候156℃ / W 。铜垫。
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4
STT2603
公司Bauelemente
-5A ， -20V ，R
DS （ ON）
65m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
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图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
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STT2603
公司Bauelemente
-5A ， -20V ，R
DS （ ON）
65m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
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图12.栅极电荷波形
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    STT2603
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