产品说明
Sirenza的Microdevices的SGB - 6433是一款高性能
的SiGe HBT MMIC放大器采用达林顿的配置
化与有源偏置网络。有源偏置网络
提供稳定的电流随温度和工艺测试版
的变化。设计直接从5V电源运行
SGB- 6433不需要降电阻相比
典型的达林顿放大器。这个强大的放大器功能
一类1C ESD额定值，低热阻，并
无条件的稳定。该SGB - 6433产品设计
对于需要高线性5V增益模块的应用
小尺寸和最少的外部元件。它是片
匹配到50欧姆和外部偏置电感扼流器
应用所需的频带。
SGB-6433
DC - 3.5 GHz的有源偏置增益模块
产品特点
功能框图
VBIAS
VCC
NC
NC
活跃
BIAS
NC
NC
NC
NC
RFOUT
高可靠性的SiGe HBT技术
强大的类1C ESD防静电
简单，体积小
的P1dB = 18.5 dBm的@ 1950MHz
IP3 = 31 dBm的@ 1950MHz
低热阻= 60℃ / W
RFIN
NC
NC
应用
5V应用
LO缓冲放大器
射频预驱动器和RF接收通路
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
S
21
参数：测试条件
Z
0
= 50, V
CC
= 5.0V ， IC = 88毫安， T = 30℃ ）
操作的频率
小信号增益 - 850MHz的
小信号增益 - 1950MHz
小信号增益 - 2400MHz的
在1dB压缩输出功率 - 850MHz的
P
1dB
在1dB压缩输出功率 - 1950MHz
在1dB压缩输出功率 - 2400MHz的
输出IP3 - 850MHz的
OIP3
输出IP3 - 1950MHz
输出IP3 - 2400MHz的
IRL
ORL
Ic
NF
R
次，J -升
输入回波损耗@ 1950MHz
输出回波损耗@ 1950MHz
当前
噪声系数@ 1950MHz
热阻（结 - 铅）
dB
dB
mA
dB
摄氏度/ W
12.0
8.5
76
dB
28.5
DBM
16.5
dB
14.5
单位
兆赫
分钟。
DC
20.0
16.0
15.0
18.5
18.5
17.5
33.0
31.0
31.0
15
11.5
88
4.1
60
98
5.1
17.5
典型值。
马克斯。
3500
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
GND
NC
NC
NC
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 103095冯é
SGB - 6433 DC - 3.5GHz的有源偏置增益模块
详细性能表： VCC = 5V ， IC = 88毫安， T = 25℃ ， Z = 50欧姆
符号
G
OIP3
P1dB
IRL
ORL
S12
NF
参数
小信号增益
输出3阶截取点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
单位
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
43.6
15.8
24.4
5.1
100MHz
21.2
500MHz
20.7
34.0
18.9
33.3
13.9
24.6
3.6
850MHz
20.0
33.0
18.5
25.6
12.2
25.0
3.6
1950MHz
16.0
31.0
18.5
15.0
11.5
24.4
4.1
2400MHz
15.0
31.0
17.5
13.8
10.2
23.8
4.6
9.7
11.3
22.5
5.2
3500MHz
12.3
引脚输出说明
针＃
1,2,4, 6,
7,8,11,
12,14
3
5
10
13
16
后台
SIDE
功能
NC
RFIN
GND
RFOUT
VBIAS
VCC
GND
描述
这些是无连接的引脚。让他们在PC板上无关。
射频输入引脚。直流电压不应在外部连接到该引脚
一个额外的接地引脚，其连接到所述背面焊盘裸露。连接是可选的。
RF输出引脚。偏压被施加到所述达林顿阶段通过这个引脚。
该引脚源从有源偏置电路的电流。连接到引脚10通电感扼流圈。
这为Vcc的有源偏置电路。
背面的裸露焊盘是其主要的电气接地，需要在PC板上GND多个过孔。它
也是主要的散热路径。
简化的设备示意图
16
15
14
13
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
绝对最大额定值
参数
价值
150
6.5
0.75
-40至+85
20
-40到+150
+150
单位
mA
V
W
C
DBM
C
C
1
2
活跃
BIAS
电流（IC数量）
12
11
10
装置的电压（V
D
)
功耗
操作焊接温度（T
L
)
RF输入功率
存储温度范围
工作结温（T
J
)
3
4
9
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
5
6
7
8
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 103095冯é
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
SGB - 6433 DC - 3.5GHz的有源偏置增益模块
评估板数据（VCC = V
BIAS
= 5.0V ，我
c
= 88毫安）偏置T恤代替直流馈电电感（ L1 ）
增益与频率
24.0
36.0
34.0
32.0
OIP3与频率的关系
22.0
OIP3 （ dBm的）
+25c
+85c
20.0
增益（dB ）
30.0
28.0
26.0
24.0
22.0
+25c
+85c
-40c
18.0
16.0
14.0
-40c
12.0
0.4
0.9
1.4
1.9
2.4
0.4
0.9
1.4
1.9
2.4
频率（GHz ）
频率（GHz ）
的P1dB与频率的关系
20.0
7.0
6.0
噪声系数与频率的关系
19.0
噪声系数（dB ）
5.0
4.0
3.0
+25c
2.0
1.0
0.0
+85c
-40c
P1dB的（ DBM）
18.0
17.0
16.0
+25c
15.0
+85c
-40c
14.0
0.4
0.9
1.4
1.9
2.4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
IC与温度的关系
0.140
0.120
电流与电压
0.120
0.100
0.100
IC （MA ）
0.060
IC （ A）
+
85c
+
25c
-40c
0.080
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
4.4
4.6
4.8
5.0
5.2
5.4
5.6
5.8
6.0
6.2
0.040
0.020
0.000
温度
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
VC （伏特）
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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EDS - 103095冯é
SGB - 6433 DC - 3.5GHz的有源偏置增益模块
评估板数据（VCC = V
BIAS
= 5.0V ，我
c
= 88毫安）偏置T恤代替直流馈电电感（ L1 ）
L S
11
L比频率
0.0
-5.0
-10.0
-15.0
25.0
+25c
20.0
+85c
-40c
15.0
30.0
L S
21
L比频率
S
11
（ dB）的
-25.0
-30.0
-35.0
-40.0
-45.0
-50.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
+25c
+85c
-40c
S
21
（ dB）的
-20.0
10.0
5.0
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
L S
12
L比频率
-18.0
0.0
-5.0
L S
22
L比频率
-20.0
-10.0
S
12
（ dB）的
S
22
（ dB）的
+25c
+85c
-22.0
-15.0
-24.0
-20.0
+25c
+85c
-25.0
-40c
-26.0
-40c
-28.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-30.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
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4
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EDS - 103095冯é
SGB - 6433 DC - 3.5GHz的有源偏置增益模块
典型的评估板电路图为5.0V
VCC
C4
C3
16
VCC
NC
NC
VBIAS
L1
NC
NC
RFOUT
NC
1
NC
NC
RFIN
RFIN
RFOUT
C2
C1
NC
可选
GND
NC
NC
NC
评估板 -
板材料GETEK ， 31mil厚，DK = 4.2 ， 1盎司铜
元件值由乐队
代号
500MHz
1000pF
1uF
220pF
68 nH的
850MHz
1000pF
1uF
68pF
33nH
1950MHz 2400MHz的
1000pF
1uF
43pF
22nH
1000pF
1uF
22pF
18nH
C4
C3
C4*
C1, C2
L1
C3
1
L1
C2
* C4是可选的取决于应用和筛选。不
所需SGB设备操作。
C1
注意：
该放大器可以从8V电源，只需运行
插入一个33欧姆的电阻器串联的Vcc 。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
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EDS - 103095冯é
产品说明
Sirenza的Microdevices的SGB - 6433是一款高性能的SiGe HBT
MMIC放大器采用达林顿配置与有源偏置
网络。有源偏置网络提供稳定的电流超过temper-
ATURE和测试过程的变化。设计直接从5V运行
供应SGB- 6433不需要降电阻相比
典型的达林顿放大器。这个强大的放大器具有1C类
ESD额定值，低热阻，并无条件稳定。该
SGB - 6433产品是专为高线性5V增益模块的应用
要求小尺寸和最少的外部元件系统蒸发散。它是上
芯片匹配50欧姆和外部偏置电感扼流器
应用所需的频带。
本产品可在符合RoHS和绿色封装
雾锡完成，按“ Z”包后缀指定。
SGB-6433
SGB-6433Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC - 3.5 GHz的有源偏置增益模块
产品特点
功能框图
VBIAS
VCC
NC
NC
活跃
BIAS
可以在无铅，符合RoHS标准， &
绿色包装
高可靠性的SiGe HBT技术
强大的类1C ESD防静电
简单，体积小
的P1dB = 18.5 dBm的@ 1950MHz
IP3 = 31 dBm的@ 1950MHz
低热阻= 60℃ / W
NC
NC
NC
NC
RFOUT
RFIN
NC
NC
应用
5V应用
LO缓冲放大器
射频预驱动器和RF接收通路
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
S
21
参数：测试条件
Z
0
= 50Ω, V
CC
= 5.0V ， IC = 88毫安， T = 30℃ ）
操作的频率
小信号增益 - 850MHz的
小信号增益 - 1950MHz
小信号增益 - 2400MHz的
在1dB压缩输出功率 - 850MHz的
P
1dB
在1dB压缩输出功率 - 1950MHz
在1dB压缩输出功率 - 2400MHz的
输出IP3 - 850MHz的
OIP3
输出IP3 - 1950MHz
输出IP3 - 2400MHz的
IRL
ORL
Ic
NF
R
次，J -升
输入回波损耗@ 1950MHz
输出回波损耗@ 1950MHz
当前
噪声系数@ 1950MHz
热阻（结 - 铅）
dB
dB
mA
dB
摄氏度/ W
12.0
8.5
76
dB
28.5
DBM
16.5
dB
14.5
单位
兆赫
分钟。
DC
20.0
16.0
15.0
18.5
18.5
17.5
33.0
31.0
31.0
15
11.5
88
4.1
60
98
5.1
17.5
典型值。
马克斯。
3500
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何的
本文所述电路暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2006 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
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GND
NC
NC
NC
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS- 103095版本G
SGB - 6433 DC - 3.5GHz的有源偏置增益模块
详细性能表： VCC = 5V ， IC = 88毫安， T = 25℃ ， Z = 50欧姆
符号
G
OIP3
P1dB
IRL
ORL
S12
NF
参数
小信号增益
输出3阶截取点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
单位
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
43.6
15.8
24.4
5.1
100MHz
21.2
500MHz
20.7
34.0
18.9
33.3
13.9
24.6
3.6
850MHz
20.0
33.0
18.5
25.6
12.2
25.0
3.6
1950MHz
16.0
31.0
18.5
15.0
11.5
24.4
4.1
2400MHz
15.0
31.0
17.5
13.8
10.2
23.8
4.6
9.7
11.3
22.5
5.2
3500MHz
12.3
引脚输出说明
针＃
1,2,4, 6,
7,8,11,
12,14
3
5
10
13
16
后台
SIDE
功能
NC
RFIN
GND
RFOUT
VBIAS
VCC
GND
描述
这些是无连接的引脚。让他们在PC板上无关。
射频输入引脚。直流电压不应在外部连接到该引脚
一个额外的接地引脚，其连接到所述背面焊盘裸露。连接是可选的。
RF输出引脚。偏压被施加到所述达林顿阶段通过这个引脚。
该引脚源从有源偏置电路的电流。连接到引脚10通电感扼流圈。
这为Vcc的有源偏置电路。
背面的裸露焊盘是其主要的电气接地，需要在PC板上GND多个过孔。它
也是主要的散热路径。
简化的设备示意图
16
15
14
13
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
绝对最大额定值
参数
价值
150
6.5
0.75
-40至+85
20
-40到+150
+150
单位
mA
V
W
C
DBM
C
C
1
2
活跃
BIAS
电流（IC数量）
12
11
10
装置的电压（V
D
)
功耗
操作焊接温度（T
L
)
RF输入功率
存储温度范围
工作结温（T
J
)
3
4
9
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
5
6
7
8
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS- 103095版本G
SGB - 6433 DC - 3.5GHz的有源偏置增益模块
评估板数据（VCC = V
BIAS
= 5.0V ，我
c
= 88毫安）偏置T恤代替直流馈电电感（ L1 ）
OIP3与频率的关系
36.0
34.0
32.0
增益与频率
24.0
22.0
OIP3 （ dBm的）
+25c
+85c
20.0
增益（dB ）
30.0
28.0
26.0
24.0
22.0
+25c
+85c
-40c
18.0
16.0
14.0
-40c
12.0
0.4
0.9
1.4
1.9
2.4
0.4
0.9
1.4
1.9
2.4
频率（GHz ）
频率（GHz ）
的P1dB与频率的关系
20.0
7.0
6.0
噪声系数与频率的关系
19.0
P1dB的（ DBM）
18.0
噪声系数（dB ）
5.0
4.0
3.0
+25c
2.0
1.0
0.0
+85c
-40c
17.0
16.0
+25c
15.0
+85c
-40c
14.0
0.4
0.9
1.4
1.9
2.4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
IC与tem温度
0.140
0.120
电流与电压
0.120
0.100
0.100
IC （MA ）
0.060
IC （ A）
+
85c
+
25c
-40c
0.080
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
4.4
4.6
4.8
5.0
5.2
5.4
5.6
5.8
6.0
6.2
0.040
0.020
0.000
tem温度
VC （伏特）
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
http://www.sirenza.com
EDS- 103095版本G
SGB - 6433 DC - 3.5GHz的有源偏置增益模块
评估板数据（VCC = V
BIAS
= 5.0V ，我
c
= 88毫安）偏置T恤代替直流馈电电感（ L1 ）
L S
11
L比频率
0.0
-5.0
-10.0
-15.0
25.0
30.0
L S
21
L比频率
+25c
20.0
+85c
-40c
15.0
S
11
（ dB）的
-25.0
-30.0
-35.0
-40.0
-45.0
-50.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
+25c
+85c
-40c
S
21
（ dB）的
-20.0
10.0
5.0
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
L S
12
L比频率
-18.0
0.0
L S
22
L比频率
-20.0
-5.0
-10.0
S
12
（ dB）的
S
22
（ dB）的
+25c
+85c
-22.0
-15.0
-24.0
-20.0
+25c
-25.0
+85c
-40c
-26.0
-40c
-28.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-30.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS- 103095版本G
SGB - 6433 DC - 3.5GHz的有源偏置增益模块
典型的评估板电路图为5.0V
VCC
C4
C3
16
VCC
NC
NC
VBIAS
L1
NC
NC
RFOUT
NC
1
NC
NC
RFIN
RFIN
RFOUT
C2
C1
NC
可选
GND
NC
NC
NC
评估板 -
板材料GETEK ， 31mil厚，DK = 4.2 ， 1盎司铜
C4
元件值由乐队
代号
500MHz
1000pF
1uF
220pF
68 nH的
850MHz
1000pF
1uF
68pF
33nH
1950MHz 2400MHz的
1000pF
1uF
43pF
22nH
1000pF
1uF
22pF
18nH
C3
1
C3
L1
C2
C4*
C1, C2
L1
C1
* C4是可选的取决于应用和筛选。不
所需SGB设备操作。
注意：
该放大器可以从8V电源，只需运行
插入一个33欧姆的电阻器串联的Vcc 。
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5
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EDS- 103095版本G
产品说明
Sirenza的Microdevices的SGB - 6433是一款高性能
的SiGe HBT MMIC放大器采用达林顿的配置
化与有源偏置网络。有源偏置网络
提供稳定的电流随温度和工艺测试版
的变化。设计直接从5V电源运行
SGB- 6433不需要降电阻相比
典型的达林顿放大器。这个强大的放大器功能
一类1C ESD额定值，低热阻，并
无条件的稳定。该SGB - 6433产品设计
对于需要高线性5V增益模块的应用
小尺寸和最少的外部元件。它是片
匹配到50欧姆和外部偏置电感扼流器
应用所需的频带。
SGB-6433
DC - 3.5 GHz的有源偏置增益模块
产品特点
功能框图
VBIAS
VCC
NC
NC
活跃
BIAS
NC
NC
NC
NC
RFOUT
高可靠性的SiGe HBT技术
强大的类1C ESD防静电
简单，体积小
的P1dB = 18.5 dBm的@ 1950MHz
IP3 = 31 dBm的@ 1950MHz
低热阻= 60℃ / W
RFIN
NC
NC
应用
5V应用
LO缓冲放大器
射频预驱动器和RF接收通路
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
S
21
参数：测试条件
Z
0
= 50, V
CC
= 5.0V ， IC = 88毫安， T = 30℃ ）
操作的频率
小信号增益 - 850MHz的
小信号增益 - 1950MHz
小信号增益 - 2400MHz的
在1dB压缩输出功率 - 850MHz的
P
1dB
在1dB压缩输出功率 - 1950MHz
在1dB压缩输出功率 - 2400MHz的
输出IP3 - 850MHz的
OIP3
输出IP3 - 1950MHz
输出IP3 - 2400MHz的
IRL
ORL
Ic
NF
R
次，J -升
输入回波损耗@ 1950MHz
输出回波损耗@ 1950MHz
当前
噪声系数@ 1950MHz
热阻（结 - 铅）
dB
dB
mA
dB
摄氏度/ W
12.0
8.5
76
dB
28.5
DBM
16.5
dB
14.5
单位
兆赫
分钟。
DC
20.0
16.0
15.0
18.5
18.5
17.5
33.0
31.0
31.0
15
11.5
88
4.1
60
98
5.1
17.5
典型值。
马克斯。
3500
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
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GND
NC
NC
NC
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1
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EDS - 103095冯é
SGB - 6433 DC - 3.5GHz的有源偏置增益模块
详细性能表： VCC = 5V ， IC = 88毫安， T = 25℃ ， Z = 50欧姆
符号
G
OIP3
P1dB
IRL
ORL
S12
NF
参数
小信号增益
输出3阶截取点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
单位
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
43.6
15.8
24.4
5.1
100MHz
21.2
500MHz
20.7
34.0
18.9
33.3
13.9
24.6
3.6
850MHz
20.0
33.0
18.5
25.6
12.2
25.0
3.6
1950MHz
16.0
31.0
18.5
15.0
11.5
24.4
4.1
2400MHz
15.0
31.0
17.5
13.8
10.2
23.8
4.6
9.7
11.3
22.5
5.2
3500MHz
12.3
引脚输出说明
针＃
1,2,4, 6,
7,8,11,
12,14
3
5
10
13
16
后台
SIDE
功能
NC
RFIN
GND
RFOUT
VBIAS
VCC
GND
描述
这些是无连接的引脚。让他们在PC板上无关。
射频输入引脚。直流电压不应在外部连接到该引脚
一个额外的接地引脚，其连接到所述背面焊盘裸露。连接是可选的。
RF输出引脚。偏压被施加到所述达林顿阶段通过这个引脚。
该引脚源从有源偏置电路的电流。连接到引脚10通电感扼流圈。
这为Vcc的有源偏置电路。
背面的裸露焊盘是其主要的电气接地，需要在PC板上GND多个过孔。它
也是主要的散热路径。
简化的设备示意图
16
15
14
13
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
绝对最大额定值
参数
价值
150
6.5
0.75
-40至+85
20
-40到+150
+150
单位
mA
V
W
C
DBM
C
C
1
2
活跃
BIAS
电流（IC数量）
12
11
10
装置的电压（V
D
)
功耗
操作焊接温度（T
L
)
RF输入功率
存储温度范围
工作结温（T
J
)
3
4
9
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
5
6
7
8
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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SGB - 6433 DC - 3.5GHz的有源偏置增益模块
评估板数据（VCC = V
BIAS
= 5.0V ，我
c
= 88毫安）偏置T恤代替直流馈电电感（ L1 ）
增益与频率
24.0
36.0
34.0
32.0
OIP3与频率的关系
22.0
OIP3 （ dBm的）
+25c
+85c
20.0
增益（dB ）
30.0
28.0
26.0
24.0
22.0
+25c
+85c
-40c
18.0
16.0
14.0
-40c
12.0
0.4
0.9
1.4
1.9
2.4
0.4
0.9
1.4
1.9
2.4
频率（GHz ）
频率（GHz ）
的P1dB与频率的关系
20.0
7.0
6.0
噪声系数与频率的关系
19.0
噪声系数（dB ）
5.0
4.0
3.0
+25c
2.0
1.0
0.0
+85c
-40c
P1dB的（ DBM）
18.0
17.0
16.0
+25c
15.0
+85c
-40c
14.0
0.4
0.9
1.4
1.9
2.4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
IC与温度的关系
0.140
0.120
电流与电压
0.120
0.100
0.100
IC （MA ）
0.060
IC （ A）
+
85c
+
25c
-40c
0.080
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
4.4
4.6
4.8
5.0
5.2
5.4
5.6
5.8
6.0
6.2
0.040
0.020
0.000
温度
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
VC （伏特）
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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SGB - 6433 DC - 3.5GHz的有源偏置增益模块
评估板数据（VCC = V
BIAS
= 5.0V ，我
c
= 88毫安）偏置T恤代替直流馈电电感（ L1 ）
L S
11
L比频率
0.0
-5.0
-10.0
-15.0
25.0
+25c
20.0
+85c
-40c
15.0
30.0
L S
21
L比频率
S
11
（ dB）的
-25.0
-30.0
-35.0
-40.0
-45.0
-50.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
+25c
+85c
-40c
S
21
（ dB）的
-20.0
10.0
5.0
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
L S
12
L比频率
-18.0
0.0
-5.0
L S
22
L比频率
-20.0
-10.0
S
12
（ dB）的
S
22
（ dB）的
+25c
+85c
-22.0
-15.0
-24.0
-20.0
+25c
+85c
-25.0
-40c
-26.0
-40c
-28.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-30.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
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4
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EDS - 103095冯é
SGB - 6433 DC - 3.5GHz的有源偏置增益模块
典型的评估板电路图为5.0V
VCC
C4
C3
16
VCC
NC
NC
VBIAS
L1
NC
NC
RFOUT
NC
1
NC
NC
RFIN
RFIN
RFOUT
C2
C1
NC
可选
GND
NC
NC
NC
评估板 -
板材料GETEK ， 31mil厚，DK = 4.2 ， 1盎司铜
元件值由乐队
代号
500MHz
1000pF
1uF
220pF
68 nH的
850MHz
1000pF
1uF
68pF
33nH
1950MHz 2400MHz的
1000pF
1uF
43pF
22nH
1000pF
1uF
22pF
18nH
C4
C3
C4*
C1, C2
L1
C3
1
L1
C2
* C4是可选的取决于应用和筛选。不
所需SGB设备操作。
C1
注意：
该放大器可以从8V电源，只需运行
插入一个33欧姆的电阻器串联的Vcc 。
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