STS8DNF3LL
双N沟道30V - 0.017Ω - 8A SO- 8
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STS8DNF3LL
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.020
I
D
8A
最优
DS
（上） X的Qg权衡@ 4.5V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
S0-8
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
第二代意法半导体独有的
"Single特征大小 "条为基础的过程。该
导致晶体管显示出最佳的权衡
之间的导通电阻和栅极电荷。当
在降压稳压器用于高端和低端，它
给出了在两个方面的最佳性能
传导和开关损耗。这是
对于主板在那里快速极其重要
开关和高效率是至
重要性。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STS8DNF3LL
记号
S8DNF3LL
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2007年1月
转10
1/12
www.st.com
12
目录
STS8DNF3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
电气特性
STS8DNF3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
=125°C
V
GS
= ± 16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4A
1
0.017
0.020
0.020
0.024
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 4 A
分钟。
典型值。
12.5
800
250
60
V
DD
= 15V ，我
D
= 8A,
V
GS
= 5V
（参见图14）
12.5
3.2
4.5
17
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 。
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
=4A,
R
G
=4.7, V
GS
= 4.5V
（参见图13）
V
DD
= 15 V，I
D
=4A,
R
G
=4.7, V
GS
= 4.5V
（参见图13）
分钟。
典型值。
18
32
21
11
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
4/12
STS8DNF3LL
表6 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
电气特性
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8A ，V
GS
= 0
I
SD
= 8A ，V
DD
= 15V
的di / dt = 100A / μs的，
T
j
= 150°C
（参见图15）
23
17
1.5
测试条件
分钟。
典型值。
最大
8
32
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/12
双N沟道30V - 0.017
- 8A SO- 8
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STS8DNF3LL
s
s
s
s
STS8DNF3LL
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
<0.020
I
D
8A
典型
DS
（上） = 0.017Ω
最优
DS
（上） X的Qg权衡@ 4.5V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是第二
代STMicroelectronis独特"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的晶体管
显示导通电阻和栅极之间的最佳平衡点
费。当高侧和低侧降压使用
稳压器，它提供了在这两个方面的性能最佳
传导和开关损耗。这是非常
对主板重要，因为快速切换和
高效率是非常重要的。
SO-8
内部原理图
应用
s
专门设计和优化
高效率的CPU CORE DC / DC
转换器，用于移动PC
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
单人操作
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
单人操作
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C双操作
总功耗在T
C
= 25 ° C单操作
价值
30
30
± 16
8
5
32
2
1.6
A
单位
V
V
V
I
D
I
DM
()
P
合计
A
W
W
1/8
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2002年10月
.
STS8DNF3LL
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 4 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
V
DD
= 15 V I
D
= 8 A V
GS
= 5 V
（见测试电路，图2 ）
分钟。
典型值。
18
32
12.5
3.2
4.5
17
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 4 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
分钟。
典型值。
21
11
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8 A
V
GS
= 0
23
17
1.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
8
32
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 8 A
V
DD
= 15 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图3 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
QQ：2881677436 复制
