数据表
SMV1247 - SMV1255 ：超突变调谐变容二极管
特点
专为大批量商业应用
●
高电容比，C
0.3 V
/C
4.7 V
= 12典型。
●
多种封装SOT -23 ， SOD- 323 ， SC- 70和SC- 79
●
可用铅（Pb ） - 免费MSL - 1 @ 250 °根据JEDEC J- STD- 020
●
SPICE模型可
●
可在磁带和卷轴包装
●
描述
该SMV1247 - SMV1255系列硅超突变结VAR-
演员二极管是专为在使用VCO的低调谐电压
操作。这个家庭变容二极管的特点是电容
和耐温度过高。提供SPICE模型。
绝对最大额定值
特征
反向电压（V
R
)
正向电流（I
F
)
功耗（P
D
)
存储温度（T
ST
)
工作温度（T
OP
)
ESD人体模型
价值
15 V
20毫安
250毫瓦
-55 ° C至+150°C
-55 ° C至+125°C
CLASS 0
新
Skyworks公司提供无铅（Pb ） - 免费“环境
友好“的包装，符合RoHS标准
（欧洲议会的限制
有害物质） 。
性能保证仅在在规格表中列出的条件，是
下的绝对最大规格所述的全范围（ S）不能保证。
超过任何绝对最大/最小规格的可导致永久
损坏设备，并会导致保修失效。
注意事项：
虽然此设备被设计成如作为鲁棒
可能的话，静电放电（ ESD ）可能会损坏
此设备。此设备必须在任何时候都受到保护
从ESD 。静电荷可以很容易地产生电位
几千伏，对人体tials或
设备，它可以排出而不被发现。
行业标准的ESD防范措施，必须采用
在任何时候。
Skyworks的解决方案，公司电话[ 781 ] 376-3000 传真[ 781 ] 376-3100 sales@skyworksinc.comwww.skyworksinc.com
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1
数据表 SMV1247 - SMV1255
单身
SC-79
SMV1247-079
标记：阴极
SMV1247-079LF
标记：阴极
SMV1248-079LF
标记：阴极
单身
SOD-323
单身
SOT-23
共阳极
SOT-23
共阴极
SOT-23
共阳极
SC-70
共阴极
SC-70
SMV1247-074
标记： BF3
SMV1247-074LF
标记： GF3
SMV1248-001
标记： BG1
SMV1248-004
SMV1248-074
SMV1248-074LF
标记： GG3
SMV1249-079
标记：阴极
SMV1249-079LF
标记：阴极
SMV1251-079
标记：阴极
SMV1249-011
标记： AF
SMV1249-001
标记： P1
SMV1249-001LF
标记： EF1
SMV1249-003
标记： AF9
SMV1249-073
标记： AF9
SMV1249-074
SMV1251-011
标记： AH
SMV1251-011LF
标记： EH
SMV1251-001
标记： AH1
SMV1251-001LF
标记： EH
SMV1251-004
标记： AH3
SMV1251-004LF
标记： EH3
SMV1253-004
标记： AJ3
SMV1251-074
标记： AH3
SMV1253-079
标记：阴极
SMV1255-079
标记：阴极
SMV1255-079LF
标记：阴极
L
S
= 0.7 nH的
SMV1255-011
标记： AK
SMV1255-011LF
标记： EK
L
S
= 1.5 nH的
L
S
= 1.5 nH的
SMV1255-001
标记： AK1
SMV1255-004
标记： AK3
SMV1255-073
标记： AK9
L
S
= 1.5 nH的
L
S
= 1.4 nH的
L
S
= 1.4 nH的
LF表示铅（Pb ） - 免费的包装选项来替代我们的标准
锡/铅（Sn / Pb）的包装。
电气规格在25℃
部分
数
SMV1247
SMV1248
SMV1249
SMV1251
SMV1253
SMV1255
6.5
15.0
28.0
38.0
48.0
58.0
C
T
@ 0.3 V
（PF ）
分钟。
典型值。
7
17
31
42
53
64
典型值。
0.7
1.5
2.6
3.4
4.3
5.2
C
T
@ 4.7 V
（PF ）
马克斯。
0.78
1.70
2.80
3.80
4.80
5.80
C
T
@1V
（PF ）
典型值。
4.4
12.3
18.2
28.1
37.0
43.3
C
T
@3V
（PF ）
典型值。
0.95
2.60
3.40
5.80
7.80
8.50
C
T
@ 0.3 V
C
T
@ 4.7 V
（比）
分钟。
9.5
10.8
11.0
11.0
11.0
11.0
典型值。
10.0
12.0
12.1
12.2
12.3
12.3
C
T
@ 1 V
C
T
@ 3 V
（比）
典型值。
4.6
4.7
5.3
4.8
4.7
5.1
R
S
@ 3 V
500兆赫
()
马克斯。
6.0
3.3
2.2
1.6
1.4
1.3
Q
@3V
50兆赫
典型值。
1500
700
600
400
350
350
反向电压V
R
(I
R
= 10
A):
15 V
反向电流I
R
(V
R
= 12 V） ： 20 nA的
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数据表 SMV1247 - SMV1255
典型性能数据
100.0
SMV1255
SMV1253
8
6
4
SMV1251
SMV1248
SMV1247
0.1
0
2.0
4.0
6.0
8.0
0
0
1
2
3
4
5
2
SMV1255
SMV1253
SMV1248
SMV1249
SMV1251
10
SMV1247
电容（pF）
10.0
1.0
R
S
()
SMV1249
反向电压（ V）
反向电压（ V）
电容与反向电压
串联电阻与反向电压
@ 500 MHz的
15
3
2
1
0
-1
-2
-3
-40
-20
0
20
40
60
80
V
R
= 4 V
V
R
= 1 V
10
百分比变化（ ％ ）
百分比变化（ ％ ）
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-50
-25
0
25
50
75
100
温度（℃）
温度（℃）
相对电容变化
与温度的关系
相对串联电阻变化
与温度@ 500 MHz的
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3
数据表 SMV1247 - SMV1255
典型电容值
SMV1247
V
R
(V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
C
T
（PF ）
8.86
6.17
4.37
2.96
1.88
1.22
0.95
0.83
0.77
0.73
0.70
0.68
0.67
0.66
0.65
0.64
0.64
SMV1248
C
T
（PF ）
22.62
16.32
12.33
9.12
6.27
3.93
2.57
1.95
1.71
1.59
1.49
1.44
1.40
1.36
1.33
1.31
1.30
SMV1249
C
T
（PF ）
37.35
25.88
18.18
12.08
7.27
4.44
3.40
2.96
2.72
2.51
2.38
2.30
2.24
2.19
2.14
2.09
2.03
SMV1251
C
T
（PF ）
53.65
38.23
28.09
20.13
13.55
8.60
5.78
4.57
3.95
3.58
3.33
3.16
3.03
2.94
2.88
2.83
2.79
SMV1253
C
T
（PF ）
69.32
50.23
37.07
27.57
19.37
12.39
7.77
5.77
4.86
4.34
4.01
3.78
3.62
3.50
3.41
3.34
3.28
SMV1255
C
T
（PF ）
81.21
58.28
43.27
31.49
21.50
13.40
8.51
6.51
5.58
5.07
4.76
4.58
4.46
4.39
4.33
4.29
4.26
SPICE模型
PORT
P_anode
端口= 1
IND
L
S
L = L
S
部分
数
SMV1247
DIODEM
Diode_Model
I
S
= 1.00e-14
R
S
= 0
N=1
T
T
= 0
C
JO
= C
JO
M=M
V
J
= V
J
E
G
= 1.11
X
TI
= 3
K
F
=0
A
F
=1
F
C
= 0.5
B
V
= 0
I
BV
= 1e-3
I
SR
= 0
N
R
= 2
I
KF
= 0
N
BV
= 1
I
BVL
= 0
N
BVL
= 1
T
BV1
= 0
T
喃
= 27
F
FE
= 1
C
JO
（PF ）
9.22
21.54
39.00
60.00
70.00
82.00
V
J
(V)
13
13
17
17
17
17
M
10.5
10.5
14.0
14.0
14.0
13.0
C
P
（PF ）
0
0
0
0
0
0
R
S
()
4.9
2.4
1.7
1.4
1.1
1.0
SMV1248
SMV1249
SMV1251
SMV1253
SMV1255
水库
R
S
R = R
S
二极管
Varactor_Diode
面积= 1
MODEL = Diode_Model
MODE =非线性
帽
C
P
C = C
P
1.模型设计中的多达4个V的范围，以适应测量数据
2.封装电感（L
S
）指封装类型。
3，欲了解更多详细信息，请参阅“变容二极管SPICE模型RF VCO应用”
应用笔记。
PORT
P_Cathode
端口= 2
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数据表 SMV1247 - SMV1255
推荐的回流焊曲线
廓特征
平均升温速率（T
L
给T
P
)
预热
最低温度。 （T
SMIN
)
最高温度。 （T
SMAX
)
时间（分钟至最大） （TS）
T
SMAX
给T
L
升温速率
时间保持高于：
温度（T
L
)
时间（t
L
)
峰值温度（T
P
)
时间在5℃的实际峰值温度（Tp ）
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度
锡铅共晶组件
3 ° C /秒。
100 °C
150 °C
60-120秒
—
183 °C
60 150秒
240 +0/-5 °C
10-30秒
6 ° C /秒。
6分钟最多。
铅（Pb ） - 免费装配100 ％锡
3 ° C /秒。
150 °C
200 °C
60-80秒
3 ° C /秒。
217 °C
60 150秒
250 +0/-5 °C
20-40秒
6 ° C /秒。
最多8分钟。
所有温度是指包装的顶面，在封装体的表面进行测量。
参考JEDEC J -STD- 020B 。
T
P
t
p
关键区域
T
L
给T
L
T
L
I
L
T
SMAX
温度
T
SMIN
t
s
预热
25 C
吨25 ° C到峰值
时间
参考JEDEC J- STD- 020
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