N沟道150V - 0.045
- 5A SO- 8
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
目标数据
TYPE
STS5N150
s
s
s
STS5N150
V
DSS
150 V
R
DS （ ON）
<0.06
I
D
5A
典型
DS
（上） = 0.045
DV dt能力极高/
特低栅极电荷
描述
这实现了与意法半导体MOSFET系列产品
独特的STripFET进程专门设计
以减少输入电容和栅极电荷。这是
因此适合作为先进的高初级开关
效率，高频隔离型DC- DC转换器
电信和计算机应用。它也意
与低栅极驱动要求的任何应用程序。
SO-8
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
内部原理图
订购信息
销售类型
STS5N150
记号
S5N150
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
工作结温
价值
150
150
± 20
5
3
20
2.5
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2003年6月
这是关于forseen要developped一个新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知
1/6
STS5N150
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 2.5 A
V
DD
= 75 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图1 ）
V
DD
= 120V我
D
= 5A V
GS
= 10V
（见测试电路，图2 ）
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
28
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 2.5 A
V
DD
= 75 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图1 ）
分钟。
典型值。
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5 A
V
GS
= 0
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5
20
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 5 A
V
DD
= 50 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图3 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
3/6
N沟道150V - 0.045
- 5A SO- 8
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
目标数据
TYPE
STS5N150
s
s
s
STS5N150
V
DSS
150 V
R
DS （ ON）
<0.06
I
D
5A
典型
DS
（上） = 0.045
DV dt能力极高/
特低栅极电荷
描述
这实现了与意法半导体MOSFET系列产品
独特的STripFET进程专门设计
以减少输入电容和栅极电荷。这是
因此适合作为先进的高初级开关
效率，高频隔离型DC- DC转换器
电信和计算机应用。它也意
与低栅极驱动要求的任何应用程序。
SO-8
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
内部原理图
订购信息
销售类型
STS5N150
记号
S5N150
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
工作结温
价值
150
150
± 20
5
3
20
2.5
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2003年6月
这是关于forseen要developped一个新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知
1/6
STS5N150
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 2.5 A
V
DD
= 75 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图1 ）
V
DD
= 120V我
D
= 5A V
GS
= 10V
（见测试电路，图2 ）
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
28
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 2.5 A
V
DD
= 75 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图1 ）
分钟。
典型值。
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5 A
V
GS
= 0
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5
20
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 5 A
V
DD
= 50 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图3 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
3/6
QQ：2880707522 复制
