STS3C3F30L
N沟道30V - 0.050
- 3.5A SO- 8
P沟道30V - 0.140
- 3A SO- 8
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STS3C3F30L(N-Channel)
STS3C3F30L(P-Channel)
s
s
s
V
DSS
30 V
30 V
R
DS （ ON）
< 65毫欧
< 165毫欧
I
D
3.5 A
3A
s
典型
DS
（上）（ N沟道）= 50毫欧
典型
DS
（上） （ P沟道） = 140毫欧
标准大纲EASY
自动化表面贴装
低阈值DRIVE
SO-8
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是第二
代STMicroelectronis独特"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低的导通电阻
tance ，坚固耐用的雪崩特性，并不太重要
因此，调整的步骤一个了不起的制造重
可生产性。
内部原理图
应用
s
DC / DC转换器
s
电池管理游牧
设备
s
电源管理CELLULAR
手机
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
单人操作
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
单人操作
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C双操作
总功耗在T
C
= 25 ° C单操作
储存温度
马克斯。工作结温
3.5
2.2
14
1.6
2
-60至150
150
N沟道
30
30
± 16
2.7
1.7
11
P沟道
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2002年2月
.
注意：电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性
已被逆转
1/10
STS3C3F30L
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
参数
导通延迟时间
测试条件
N沟道
I
D
= 1.75 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
P沟道
V
DD
= 15 V
I
D
= 1.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
N沟道
V
DD
= 24V I
D
=3.5A
V
GS
=4.5V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
典型值。
27
14.5
40
37
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
上升时间
Qg
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
N沟道
P沟道
8.5
4.8
2
1.7
4
2
12
7
nC
nC
nC
nC
nC
nC
N沟道
P沟道
V
DD
= 24V I
D
= 3A V
GS
= 4.5V P沟道
N沟道
（见测试电路，图2 ）
P沟道
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
测试条件
N沟道
I
D
= 1.75 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
P沟道
V
DD
= 15 V
I
D
= 1.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载，图1 ）
测试条件
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
SD
= 3.5 A
I
SD
= 3 A
V
GS
= 0
V
GS
= 0
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
28
35
18
25
1.3
1.5
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
典型值。
30
90
20
23
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
下降时间
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
分钟。
典型值。
马克斯。
3.5
3
14
12
1.2
1.2
单位
A
A
A
A
V
V
ns
ns
nC
nC
A
A
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
N沟道
I
SD
= 3.5 A
的di / dt = 100A / μs的
T
j
=150
o
C
V
DD
= 15 V
P沟道
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 3 A
T
j
=150
o
C
V
DD
= 15 V
（见测试电路，图3 ）
()
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
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