SBA-5089
产品说明
Sirenza的Microdevices的SBA - 5089是一款高性能的InGaP /
砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。一
达林顿配置设计的InGaP工艺技术
提供宽带性能高达5 GHz，具有优良的
热性能比较。异质结增加击穿
电压和最大程度地减少结之间的漏电流。
的发射结的非线性导致更高取消
抑制互调产物。只有一个正
电源电压，隔直流电容，偏置电阻和一个
可选RF扼流圈所需要的操作。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了
后退火处理，以减轻锡晶须形成，并
每个符合RoHS欧盟指令2002/95标准。这个包是
还制造与包含绿色塑封料
没有三氧化锑，也没有卤化阻燃剂。
获得&回波损耗
30
20
10
0
-10
-20
S11
S22
S21
SBA-5089Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC - 5GHz的，可级联
的InGaP /砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
现在，在无铅，符合RoHS可用
兼容， &绿色包装
IP3 = 34.0dBm @ 1950MHz
噘= 13.0 dBm的@ -45dBc ACP IS- 95 1950MHz
强大的1000V的ESD ， 1C类
工作在单电源
专利的散热设计
应用
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星终端
-30
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
SYM BOL
G
P
P一RA M E TE
S M一ll S I克N A L G一I N
ü TP UT P owerat 1天BC来说，压缩
ü TP UT牛逼赫德的rDer在TE rcept P oint
ü TP ü吨P 2 O宽E @ - 4 5 D C A C P B IS - 9 5
9 F R W A R维C h的N N é LS
D E TE rminedby TU RN L OSS （ > 1 0 D B ）
在P ü吨 TU R N 1。· S S小
ü TP ü吨 TU R N 1。· S S小
N}÷为e F IG ü重新
D E V I权证 P·E R A TI N G - V LTA克é
D E V I权证 P·E R A TI体中 ú R R简吨
牛逼 é R M一l研究（E S）我的TA 权证
（菊N c个TI 0：N勒一四）
加利它s
dB
DBM
DBM
DBM
M赫兹
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
f重新Q ü简
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
M IN 。
1 8 .5
1 6 .5
1 8 .0
3 2 .0
典型值。
2 0 .0
1 8 .0
1 9 .7
1 9 .5
3 6 .0
3 4 .0
1 3 .0
4400
M AX 。
2 1 .5
1 9 .5
1dB
IP
P
3
OUT
B一N D瓦特I D日
IR L
ORL
NF
V
D
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1 4 .0
9 .0
2 0 .0
1 1 .0
4 .5
5 .5
5 .3
88
4 .7
72
4 .9
80
70
I
D
R
牛逼
， J-升
测试条件：
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 39欧姆
I
D
= 80毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
性能测试和等级评定为Sirenza的Microdevices的产品进行了内部执行由Sirenza的测量，并使用特定的计算机系统和/或与组件和反映的大致性能
的产品，这些测试测量。在电路实现，测试软件和测试设备的任何差异都可能影响实际性能。本文提供的信息被认为是可靠的，在按
时间与Sirenza Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任。所有这些使用应完全由用户自己承担风险。价格和规格Sirenza的Microdevices的产品都受到
更改，恕不另行通知。购房者应咨询Sirenza的Microdevices的标准销售条款与Sirenza的有限保修的条件就其产品。没有专利的权利或许可任何电路
本文描述的暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或保证任何产品的生命支持设备和/或系统。
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 102743 Rev. D的
SBA- 5089 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
初步
在重点工作频率典型RF性能
频率（MHz）
符号
参数
单位
100
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
21
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
20.5
36.3
19.8
29
27
22
4.1
20.2
35.8
19.8
27
21
22
4.3
19.9
18.0
频率（MHz）
36.0
19.7
25
17
23
4.2
34.0
19.5
20
11
23
4.5
17.1
32.7
18.8
17
11
23
----
15.3
30.9
17.1
11.8
11
23
----
测试条件：
I
D
= 80毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
测试条件：
噪声系数与频率的关系
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
绝对限制
130毫安
6
噪声系数（dB ）
5
4
3
2
0
0.5
1
1.5
频率（GHz ）
2
+25c
-40c
+85c
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
最大工作耗散
动力
马克斯。
结温。
(T
J
)
工作温度。
范围（T
L
)
6V
+17 dBm的
0.65 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度。
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
O
3
与频率的关系
IP
38
36
OIP
3
（ dBm的）
34
32
30
28
26
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
的P1dB与频率的关系
21
+25c
-40c
20
P
1dB
（ dBm的）
19
18
17
16
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
+85c
+25c
-40c
+85c
3
3.5
频率（G Z）
H
频率（GHz ）
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 102743 Rev. D的
SBA- 5089 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
|S
11
|与频率
0
25
初步
高级数据表
|S
21
|与频率
20
-10
S11（ dB）的
S21 （ dB）的
+25c
15
-20
10
+25c
-30
-40c
+85c
5
-40c
+85c
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
|S
12
|与频率
-10
|S
22
|与频率
0
+25c
-40c
+85c
-15
-10
S22 （ dB）的
S12 （ dB）的
-20
-20
-25
-30
+25c
-40c
+85c
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
IS- 95 @ 850M
Hz
ADJ。频道压水堆。与通道输出压水堆。
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
6
8
10
12
DBM
14
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
6
IS-95 @ 1950MHz
ADJ。频道压水堆。与信道输出功率
dBc的
dBc的
+25c
-40c
+85c
+25c
-40c
+85c
16
8
10
12
DBM
14
16
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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EDS - 102743 Rev. D的
SBA- 5089 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
初步
高级数据表
基本应用电路
R
BIAS
应用电路元件值
频率（MHz）
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
1 uF的
1000
pF
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SBA-5089
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=80mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
7.5 V
33
8V
39
10 V
68
12 V
91
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
安装说明
1000 pF的
1.焊铜焊盘上的背面
器件封装到接地平面。
2.使用带有镀很多大接地焊盘面积
通孔，如图所示。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔用
为了获得最佳性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
BA5
C
B
L
C
C
D
C
B
一部分标识标记
该部分将标有“ BA5 ”或“ BA5Z ”
指示符在封装的上表面。
4
4
2, 4
GND
BA5
2
BA5Z
3
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
1
2
3
2
1
1
2
1
3
3
产品型号订购信息
产品型号
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
带尺寸
设备/卷
SBA-5089
SBA-5089Z
7"
7"
1000
1000
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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SBA- 5089 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
初步
高级数据表
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
标称封装尺寸
尺寸以英寸[毫米]
请参阅包装图张贴在
www.sirenza.com
对于公差。
底部视图
SIDE VIEW
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
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EDS - 102743 Rev. D的
产品说明
Sirenza的Microdevices的SBA - 5089是一款高性能的InGaP /
砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。一
达林顿配置设计过程的InGaP
技术提供宽带性能高达5 GHz频带
优异的热性能比较。异质结增加
击穿电压和最小化之间的漏电流
路口。的发射结的非线性结果取消
在较高的抑制互调产物。只有一个单
正电源电压，隔直流电容，偏置电阻，
和一个可选的RF扼流圈所需的操作。
获得&回波损耗
30
20
10
0
-10
-20
-30
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
S11
S22
S21
SBA-5089
DC - 5GHz的，可级联
的InGaP /砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
IP3 = 34.0dBm @ 1950MHz
噘= 13.0 dBm的@ -45dBc ACP IS- 95 1950MHz
强大的1000V的ESD ， 1C类
工作在单电源
专利的散热设计
应用
?? PA驱动放大器
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
无线数据，卫星终端
ü尼特
dB
分贝米
分贝米
分贝米
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
1950年兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
4.5
72
14.0
9.0
频率
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
分钟。
18.5
16.5
18.0
32.0
典型值。
20.0
18.0
19.7
19.5
36.0
34.0
13.0
4400
20.0
11.0
4.5
4.9
80
70
5.5
5.3
88
马克斯。
21.5
19.5
符号
G
P
1dB
OIP
3
P
OUT
参数
小思gnal盖
输出1分贝 ompressi电力
输出氏三阶截POI NT
输出功率@ -45dBc AC P IS- 95
9向前 hannels
Bandwi嗞
etermi斯内德通过回波损耗（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输入回波损耗
输出回波损耗
降噪器连接gure
EVI CE操作，实际电压NG
EVI CE操作，实际纳克光凭目前
热RESI立场（ juncti的领导）
测试条件：
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 39欧姆
I
D
= 80毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
性能测试和等级评定为Sirenza的Microdevices的产品进行了内部执行由Sirenza的测量，并使用特定的计算机系统和/或组件进行测量反映了产品的大致性能
这些测试。在电路实现，测试软件，或测试设备的任何差异都可能影响实际性能。本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时与Sirenza Microdevices公司对使用不承担任何责任
此信息。所有这些使用应完全由用户自己承担风险。价格和规格Sirenza的Microdevices的产品如有变更，恕不另行通知。购房者应咨询Sirenza的Microdevices的标准销售条款和条件
为Sirenza的有限保修就其产品。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或保证任何产品的生命支持应用
设备和/或系统。
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 102743版本C
初步
SBA- 5089 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
频率（MHz）
频率（MHz）
符号
参数
单位
100
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
21
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V=
V
V
SS
=88V
R = 39欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
BIAS
L
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
20.5
36.3
19.8
29
27
22
4.1
S
20.2
35.8
19.8
27
21
22
4.3
L
19.9
36.0
19.7
25
17
23
4.2
18.0
34.0
19.5
20
11
23
4.5
17.1
32.7
18.8
17
11
23
----
15.3
30.9
17.1
11.8
11
23
----
测试条件：
测试条件：
我80毫安典型。
I
DD
== 80毫安典型。
TT
L
= 25C
= 25C
OIP音调间隔
每个音兆赫，噘
DBM
OIP
3 3
音间距= = 11MHz ，噘每个音= = 00dBm
ZZ
S
= Z
L
= 50欧姆
= Z = 50欧姆
绝对最大额定值
噪声系数与频率的关系
6
噪声系数（dB ）
5
4
3
2
0
0.5
1
1.5
频率（GHz ）
2
+25c
-40c
+85c
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
最大工作耗散
动力
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
1
30
mA
6V
+17 dBm的
0.65 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
O
3
与频率的关系
IP
38
36
OIP
3
（ dBm的）
34
32
30
28
26
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
+25c
-40c
+85c
的P1dB与频率的关系
21
20
P
1dB
（ dBm的）
19
18
17
16
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
+25c
-40c
+85c
频率（G Z）
H
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
频率（GHz ）
http://www.sirenza.com
EDS - 102743版本C
初步
SBA- 5089 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
|S
11
|与频率
0
25
|S
21
|与频率
-10
S11（ dB）的
S21 （ dB）的
+25c
-40c
+85c
20
15
-20
10
+25c
-30
5
-40c
+85c
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
|S
12
|与频率
-10
|S
22
|与频率
0
+25c
-40c
+85c
-15
-10
S22 （ dB）的
S12 （ dB）的
-20
-20
-25
-30
+25c
-40c
+85c
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
IS- 95 @ 850M
Hz
ADJ。频道压水堆。与通道输出压水堆。
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
6
8
10
12
DBM
14
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
6
IS-95 @ 1950MHz
ADJ。频道压水堆。与信道输出功率
dBc的
dBc的
+25c
-40c
+85c
+25c
-40c
+85c
16
8
10
12
DBM
14
16
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
http://www.sirenza.com
EDS - 102743版本C
初步
SBA- 5089 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
频率（ MHz）的
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SBA-5089
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=80mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
7.5 V
33
8V
39
10 V
68
12 V
91
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.焊铜焊盘上的背面
器件封装到接地平面。
2.使用带有镀很多大接地焊盘面积
通孔，如图所示。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
BA5
C
B
L
C
C
D
C
B
针＃
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔用
为了获得最佳性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
一部分标识标记
该部分将被标记上“ BA5 ”标志
包装件的顶表面上。
4
1
2, 4
GND
BA5
1
2
3
2
1
3
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
产品型号订购信息
产品型号
SBA-5089
带尺寸
7"
设备/卷
1000
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS - 102743版本C
初步
SBA- 5089 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
标称封装尺寸
尺寸以英寸[毫米]
请参阅包装图张贴在
www.sirenza.com
对于公差。
底部视图
SIDE VIEW
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
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EDS - 102743版本C
产品说明
Sirenza的Microdevices的SBA - 5089是一款高性能的InGaP /
砷化镓异质结双极晶体管MMIC放大器。一
达林顿配置设计过程的InGaP
技术提供宽带性能高达5 GHz频带
优异的热性能比较。异质结增加
击穿电压和最小化之间的漏电流
路口。的发射结的非线性结果取消
在较高的抑制互调产物。只有一个单
正电源电压，隔直流电容，偏置电阻，
和一个可选的RF扼流圈所需的操作。
获得&回波损耗
30
20
10
0
-10
-20
-30
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
S11
S22
S21
SBA-5089
DC - 5GHz的，可级联
的InGaP /砷化镓HBT MMIC放大器
产品特点
IP3 = 34.0dBm @ 1950MHz
噘= 13.0 dBm的@ -45dBc ACP IS- 95 1950MHz
强大的1000V的ESD ， 1C类
工作在单电源
专利的散热设计
应用
?? PA驱动放大器
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
无线数据，卫星终端
ü尼特
dB
分贝米
分贝米
分贝米
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
1950年兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
4.5
72
14.0
9.0
频率
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
分钟。
18.5
16.5
18.0
32.0
典型值。
20.0
18.0
19.7
19.5
36.0
34.0
13.0
4400
20.0
11.0
4.5
4.9
80
70
5.5
5.3
88
马克斯。
21.5
19.5
符号
G
P
1dB
OIP
3
P
OUT
参数
小思gnal盖
输出1分贝 ompressi电力
输出氏三阶截POI NT
输出功率@ -45dBc AC P IS- 95
9向前 hannels
Bandwi嗞
etermi斯内德通过回波损耗（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输入回波损耗
输出回波损耗
降噪器连接gure
EVI CE操作，实际电压NG
EVI CE操作，实际纳克光凭目前
热RESI立场（ juncti的领导）
测试条件：
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 39欧姆
I
D
= 80毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
性能测试和等级评定为Sirenza的Microdevices的产品进行了内部执行由Sirenza的测量，并使用特定的计算机系统和/或组件进行测量反映了产品的大致性能
这些测试。在电路实现，测试软件，或测试设备的任何差异都可能影响实际性能。本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时与Sirenza Microdevices公司对使用不承担任何责任
此信息。所有这些使用应完全由用户自己承担风险。价格和规格Sirenza的Microdevices的产品如有变更，恕不另行通知。购房者应咨询Sirenza的Microdevices的标准销售条款和条件
为Sirenza的有限保修就其产品。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或保证任何产品的生命支持应用
设备和/或系统。
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1
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EDS - 102743版本C
初步
SBA- 5089 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
频率（MHz）
频率（MHz）
符号
参数
单位
100
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
21
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V=
V
V
SS
=88V
R = 39欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
BIAS
L
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
20.5
36.3
19.8
29
27
22
4.1
S
20.2
35.8
19.8
27
21
22
4.3
L
19.9
36.0
19.7
25
17
23
4.2
18.0
34.0
19.5
20
11
23
4.5
17.1
32.7
18.8
17
11
23
----
15.3
30.9
17.1
11.8
11
23
----
测试条件：
测试条件：
我80毫安典型。
I
DD
== 80毫安典型。
TT
L
= 25C
= 25C
OIP音调间隔
每个音兆赫，噘
DBM
OIP
3 3
音间距= = 11MHz ，噘每个音= = 00dBm
ZZ
S
= Z
L
= 50欧姆
= Z = 50欧姆
绝对最大额定值
噪声系数与频率的关系
6
噪声系数（dB ）
5
4
3
2
0
0.5
1
1.5
频率（GHz ）
2
+25c
-40c
+85c
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
最大工作耗散
动力
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
1
30
mA
6V
+17 dBm的
0.65 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
O
3
与频率的关系
IP
38
36
OIP
3
（ dBm的）
34
32
30
28
26
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
+25c
-40c
+85c
的P1dB与频率的关系
21
20
P
1dB
（ dBm的）
19
18
17
16
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
+25c
-40c
+85c
频率（G Z）
H
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
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2
频率（GHz ）
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初步
SBA- 5089 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
|S
11
|与频率
0
25
|S
21
|与频率
-10
S11（ dB）的
S21 （ dB）的
+25c
-40c
+85c
20
15
-20
10
+25c
-30
5
-40c
+85c
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
|S
12
|与频率
-10
|S
22
|与频率
0
+25c
-40c
+85c
-15
-10
S22 （ dB）的
S12 （ dB）的
-20
-20
-25
-30
+25c
-40c
+85c
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
IS- 95 @ 850M
Hz
ADJ。频道压水堆。与通道输出压水堆。
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
6
8
10
12
DBM
14
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
6
IS-95 @ 1950MHz
ADJ。频道压水堆。与信道输出功率
dBc的
dBc的
+25c
-40c
+85c
+25c
-40c
+85c
16
8
10
12
DBM
14
16
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
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3
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初步
SBA- 5089 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
频率（ MHz）的
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SBA-5089
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=80mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
7.5 V
33
8V
39
10 V
68
12 V
91
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.焊铜焊盘上的背面
器件封装到接地平面。
2.使用带有镀很多大接地焊盘面积
通孔，如图所示。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
BA5
C
B
L
C
C
D
C
B
针＃
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔用
为了获得最佳性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
一部分标识标记
该部分将被标记上“ BA5 ”标志
包装件的顶表面上。
4
1
2, 4
GND
BA5
1
2
3
2
1
3
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
产品型号订购信息
产品型号
SBA-5089
带尺寸
7"
设备/卷
1000
303南科技的Ct 。 ，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS - 102743版本C
初步
SBA- 5089 DC- 5GHz的级联MMIC放大器
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
标称封装尺寸
尺寸以英寸[毫米]
请参阅包装图张贴在
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对于公差。
底部视图
SIDE VIEW
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