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STS2DNE60
N - CHANNEL 60V - 0.180Ω - 2A SO- 8
的STripFET 功率MOSFET
初步数据
TYPE
STS2DNE60
s
s
V
DSS
60 V
R
DS ( ON)
< 0.23
I
D
2A
s
典型
DS ( ON)
= 0.18
标准大纲EASY
自动化表面贴装
低阈值DRIVE
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有"单一特征
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻,崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此
a
卓越
制造业
重现。
应用
s
直流电机驱动
s
DC- DC转换器
s
电池MANAGMENT游牧
设备
s
电源管理
便携式/台式电脑
s
SO-8
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在Tc = 25
o
C
单人操作
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
单人操作
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
双操作
总功耗在T
c
= 25
o
Sinlge操作
价值
60
60
±
20
2
1.3
8
2
1.6
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
I
DM
()
P
合计
1999年10月
1/5
STS2DNE60
热数据
R
THJ - AMB
Tj
TSTG
*热阻结到环境
单人操作
双操作
最大工作结温
储存温度
78
62.5
150
-55到150
o
o
C / W
C / W
o
C
o
C
(*)
安装在FR- 4电路板(T
≤ 10秒)
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
60
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125 C
o
开( *)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 1 A
2
分钟。
2
典型值。
3.3
0.180
马克斯。
4
0.23
单位
V
A
论国有漏电流V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 1 A
V
GS
= 0 V
分钟。
典型值。
1.8
310
45
12
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/5
STS2DNE60
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 30 V
I
D
= 1 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(电阻性负载,参见图3)
V
DD
= 24 V I
D
= 2 A V
GS
= 4.5 V
分钟。
典型值。
9
10
12
5.1
2.7
16
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
(六中)D
t
f
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 30 V
I
D
= 1 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(电阻性负载,参见图3)
V
= 48 V
I
D
= 2 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(感性负载,参见图5 )
分钟。
典型值。
25
5
4.5
5
12
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 2 A
V
GS
= 0
40
50
2.5
I
SD
= 2 A
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 25 V
T
j
= 150
o
C
(见测试电路,图5)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
2
8
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
3/5
STS2DNE60
SO- 8机械数据
DIM 。
分钟。
A
a1
a2
a3
b
b1
C
c1
D
E
e
e3
F
L
M
S
3.8
0.4
4.8
5.8
1.27
3.81
4.0
1.27
0.6
图8(最大)
0.14
0.015
5.0
6.2
0.65
0.35
0.19
0.25
0.1
mm
典型值。
马克斯。
1.75
0.25
1.65
0.85
0.48
0.25
0.5
45 (典型值)。
0.188
0.228
0.050
0.150
0.157
0.050
0.023
0.196
0.244
0.025
0.013
0.007
0.010
0.003
分钟。
典型值。
马克斯。
0.068
0.009
0.064
0.033
0.018
0.010
0.019
0016023
4/5
STS2DNE60
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1999意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
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