Si7390DP
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）快速开关WFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
()
0.0095 @ V
GS
= 10 V
0.0135 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
15
13
特点
极低的Qgd WFET技术
低开关损耗
TrenchFET
功率MOSFET
新的低热阻的PowerPAK
低1.07毫米封装简介
100 % R
g
经过测试
可用的
RoHS指令*
柔顺
应用
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
高端DC / DC转换器
- 笔记本电脑
- 服务器
- 工作站
转换负载点的
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
底部视图
订货信息：
Si7390DP-T1
Si7390DP -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150°C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
±20
15
12
±50
4.1
5
3.2
-55到150
260
1.5
1.8
1.1
9
7
稳定状态
单位
V
A
W
°C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
最大结至外壳（漏）
t
≤
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
20
53
2.1
最大
25
70
3.2
单位
° C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见焊接温度曲线（
http://www.vishay.com/ppg?73257 ） 。
采用PowerPAK SO -8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，并
不要求保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 72214
S- 51773 -REV 。 C， 31 - OCT- 05
www.vishay.com
1
Si7390DP
Vishay Siliconix公司
新产品
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
0.2
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
10
3.5
2.1
0.8
16
7
43
14
35
1.4
30
12
70
25
60
ns
15
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70°C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 13 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
I
S
= 4.1 A，V
GS
= 0 V
40
0.0075
0.0105
45
0.7
1.1
0.0095
0.0135
0.8
3.0
±100
1
5
A
A
S
V
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
50
V
GS
= 10直通4 V
40
40
I
D
- 漏电流（ A）
50
I
D
- 漏电流（ A）
30
3V
30
20
20
T
C
= 125
C
10
25
C
-55
C
10
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
www.vishay.com
2
文档编号： 72214
S- 51773 -REV 。 C， 31 - OCT- 05
Si7390DP
新产品
典型特征
0.030
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
Vishay Siliconix公司
1800
C
国际空间站
25 ℃，除非另有说明
- 电容（pF ）
0.024
1500
1200
0.018
V
GS
= 4.5 V
0.012
V
GS
= 10 V
0.006
900
C
OSS
600
C
RSS
300
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 12.5 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.8
V
GS
= 10 V
I
D
= 12.5 A
电容
5
1.6
4
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（
C)
栅极电荷
0.040
导通电阻与结温
50
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150
C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.032
0.024
I
D
= 12.5 A
1
T
J
= 25
C
0.016
0.008
0.1
0.0
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 72214
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3
Si7390DP
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新产品
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.6
0.4
80
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
-0.0
-0.2
-0.4
20
-0.6
-0.8
-50
I
D
= 250 A
功率（W）的
60
100
40
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
T
J
- 温度（
C)
1
10
时间（秒）
100
600
阈值电压
单脉冲功率
100
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
- 漏电流（ A）
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
T
C
= 25
C
单脉冲
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
安全工作区，结至外壳
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 125
C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
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4
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S- 51773 -REV 。 C， 31 - OCT- 05
Si7390DP
新产品
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
Vishay Siliconix公司
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技可靠性数据
术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性
数据见
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Si7390DP
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）快速开关WFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
()
0.0095 @ V
GS
= 10 V
0.0135 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
15
13
特点
极低的Qgd WFET技术
低开关损耗
TrenchFET
功率MOSFET
新的低热阻的PowerPAK
低1.07毫米封装简介
100 % R
g
经过测试
可用的
RoHS指令*
柔顺
应用
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
高端DC / DC转换器
- 笔记本电脑
- 服务器
- 工作站
转换负载点的
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
底部视图
订货信息：
Si7390DP-T1
Si7390DP -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150°C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
B，C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
±20
15
12
±50
4.1
5
3.2
-55到150
260
1.5
1.8
1.1
9
7
稳定状态
单位
V
A
W
°C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（ MOSFET ）
a
最大结至外壳（漏）
t
≤
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
20
53
2.1
最大
25
70
3.2
单位
° C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见焊接温度曲线（
http://www.vishay.com/ppg?73257 ） 。
采用PowerPAK SO -8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，并
不要求保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 72214
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Si7390DP
Vishay Siliconix公司
新产品
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
0.2
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
10
3.5
2.1
0.8
16
7
43
14
35
1.4
30
12
70
25
60
ns
15
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70°C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 13 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
I
S
= 4.1 A，V
GS
= 0 V
40
0.0075
0.0105
45
0.7
1.1
0.0095
0.0135
0.8
3.0
±100
1
5
A
A
S
V
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
50
V
GS
= 10直通4 V
40
40
I
D
- 漏电流（ A）
50
I
D
- 漏电流（ A）
30
3V
30
20
20
T
C
= 125
C
10
25
C
-55
C
10
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
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2
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S- 51773 -REV 。 C， 31 - OCT- 05
Si7390DP
新产品
典型特征
0.030
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
Vishay Siliconix公司
1800
C
国际空间站
25 ℃，除非另有说明
- 电容（pF ）
0.024
1500
1200
0.018
V
GS
= 4.5 V
0.012
V
GS
= 10 V
0.006
900
C
OSS
600
C
RSS
300
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 12.5 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.8
V
GS
= 10 V
I
D
= 12.5 A
电容
5
1.6
4
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（
C)
栅极电荷
0.040
导通电阻与结温
50
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150
C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.032
0.024
I
D
= 12.5 A
1
T
J
= 25
C
0.016
0.008
0.1
0.0
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 72214
S- 51773 -REV 。 C， 31 - OCT- 05
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3
Si7390DP
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.6
0.4
80
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
-0.0
-0.2
-0.4
20
-0.6
-0.8
-50
I
D
= 250 A
功率（W）的
60
100
40
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
T
J
- 温度（
C)
1
10
时间（秒）
100
600
阈值电压
单脉冲功率
100
限于由R
DS （ ON）
10
I
D
- 漏电流（ A）
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
T
C
= 25
C
单脉冲
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
安全工作区，结至外壳
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 125
C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
www.vishay.com
4
文档编号： 72214
S- 51773 -REV 。 C， 31 - OCT- 05
Si7390DP
新产品
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
Vishay Siliconix公司
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
方波脉冲持续时间（秒）
10
- 1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技可靠性数据
术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性
数据见
http://www.vishay.com/ppg?72214 。
文档编号： 72214
S- 51773 -REV 。 C， 31 - OCT- 05
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5
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