【WTL2622双N沟道增强模式MOSFETP B铅（Pb ） - 免费1门6排水漏电流2.5安培漏源】,IC型号STS2622,STS2622 PDF资料,STS2622经销商,ic,电子元器件-51电子网

WTL2622

双N沟道增强

模式MOSFET

P B

铅（Pb ） - 免费

1门

6排水

漏电流

2.5安培

漏源电压

20电压

产品特点：

*超级高密度电池设计低R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

< 80mΩ @ V

GS

=4.5V

*坚固可靠

*有能力2.5V栅极驱动

*简单的驱动要求

* SOT- 26封装

2 SOURCE

4漏

1

6

5

4

2

3

SOT-26

3门

5 SOURCE

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有规定编）

等级

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

1

, V

GS

@ 4.5V ，T

A

=25C

-Pulsed

2

漏源二极管的正向电流

1

总功耗

1

(T

A

=25C)

最大结到环境

1

工作结存储温度范围

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

R

θJA

T

J

,T

英镑

价值

20

±10

2.5

8

1.25

1

125

-55~+150

W

° C / W

C

A

单位

V

器件标识

WTL2622=STS2622

HTTP ： www.weitron.com.tw

WEITRON

1/6

19-Sep-05

WTL2622

电气特性

(T

A

= 25℃

特征

除非另有说明）

符号

民

典型值

3

最大

单位

开关特性

漏源击穿电压

V

GS

=0,I

D

=250μA

汲极电流SourceLeakage

V

DS

=16V,V

GS

=0V

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=±10V, V

DS

=0V

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

20

-

1

±100

V

μA

nA

基本特征

2

门源阈值电压

V

DS

=V

GS

,I

D

=250μA

汲极SourceOn通电阻

V

GS

=4.5V,I

D

=2.5A

V

GS

=2.5V,I

D

=2.0A

通态漏电流

V

DS

=5V,V

GS

=4.5V

正向跨导

V

DS

=5V,I

D

=2.5A

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

0.5

-

6

-

0.8

65

90

-

7

1.5

80

110

-

V

mΩ

I

D（上）

政府飞行服务队

A

S

动态特性

3

输入电容

V

GS

=0V,V

DS

=10V,f=1.0MHz

输出电容

V

GS

=0V,V

DS

=10V,f=1.0MHz

反向传输电容

V

GS

=0V,V

DS

=10V,f=1.0MHz

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

-

220

67

50

-

pF

HTTP ： www.weitron.com.tw

WEITRON

2/6

19-Sep-05

WTL2622

电气特性

(T

A

= 25℃

特征

除非另有说明）

符号

民

典型值

3

最大

单位

开关特性

3

导通延迟时间

2

V

DS

=10V, V

GS

= 4.5V ，我

D

= 1A ，R

根

=6Ω

上升时间

V

DS

=10V, V

GS

= 4.5V ，我

D

= 1A ，R

根

=6Ω

打开-O FF延迟时间

V

DS

=10V, V

GS

= 4.5V ，我

D

= 1A ，R

根

=6Ω

下降时间

V

DS

=10V, V

GS

= 4.5V ，我

D

= 1A ，R

根

=6Ω

总栅极电荷

2

V

DS

=10V,V

GS

=4.5V,I

D

=2.5A

栅极 - 源电荷

V

DS

=10V,V

GS

=4.5V,I

D

=2.5A

门源变化

V

DS

=10V,V

GS

=4.5V,I

D

=2.5A

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

-

10.2

8.3

13.5

12.7

4

1.5

0.7

-

ns

-

nC

源极 - 漏极二极管的特性

2

正向电压上

V

GS

=0V,I

S

=1.25A

V

SD

-

0.84

1.2

V

注： 1.表面安装1平方英寸铜垫FR4板，T ≤ 10秒。

2.脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μS ，占空比≤ 2 ％。

3.设计保证，不受生产测试。

HTTP ： www.weitron.com.tw

WEITRON

3/6

19-Sep-05

WTL2622

20

V

GS

=10V

V

GS

=4V

15

25 C

V

GS

=4.5V

V

GS

=3V

16

12

-55 C

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

TJ = 125℃

12

8

V

GS

=2V

9

6

3

0

0.0

4

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

0.6

1.2

1.8

2.4

3.0

3.6

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1输出特性

图2传输特性

2.2

500

400

300

200

100

0

CRSS

西塞

1.8

V

GS

=4.5V

I

D

=2.5A

R

DS （ ON）

，导通电阻

归

C，电容（pF ）

1.4

1.0

0.6

0.2

0

-50

-25

0

25

50

TJ （ ° C）

科斯

0

5

10

15

20

25

30

75

100

125

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图3电容与漏极至源极

电压

图4导通电阻变化与

温度

1.3

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

-25

0

25

50

V

DS

=V

GS

I

D

=250uA

1.3

I

D

=250uA

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

-50 -25

75

100 125

0

25

50

75

100 125

TJ ，结温（ ° C）

图5栅极阈值电压的变化

随温度

图6击穿电压的变化

随温度

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

4/6

19-Sep-05

WTL2622

12

10

20

10

g

FS

，跨导（ S）

8

6

4

2

0

是，源极 - 漏极电流（ A）

1

0

V

DS

=5V

0

3

6

9

12

15

T

J

=25C

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

I

DS

，漏源电流（A ）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图7跨导变化

与漏极电流

图8体二极管的正向电压

变化与源电流

5

50

V

GS

，门源电压（ V）

4

3

2

1

0

V

DS

=4.5V

I

D

=2.5A

I

D

，漏电流（ A）

10

R

D

S

(O

L

N)

im

it

10

0m

s

ms

1

DC

1s

0.1

0.03

0.1

V

GS

=4.5V

单脉冲

Tc=25C

1

10

20

50

0.7 1.4

2.1

2.8

3.5

4.2

4.9

5.6

QG ，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源电压（V ）

图9栅极电荷

图10最大安全工作区

V

DD

t

on

V

IN

D

V

GS

R

根

G

90%

t

关闭

t

r

90%

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

倒

S

V

IN

50%

10%

50%

脉冲宽度

图11开关测试电路

图12开关波形

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

5/6

19-Sep-05

S T S 2622

S amHop微电子 ORP 。

F EB ， 25 2005年V er1.1

双数控hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管

P ODUC牛逼S UMMAR

V

DS S

20V

F ê乌尔（E S）

( m

W

）最大

I

D

2.5A

R

DS （ ON）

S UPER高密度电池设计低R

DS （ON

).

80 @ V

的s

= 4.5V

110 @ V

的s

= 2.5V

- [R ugged可靠。

TS OP 6包。

D1

D2

TS OP 6

顶视图

G1

S1

G2

1

2

3

6

5

4

D1

S2

D2

G1

S1

G2

S2

AB公司的OL UTE最大R阿婷（T

A

= 25℃ unles s otherwis 说明）

P ARAMETER

漏-S环境允许的电压

门-S环境允许的电压

漏光凭目前 -C ontinuous

a

@ T

c

=25 C

b

-P ulsed

漏-S环境允许的二极管正向光凭目前

a

最大P奥尔耗散

a

工作结点和S torage

温度法兰

S ymbol

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

, T

s TG

极限

20

10

2.5

8

1.25

1

-55到150

单位

V

A

W

C

第r MAL煤焦ACTE R是TICS

热 esistance ，结到环境

a

R

thJA

125

C / W

1

S T S 2622

LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T

A

= 25°C除非另有说明）

参数

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

BV

DS S

I

DS S

I

GS S

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

C

为s

C

OS s

C

RSS

c

S ymbol

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250uA

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

GS

= 10V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250uA

V

GS

= 4.5V ，我

D

=2A

V

GS

= 2.5V ，我

D

= 1A

V

DS

= 5V, V

GS

= 4.5V

V

DS

= 5V ，我

D

=2.5A

最小值典型值

C

最大单位

20

1

100

0.5

0.8

65

90

6

7

220

67

50

1.5

80

110

V

uA

nA

V

M-欧姆

对煤焦ACTE R是TICS

b

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老 esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

A

S

P

F

P

F

P

F

动态煤焦ACTE R是TICS

c

输入电容

输出电容

EVERSE传输电容

V

DS

=10V, V

GS

= 0V

F = 1.0MH

Z

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

DD

= 10V,

I

D

= 1A,

V

GS

= 4.5V,

R

GE

= 6

欧姆

10.2

8.3

13.5

12.7

4

ns

nC

V

DS

= 10V ，我

D

= 2.5A,

V

GS

=4.5V

1.5

0.7

2

S T S 2622

LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T

A

= 25°C除非另有说明）

参数

5

二极管的正向电压

S ymbol

V

SD

条件

V

GS

= 0V ，是= 1.25A

最小典型最大单位

0.84

1.2

V

C

DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS

b

笔记

A. urface安装在FR 4局，T 10秒。

b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

20

V

的s

=10V

16

V

的s

=4V

15

25 C

12

-55 C

V

的s

=4.5V

I

D

，排水光凭目前（A ）

I

D

，排水光凭目前（A ）

V

的s

=3V

12

T J = 125℃

9

6

8

V

的s

=2V

4

0

3

0

0.0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

0.6

1.2

1.8

2.4

3.0

3.6

V

DS

，漏到-S环境允许的电压（V ）

V

的s

地下吃到-S环境允许的电压（V）

F igure 1输出C haracteris抽动

2.2

500

400

300

200

100

RS s

0

5

10

15

20

25

30

0

C为S

F igure 2.跨FER haracteris抽动

V

的s

=4.5V

I

D

=2.5A

R

DS （ ON）

，在-R es是tance

归

1.8

1.4

1.0

0.6

0.2

C，C apacitance （PF ）

OS s

-50

-25

0

25

50

75

100 125

T J （ C）

V

DS

，汲极与S环境允许的电压（V ）

F igure 3. apacitance

F igure 4.在-R es是tance与变化

温度

3

S T S 2622

B V

DS S

归一化

漏-S环境允许B reakdown V oltage

V th时，归一化

摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50 -25

0

25

50

75

100 125

V

DS

=V

的s

I

D

=250uA

1.3

I

D

=250uA

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

-50 -25

0

25

50

75 100 125

T J ，J油膏牛逼emperature （ C）

以T emperature

12

F igure 6. B reakdown V oltage V ariation

以T emperature

20

g

F小号

，T失败者电导（ S）

8

6

4

2

0

3

6

9

V

DS

=5V

12

15

是，S环境允许的漏电流（ A）

10

1

0

0.4

0.8

1.2

1.6

T

J

=25 C

2.0

2.4

I

DS

，排水-S环境允许光凭目前（A ）

V

S.D。

，B ODY二极管F orward V oltage （ V）

F igure 7.牛逼失败者导V ariation

与排水光凭目前

5

I

D

，排水光凭目前（A ）

F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage

V ariation带S环境允许光凭目前

50

V

的s

，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）

4

3

2

1

0

V

DS

=4.5V

I

D

=2.5A

10

R

DS

(O

N

im

)L

it

10

0m

s

ms

11

DC

1s

0.1

0.03

V

的s

=4.5V

S英格尔P ulse

T C = 25°C

0.1

1

10

20

50

0.7 1.4 2.1 2.8 3.5 4.2 4.9 5.6

QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）

V

DS

，排水-S环境允许的V oltage （ V）

F igure 9.摹吃哈耶

F igure 10和最大S AFE

操作摄像区

4

S T S 2622

V

DD

t

on

t

关闭

t

r

90%

5

V

的s

R

GE

V

IN

D

G

R

L

V

OUT

t

D（上）

V

OUT

t

D（关闭）

90%

10%

t

f

10%

INVE TE

90%

S

V

IN

50%

10%

50%

P ULS e×宽度

F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit

10

F igure 12 S魔力波形

归一化瞬时

热阻

1

0.5

0.2

P

DM

t

1

on

0.1

0.05

0.02

1.

2.

3.

4.

t

2

0.01

0.00001

0.01

单脉冲

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

R

THJ一

（吨） = R （t）的R *

THJ一

R

THJ一

= S EE资料中HEET

T

M-

T

A

= P

DM

* R

THJ一

(t)

值班 ycle ，D = T

1

/t

2

100

1000

方波脉冲持续时间（秒）

归瞬态热阻抗曲线

5