数据表
SMV1231 - SMV1237 ：超突变调谐变容二极管
特点
高电容比
●
低串联电阻低相位噪声
●
多种封装SOT -23 ， SOD- 323 ， SC- 70和SC- 79
●
专为大批量商业应用
●
充分表征与SPICE模型
●
描述
该SMV1231 - SMV1237系列硅超突变结
变容二极管是专为使用VCO的低调谐电压
操作。这些变容二极管的低电阻使它们
适合于在无线系统和VCO高Q值的谐振器
超出2.5 GHz的频率。该SMV1231 - SMV1237系列
充分表征的电容和电阻在温度
真实存在。提供SPICE模型。
绝对最大额定值
特征
反向电压（V
R
)
正向电流（I
F
)
功耗（P
D
)
存储温度（T
ST
)
工作温度（T
OP
)
ESD人体模型
价值
15 V
20毫安
250毫瓦
-55 ° C至+150°C
-55 ° C至+125°C
1B类
新
Skyworks公司提供无铅（Pb ） - 免费“环境
友好“的包装，符合RoHS标准
（欧洲议会的限制
有害物质） 。
性能保证仅在在规格表中列出的条件，是
下的绝对最大规格所述的全范围（ S）不能保证。
超过任何绝对最大/最小规格的可导致永久
损坏设备，并会导致保修失效。
注意事项：
虽然此设备被设计成如作为鲁棒
可能的话，静电放电（ ESD ）可能会损坏
此设备。此设备必须在任何时候都受到保护
从ESD 。静电荷可以很容易地产生电位
几千伏，对人体tials或
设备，它可以排出而不被发现。
行业标准的ESD防范措施，必须采用
在任何时候。
Skyworks的解决方案，公司电话[ 781 ] 376-3000 传真[ 781 ] 376-3100 sales@skyworksinc.comwww.skyworksinc.com
200058版本C Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 二○○五年一月二十○日
1
数据表 SMV1231 - SMV1237
单身
SC-79
SMV1231-079
标记：阴极
单身
SOD-323
SMV1231-011
标记： JA
单身
SOT-23
共阳极
SOT-23
共阴极
SOT-23
SMV1231-004
标记： JA3
共阳极
SC-70
共阴极
SC-70
SMV1231-074
标记： JA3
SMV1231-074LF
标记： KA3
SMV1232-079
标记：阴极
SMV1232-011
标记： CC
SMV1232-004
SMV1232-074
标记： CC3
SMV1232-074LF
标记： DP3
SMV1233-079
标记：阴极
SMV1233-011
标记： VP
SMV1233-011LF
标记： DP
SMV1233-001
标记： VP1
SMV1233-003
标记： VP9
SMV1233-004
标记： VP3
SMV1233-073
标记： VP9
SMV1233-074
标记： VP3
SMV1234-079
标记：阴极
SMV1234-079LF
标记：阴极
SMV1235-079
标记：阴极
SMV1234-011
标记： VQ
SMV1234-011LF
标记： DQ
SMV1235-011
标记： VR
SMV1234-001
标记： VQ1
SMV1234-003
标记： VQ9
SMV1234-004
标记： VQ3
SMV1234-073
标记： VQ9
SMV1234-074
标记： VQ3
SMV1235-001
标记： VR1
SMV1235-004
标记： VR3
SMV1235-004LF
标记： DR3
SMV1235-074
标记： VR3
SMV1235-011LF
标记： DR
SMV1236-079
标记：阴极
SMV1236-079LF
标记：阴极
SMV1236-011
标记： AQ
SMV1236-011LF
标记： DQ
SMV1237-001
标记： VT1
L
S
= 0.7 nH的
L
S
= 1.5 nH的
L
S
= 1.5 nH的
L
S
= 1.5 nH的
LF表示铅（Pb ） - 免费的包装选项来替代我们的标准
锡/铅（Sn / Pb）的包装。
SMV1236-001
标记： AQ1
SMV1236-004
标记： AQ3
SMV1236-004LF
标记： EQ3
SMV1237-004
标记： VT3
L
S
= 1.5 nH的
L
S
= 1.4 nH的
SMV1236-074
标记： AQ3
SMV1237-074
标记： VT3
L
S
= 1.4 nH的
电气规格在25℃
部分
数
SMV1231
SMV1232
SMV1233
SMV1234
SMV1235
SMV1236
SMV1237
C
T
@ 1 V
（PF ）
分钟。
1.43
2.34
3.00
5.85
10.35
15.50
45.00
马克斯。
1.72
2.86
3.60
7.15
12.65
18.50
54.00
C
T
@3V
（PF ）
典型值。
0.97
1.5
1.8
3.6
6.4
9.2
26.9
C
T
@6V
（PF ）
典型值。
0.61
0.94
1.10
2.00
3.60
5.30
14.40
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.6
1.6
1.6
1.6
C
T
@ 1 V
C
T
@ 3 V
（比）
马克斯。
1.8
1.9
1.9
2.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.6
2.6
2.8
2.9
3.0
3.0
C
T
@ 1 V
C
T
@ 6 V
（比）
分钟。
马克斯。
2.8
3.3
3.3
3.4
3.4
3.5
3.5
R
S
@ 3 V
500兆赫
()
马克斯。
2.90
1.50
1.20
0.80
0.60
0.50
0.25
Q
@3V
50兆赫
典型值。
1500
1400
1200
1000
750
700
500
经过测试，在-079包。
反向电压V
R
(I
R
= 10
A):
15 V最小。
反向电流I
R
(V
R
= 12 V） ： 20 nA（最大值） 。
Skyworks的解决方案，公司电话[ 781 ] 376-3000 传真[ 781 ] 376-3100 sales@skyworksinc.comwww.skyworksinc.com
2
2005年1月20日 Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 200058版本C
数据表 SMV1231 - SMV1237
典型性能数据
100.0
SMV1237
SMV1236
SMV1235
3
SMV1231
电容（pF）
10.0
2
R
S
()
SMV1232
SMV1233
SMV1234
SMV1235
1.0
1
SMV1231
SMV1234
SMV1233
SMV1232
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
0
SMV1236
SMV1237
1
2
3
4
5
0.1
反向电压（ V）
反向电压（ V）
电容与反向电压
串联电阻与反向电压
@ 500 MHz的
10
8
5
4
百分比变化（ ％ ）
百分比变化（ ％ ）
V
R
= 3 V
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-40
-20
0
20
40
60
80
V
R
= 1 V
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-40
-20
0
20
40
60
80
温度（℃）
温度（℃）
相对电容变化
与温度的关系
相对串联电阻变化
与温度@ 500 MHz的
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3
数据表 SMV1231 - SMV1237
典型电容值
SMV1231
V
R
(V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
C
T
（PF ）
2.350
1.870
1.580
1.400
1.220
1.090
0.970
0.882
0.794
0.732
0.683
0.648
0.613
0.590
0.567
0.551
0.534
0.512
0.497
0.492
0.487
0.480
0.472
0.466
SMV1232
C
T
（PF ）
4.15
3.22
2.67
2.28
1.97
1.72
1.51
1.35
1.22
1.13
1.05
0.99
0.94
0.90
0.86
0.84
0.81
0.78
0.76
0.75
0.74
0.73
0.73
0.72
SMV1233
C
T
（PF ）
5.08
3.95
3.28
2.80
2.41
2.09
1.82
1.62
1.45
1.33
1.24
1.16
1.10
1.05
1.01
0.98
0.96
0.92
0.90
0.88
0.87
0.86
0.85
0.84
SMV1234
C
T
（PF ）
9.63
7.53
6.28
5.39
4.68
4.09
3.58
3.15
2.81
2.54
2.32
2.15
2.02
1.90
1.80
1.72
1.65
1.55
1.47
1.42
1.38
1.35
1.33
1.32
SMV1235
C
T
（PF ）
18.22
14.12
11.67
9.91
8.52
7.36
6.40
5.62
4.99
4.50
4.11
3.80
3.55
3.34
3.17
3.03
2.91
2.73
2.61
2.53
2.47
2.43
2.40
2.38
SMV1236
C
T
（PF ）
26.75
20.61
17.02
14.38
12.29
10.56
9.16
8.04
7.19
6.53
6.01
5.61
5.28
5.02
4.81
4.64
4.49
4.28
4.13
4.02
3.95
3.89
3.84
3.80
SMV1237
C
T
（PF ）
71.82
56.10
46.89
40.33
35.13
30.71
26.87
23.57
20.83
18.62
16.87
15.48
14.36
13.46
12.72
12.11
11.61
10.87
10.38
10.06
9.84
9.68
9.56
9.47
SPICE模型
PORT
P_anode
端口= 1
IND
L
S
L = L
S
DIODEM
Diode_Model
I
S
= 1.00e-14
R
S
= 0
N=1
T
T
= 0
C
JO
= C
JO
M=M
V
J
= V
J
E
G
= 1.11
X
TI
= 3
K
F
=0
A
F
=1
F
C
= 0.5
B
V
= 0
I
BV
= 1e-3
I
SR
= 0
N
R
= 2
I
KF
= 0
N
BV
= 1
I
BVL
= 0
N
BVL
= 1
T
BV1
= 0
T
喃
= 27
F
FE
= 1
部分
数
SMV1231
SMV1232
SMV1233
SMV1234
SMV1235
SMV1236
SMV1237
C
JO
（PF ）
–
4.20
4.12
8.75
16.13
21.63
66.16
V
J
(V)
1.5
1.7
1.7
2.3
8.0
8.0
10.0
M
0.8
0.9
0.9
1.1
4.0
4.2
5.3
C
P
（PF ）
0.0
0.0
0.7
1.2
2.0
3.2
9.0
R
S
()
2.50
1.50
1.20
0.80
0.60
0.50
0.25
水库
R
S
R = R
S
二极管
Varactor_Diode
面积= 1
MODEL = Diode_Model
MODE =非线性
帽
C
P
C = C
P
1.价值观从实测性能提取。
2.封装电感（L
S
）指封装类型。
3，欲了解更多详细信息，请参阅“变容二极管SPICE模型RF VCO应用”
应用笔记。
PORT
P_Cathode
端口= 2
Skyworks的解决方案，公司电话[ 781 ] 376-3000 传真[ 781 ] 376-3100 sales@skyworksinc.comwww.skyworksinc.com
4
2005年1月20日 Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 200058版本C
数据表 SMV1231 - SMV1237
推荐的回流焊曲线
廓特征
平均升温速率（T
L
给T
P
)
预热
最低温度。 （T
SMIN
)
最高温度。 （T
SMAX
)
时间（分钟至最大） （TS）
T
SMAX
给T
L
升温速率
时间保持高于：
温度（T
L
)
时间（t
L
)
峰值温度（T
P
)
时间在5℃的实际峰值温度（Tp ）
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度
锡铅共晶组件
3 ° C /秒。
100 °C
150 °C
60-120秒
—
183 °C
60 150秒
240 +0/-5 °C
10-30秒
6 ° C /秒。
6分钟最多。
铅（Pb ） - 免费装配100 ％锡
3 ° C /秒。
150 °C
200 °C
60-80秒
3 ° C /秒。
217 °C
60 150秒
250 +0/-5 °C
20-40秒
6 ° C /秒。
最多8分钟。
所有温度是指包装的顶面，在封装体的表面进行测量。
参考JEDEC J- STD-020C标准。
T
P
t
p
关键区域
T
L
给T
L
T
L
I
L
T
SMAX
温度
T
SMIN
t
s
预热
25 C
吨25 ° C到峰值
时间
参考JEDEC J- STD- 020
Skyworks的解决方案，公司电话[ 781 ] 376-3000 传真[ 781 ] 376-3100 sales@skyworksinc.comwww.skyworksinc.com
200058版本C Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 二○○五年一月二十○日
5
超突变调谐变容二极管
SMV1232–SMV1237
特点
s
高电容比，
C
1 V
/C
3 V
= 1.8, C
1 V
/C
6 V
= 3.1
s
低串联电阻低
相位噪声
s
多个包SOT -23 ， SOD- 323 ，
SC-70和SC -79
s
专为大批量商业
应用
s
充分表征与SPICE模型
描述
该SMV1232 - SMV1237系列硅超突变的
结变容二极管是专为应用在VCO与使用
低调谐电压操作。这些低电阻
变容二极管使得它们适用于高Q值谐振器
在无线系统中的VCO超出2.5 GHz的频率。
该SMV1232 - SMV1237系列完全表征
电容和电阻随温度。 SPICE模型
提供。
绝对最大额定值
特征
反向电压（V
R
)
正向电流（I
F
)
功耗（P
D
)
存储温度（T
ST
)
工作温度（T
OP
)
ESD人体模型
价值
15 V
20毫安
250毫瓦
-55 ° C至+ 150°C
-55 ° C至+ 125°C
1B类
单身
SC-79
o
SMV1232-079
o
SMV1233-079
o
SMV1234-079
o
SMV1235-079
o
SMV1236-079
L
S
= 0.7 nH的
单身
SOD-323
o
SMV1232-011
o
SMV1233-011
o
SMV1234-011
o
SMV1235-011
o
SMV1236-011
L
S
= 1.5 nH的
单身
SOT-23
o
SMV1233-001
o
SMV1234-001
o
SMV1235-001
o
SMV1236-001
o
SMV1237-001
L
S
= 1.5 nH的
共阳极
SOT-23
o
SMV1233-003
o
SMV1234-003
共阴极
SOT-23
o
SMV1233-004
o
SMV1234-004
o
SMV1235-004
o
SMV1236-004
o
SMV1237-004
共阳极
SC-70
o
SMV1233-073
o
SMV1234-073
共阴极
SC-70
o
SMV1232-074
o
SMV1233-074
o
SMV1234-074
o
SMV1235-074
o
SMV1236-074
L
S
= 1.5 nH的
L
S
= 1.5 nH的
L
S
= 1.4 nH的
L
S
= 1.4 nH的
o
通过分销。
对于其他的包或配置，请与工厂联系。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更，恕不另行通知。 6 / 99A
1
超突变调谐变容二极管
SMV1232–SMV1237
典型电容值
SMV1232
V
R
(V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
C
T
（PF ）
4.15
3.22
2.67
2.28
1.97
1.72
1.51
1.35
1.22
1.13
1.05
0.99
0.94
0.90
0.86
0.84
0.81
0.78
0.76
0.75
0.74
0.73
0.73
0.72
SMV1233
C
T
（PF ）
5.08
3.95
3.28
2.80
2.41
2.09
1.82
1.62
1.45
1.33
1.24
1.16
1.10
1.05
1.01
0.98
0.96
0.92
0.90
0.88
0.87
0.86
0.85
0.84
SMV1234
C
T
（PF ）
9.63
7.53
6.28
5.39
4.68
4.09
3.58
3.15
2.81
2.54
2.32
2.15
2.02
1.90
1.80
1.72
1.65
1.55
1.47
1.42
1.38
1.35
1.33
1.32
SMV1235
C
T
（PF ）
18.22
14.12
11.67
9.91
8.52
7.36
6.40
5.62
4.99
4.50
4.11
3.80
3.55
3.34
3.17
3.03
2.91
2.73
2.61
2.53
2.47
2.43
2.40
2.38
SMV1236
C
T
（PF ）
26.75
20.61
17.02
14.38
12.29
10.56
9.16
8.04
7.19
6.53
6.01
5.61
5.28
5.02
4.81
4.64
4.49
4.28
4.13
4.02
3.95
3.89
3.84
3.80
SMV1237
C
T
（PF ）
71.82
56.10
46.89
40.33
35.13
30.71
26.87
23.57
20.83
18.62
16.87
15.48
14.36
13.46
12.72
12.11
11.61
10.87
10.38
10.06
9.84
9.68
9.56
9.47
SPICE模型
PORT
P_anode
端口= 1
IND
L
S
L = L
S
DIODEM
Diode_Model
I
S
= 1.00e-14
R
S
= 0
N=1
T
T
= 0
C
JO
= C
JO
M=M
E
G
= 1.11
X
TI
= 3
K
F
=0
A
F
=1
F
C
= 0.5
B
V
= 0
I
BV
= 1e-3
I
SR
= 0
N
R
= 2
I
KF
= 0
N
BV
= 1
I
BVL
= 0
N
BVL
= 1
T
BV1
= 0
T
喃
= 27
F
FE
= 1
部分
数
SMV1232
SMV1233
SMV1234
SMV1235
SMV1236
SMV1237
C
JO
（PF ）
4.20
4.12
8.75
16.13
21.63
66.16
V
J
(V)
1.7
1.7
2.3
8.0
8.0
10.0
M
0.9
0.9
1.1
4.0
4.2
5.3
C
P
（PF ）
0.0
0.7
1.2
2.0
3.2
9.0
R
S
()
1.50
1.20
0.80
0.60
0.50
0.25
水库
R
S
R = R
S
二极管
Varactor_Diode
面积= 1
MODEL = Diode_Model
MODE =非线性
帽
C
P
C = C
P
1.价值观从实测性能提取。
2.封装电感（L
S
）指封装类型。
3，欲了解更多详细信息，请参阅“变容二极管SPICE模型RF VCO
应用程序“应用笔记。
PORT
P_Cathode
端口= 2
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