【STS11NF30LN沟道30V - 0.0085Ω - 11A型SO-8低栅电荷的STripFET】,IC型号STS11NF30L,STS11NF30L PDF资料,STS11NF30L经销商,ic,电子元器件-51电子网

STS11NF30L

N沟道30V - 0.0085Ω - 11A型SO-8

低栅电荷的STripFET II功率MOSFET

一般特点

TYPE

STS11NF30L

■

DSS

30V

DS （ ON）

<0.009

11A

最优

（上） X的Qg权衡

传导损耗而有所降低

S0-8

描述

这是功率MOSFET的最新发展

STMicroelectronis独特"Single特征大小 "

条形基础的过程。由此产生的晶体管

显示了极高的堆积密度低导通

性，坚固耐用的雪崩特性和

因此不太严格的对准步骤

卓越的制造重复性。

内部原理图

应用

■

开关应用

订购代码

产品型号

STS11NF30L

记号

11F30L-

包

SO-8

包装

磁带&卷轴

2007年1月

转11

1/12

www.st.com

STS11NF30L

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

电特性（曲线）

............................ 6

测试电路

................................................ 8

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 9

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 11

2/12

STS11NF30L

电气额定值

表1中。

符号

D(1)

DM(2)

合计

dv / dt的

(3)

英镑

绝对最大额定值

参数

漏源电压（V

= 0)

栅源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

峰值二极管恢复电压斜率

工作结温

储存温度

价值

± 18

2.5

0.02

5.5

-55到150

150

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

1.电流限制由包

2.脉冲宽度有限的安全工作区

3. I

≤

如图11A所示， di / dt的

≤

370A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

, T

≤

JMAX

表2中。

THJ -A

热数据

热阻结到环境

最大

(1)

最大无铅焊接温度的

用途

150

° C / W

°C

1.当安装在1英寸

FR-4板， 2盎司Cu和吨的

[

10秒

3/12

电气特性

STS11NF30L

电气特性

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表3中。

符号

（ BR ） DSS

开/关状态

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= 250 μA ，V

= 0

=最大额定值

=最大额定值，

=125°C

= ± 18V

= V

, I

= 250A

= 10V ，我

= 5.5A

= 5V ，我

= 5.5A

0.0085 0.0105

0.0145 0.0190

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

表4 。

符号

飞秒（1）

国际空间站

OSS

RSS

动态

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 15V ，我

= 11A,

=5V

= 25V ， F = 1MHz时，

= 0

测试条件

= 25V

=5.5A

分钟。

典型值。

1440

560

135

22.5

马克斯。

单位

1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 。

表5 。

符号

D（上）

D（关闭）

开关时间

参数

导通延迟时间

上升时间

测试条件

= 15 V，I

=5.5A,

=4.7, V

= 5V

（参见图13）

= 15V ，我

= 5.5A,

= 4.7, V

= 5V

（参见图13）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

关断延迟时间

下降时间

4/12

STS11NF30L

表6 。

符号

SDM （1）

的SD （2）

RRM

电气特性

源漏二极管

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 11A ，V

= 0

= 11A ，V

= 20V

的di / dt = 100A / μs的，

= 150°C

（参见图15）

2.5

测试条件

民

典型值。

最大

1.2

单位

1.脉冲宽度有限的安全工作区。

2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％

5/12

STS11NF30L

N沟道30V - 0.009

- 11A SO- 8

低栅电荷的STripFET 功率MOSFET

初步数据

TYPE

STS11NF30L

DSS

30 V

DS （ ON）

< 0.012

11 A

典型

DS （ ON）

= 0.014

@ 5V

典型的Q

= 19 NC @ 4.5V

最优

DS （ ON）

X Q

权衡

传导损耗而有所降低

开关损耗而有所降低

描述

此应用程序特定的功率MOSFET是第三

代意法半导体独有的“单

特征尺寸

“条形基础的过程。该resul-

婷晶体管显示之间的最佳平衡点

导通电阻和栅极电荷。当用作

高，低侧降压稳压器，它给人的

在两个传导方面的最佳性能和

开关损耗。这是极其重要的

其中，主板快速开关和高艾菲

效率是非常重要的。

应用

专门设计和

优化高效率的CPU

CORE DC / DC转换器，用于移动

个

SO-8

内部原理图

绝对最大额定值

SYMB OL

DGR

参数

漏源电压（V

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

摹吃 - 源极电压

漏电流（连续）在Tc = 25

漏电流（连续）在T

= 100

漏电流（脉冲）

牛逼otal耗散在T

= 25

价值

2.5

取消它

(

)

合计

（）脉冲宽度有限的安全工作区

2000年4月

1/6

STS11NF30L

热数据

THJ -amb

s TG

（ * ）热阻结到环境

最大工作结牛逼emperature

储存温度

150

-65到150

C / W

（*）安装在FR-4板（叔

≤ 10秒）

电气特性

例

= 25

C除非另有说明）

关闭

Symbo升

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

测试刀豆ditions

= 250

= 0

分钟。

100

典型值。

马克斯。

单位

=最大额定值

零栅极电压

漏电流（V

= 0) V

=最大额定值

门体漏

电流（V

= 0)

20 V

= 125 C

ON （

)

Symbo升

GS （ TH）

DS （ ON）

D（ 0：N ）

参数

栅极阈值电压V

= V

静态漏源

阻力

在国家漏极电流

= 10 V

= 5 V

测试刀豆ditions

= 250

= 5.5 A

分钟。

0.009

0.014

0.012

0.0185

典型值。

马克斯。

单位

＆ GT ;我

D（ 0：N ）

个R

DS （ ON）马X

= 10 V

动态

Symbo升

F小号

()

国际空间站

OS s

RSS

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试刀豆ditions

＆ GT ;我

D（ 0：N ）

个R

DS （ ON）马X

= 25 V

F = 1 MHz的

= 5.5 A

= 0 V

分钟。

典型值。

1650

800

170

马克斯。

单位

2/6

STS11NF30L

电气特性

（续）

接通

Symbo升

D（上）

参数

导通延时T IME

上升时间

总摹吃费

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试刀豆ditions

= 15 V

= 5.5 A

= 4.7

= 4.5 V

（阻性负载，请参阅图3 ）

= 24 V

= 11 A

= 4.5 V

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

关闭

Symbo升

（六中）D

参数

关断延时T IME

秋季牛逼IME

测试刀豆ditions

= 24 V I

= 5.5 A

= 4.7

= 4.5 V

（阻性负载，请参阅图3 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

源漏二极管

Symbo升

SDM

(

)

(

)

RRM

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

反向恢复

时间

反向恢复

收费

反向恢复

当前

= 11 A

= 0

105

2.4

= 11 A

的di / dt = 100 A / μs的

= 150

= 15 V

（阻性负载，请参阅图5 ）

测试刀豆ditions

分钟。

典型值。

马克斯。

1.5

单位

（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

(

）脉冲宽度有限的安全工作区

3/6

STS11NF30L

图。 1 ：

非钳位电感负载测试电路

图。 2 ：

非钳位感应波形

图。 3 ：

开关时间测试电路，用于

阻性负载

图。 4 ：

栅极电荷测试电路

图。 5 ：

测试电路感应负载开关

和二极管恢复时间

4/6

STS11NF30L

SO- 8机械数据

DIM 。

分钟。

3.8

0.4

4.8

5.8

1.27

3.81

4.0

1.27

0.6

图8（最大）

0.14

0.015

5.0

6.2

0.65

0.35

0.19

0.25

0.1

典型值。

马克斯。

1.75

0.25

1.65

0.85

0.48

0.25

0.5

45 （典型值）。

0.188

0.228

0.050

0.150

0.157

0.050

0.023

0.196

0.244

0.025

0.013

0.007

0.010

0.003

分钟。

寸

典型值。

马克斯。

0.068

0.009

0.064

0.033

0.018

0.010

0.019

0016023

5/6