产品说明
该Sirenza的Microdevices公司STQ - 2016-3是一种直接正交
调制器针对W-CDMA中的应用程序使用。这
器件具有700-2500 MHz工作频率的频段,
优良的载波和边带抑制,以及一个低基础广泛
带底噪声。
该STQ - 2016-3采用硅锗(SiGe )设备
技术,可以实现-11 dBm的典型信道功率
与相邻信道功率小于-65 dBc的。数字
输入关机功能包括,在启用后,
衰减了60分贝输出。该器件封装在一个
行业标准的16引脚TSSOP ,带有裸焊盘的
一流的射频和热地。该STQ - 2016-3Z是封装
年龄在符合RoHS标准,绿色16引脚TSSOP与
雾锡完成。
STQ-2016-3
STQ-2016-3Z
Pb
符合RoHS
&放大器;
绿色
包
700-2500兆赫直接正交调制器
16引脚TSSOP封装,带有裸焊盘接地
封装尺寸: 0.197 X 0.252英寸, ( 5.0× 6.4毫米),
包装高度: 0.039英寸(1.0 MM)
产品特点
功能框图
BBQP
VCC
VEE
垂耳
LON
VEE
SD
BBIP
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
BBQN
VCC
VEE
RFP
RFN
VEE
VCC
BBIN
分钟。
-13
典型值。
-11
0.25
-65
-75
-75
-157
79
81
优秀的载波馈通, -40 dBm的不断
输出功率
+4.0 dBm的输出P1dB为
宽基带输入, DC - 500 MHz的
极好的相位精度和幅度平衡,
± 0.5度/ ± 0.2分贝
极低的本底噪声, -157 dBm / Hz计
ACP低, -65 dBc的
LO
QUADRATURE
发电机
应用
W-CDMA的发送器
1930-1990兆赫
分钟。
-14.5
典型值。
-12.5
0.25
-65
-73
-73
-157
77
79
马克斯。
-10.5
0.5
-63
-68
-68
-156
76
2110至70年兆赫
分钟。
-15
典型值。
-13
0.25
-65
-73
-73
-156
78
马克斯。
-11
0.5
-63
-68
-68
-155
类型*
E
C,D
E
C,D
C,D
C,D
C,D
产品规格 - W- CDMA调制
(请参阅表1试验条件)
869-894兆赫
参数
信道功率
功率平坦度
邻道功率
科幻RST备用通道
动力
第二备用通道
动力
宽带本底噪声
信噪比
60 MHz的偏离
支架
噪声偏移: 60兆赫,
测得在一个3.84MHz的
带宽
评论
通过保证
输出功率试验,
第2页中指定
在整个频范围
频率带宽
通过保证
指定IM3测试
第2页
单位
DBM
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBm / Hz计
dB
马克斯。
-9
0.5
-63
-68
-68
-156
*类型定义: A = 100 %测试(见表2的条件) , B =样品进行测试,C =特点在整个温度范围内的样本
和Vcc时, D =设计参数, E = 100 %通过相关CW参数, I =输入设备测试规范。
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,恕不另行通知。
没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品在使用中
生命支持设备和/或系统。
版权所有2001 Sirenza的Microdevices公司,公司全球版权所有。
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德,CO 80021
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 104229修订版B
STQ - 2016-3直接正交调制器
产品规格 - 参数变化, W- CDMA调制
(
请参考表1试验条件)
工作电压(V )
参数
信道功率
邻道功率
第一备用信道功率
第二备用信道功率
宽带本底噪声
信噪比
从载波60 MHz偏移
温度。 ( ℃)
5.25
-12.95
-65.4
-72.9
-72.9
-40
-12.15
-64.95
-75.1
-75.4
+25
-13
-65
-73
-73
-156
78
+85
-13.50
-65.25
-72.9
-72.5
-155.4
77
类型*
C,D
C,D
C,D
C,D
C,D
C,D
评论
单位
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dBm / Hz计
dB
4.75
-13.05
-64.3
-72.9
-73.25
-156.3
77.8
5.0
-13
-65
-73
-73
-156
78
-155.95 -156.25
77.8
79
噪声偏移: 60兆赫,
测得在一个3.84MHz的
带宽
产品规格 - 参数变化, W- CDMA调制
(请参阅表1试验条件)
LO驱动器( DBM)
参数
信道功率
邻道功率
第一备用信道功率
第二备用信道功率
宽带本底噪声
信噪比
从载波60 MHz偏移
I / Q驱动器(VPP ,差** )
+7
1.0
-16.7
-68.7
-68.3
-67.3
-156.7
75
1.7
-13
-65
-73
-73
-156
78
2.5
-10.2
-58.6
-74.7
-73.7
-155.2
80
类型*
C,D
C,D
C,D
C,D
C,D
C,D
评论
单位
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
-1
-13.05
-65.75
-72.3
-72.3
+3
-13
-65
-73
-73
-156
78
-12.95
-64.5
-73.1
-73.05
-156.4
78.3
dBm / Hz表示-155.25
dB
77.5
噪声偏移: 60兆赫,
测得在一个3.84MHz的
带宽
产品规格 - 射频输出, CW调制
(见表2测试条件)
700-1000兆赫
参数
RF频率范围
输出功率
RF端口回波损耗
输出P1dB为
载波馈通
边带抑制
IM3抑制
正交相位误差
I / Q幅度平衡
电源电压(VCC )
电源电流
器件热阻
结案件
双音基带输入@ 1.2Vp -P differ-
每个音无穷区间
匹配到50Ω (参见原理图上
14和15页)
( I / Q输入= 3.74 Vp-p的差分典型值)
其他测试条件/评论
单位
兆赫
DBM
dB
DBM
DBM
dB
dB
度。
dB
V
mA
摄氏度/ W
34
46
-2
-0.2
+4.75
60
+3.0
分钟。
700
-13
-10.5
20
+4.0
-40
40
50
±0.5
±0.05
+5
73
25
+2
+0.2
-34
34
47
-2
-0.2
0
典型值。
马克斯。
1000
-9.0
2500至00年兆赫
分钟。
1700
-13
-11.5
16
+3.0
-40
40
53
±0.5
±0.05
+5
73
25
+2
+0.2
+5.25
86
-32
典型值。
马克斯。
2500
-9
类型*
A
A,C
D
A,C
A,C
A,C
A,C
D
D
I
A
D
+5.25 +4.75
86
60
*类型定义: A = 100 %测试(见表2的条件) , B =样品进行测试,C =特点在整个温度范围内的样本
和Vcc时, D =设计参数, E = 100 %通过相关CW参数, I =输入设备测试规范。
303 S.科技法庭,布鲁姆菲尔德,CO 80021
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
2
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EDS - 104229修订版B
STQ - 2016-3直接正交调制器
产品规格 - LO输入
参数
LO频率
LO驱动电平
LO端口回波损耗
推荐/最佳水平
匹配到50Ω (参见原理图页
12)
其他测试条件/评论
单位
兆赫
DBM
dB
分钟。
700
-1
+3
16
典型值。
马克斯。
2500
+7
类型*
I
I
D
产品规格 - 关断输入(引脚7 )
参数
关断电流
关机衰减
关机引脚电阻
关机引脚电容
关机控制
阈值电压
关机建立时间
@ 1MHz的
@ 1MHz的
关机禁用(正常工作)
关机启用
其他测试条件/评论
单位
mA
dB
千欧
pF
V
V
ns
3.75
0.0
<450
分钟。
典型值。
42
60
11.9
5.2
VCC
1.5
马克斯。
60
类型*
A
D
D
D
I
I
D
产品规格 - 基带调制输入
参数
基带频率输入
基带输入电阻
基带输入电容
其他测试条件/评论
-3dB带宽,基带输入termi-
经过NAT在50欧姆
每个引脚
每个引脚
单位
兆赫
千欧
pF
分钟。
DC
4.4
0.5
典型值。
马克斯。
500
类型*
I
D
D
*类型定义: A = 100 %测试(见表2的条件) , B =样品进行测试,C =特点在整个温度范围内的样本
和Vcc时, D =设计参数, E = 100 %通过相关CW参数, I =输入设备测试规范。
**峰 - 峰值差分(VPP ,差)基带电压的定义:
1.5
1
VPP
0.5
Vp
I
0
0.5
1
V
0
100
200
pp
,
差异
400
SA MP LES
2
VPP
500
600
700
800
1.5
300
单端W- CDMA基带信号的情节( BBIP )
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
3
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EDS - 104229修订版B
STQ - 2016-3直接正交调制器
表1 W-CDMA的测试条件
(除非另有说明)
V
CC
(引脚2,10,15 )
T
A
基带输入
(引脚1 , 8 , 9 , 16 )
LO输入
(引脚4,5)
+5V
+25C
1.9V直流偏置, W- CDMA试验模型1 W /
64 DPCH ( PAR = 10.54 )元, 850mVp -P
引脚= 1.7 Vp-p的差分驱动器, I和Q
正交信号
+4.0 dBm的@ 2140 MHz的
表2. CW测试条件
(对于所有的产品规格,除非另有说明)
V
CC
(引脚2,10,15 )
T
A
基带输入
(引脚1 , 8 , 9 , 16 )
LO输入
(引脚4,5)
+5V
+25C
1.9V的直流偏置, 200kHz的频
昆西,每针300 MVP -P =
600 MVP -P差分驱动,我
正交信号和Q信号
-5 dBm的@ 1960 MHz的
引脚输出说明
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
BBQP
VCC
VEE
垂耳
LON
VEE
SD
BBIP
BBIN
VCC
VEE
RFN
RFP
VEE
VCC
BBQN
描述
Q信道的基带输入,正极端子
正电源( + 5V )
地
本地振荡器输入,正端
本地振荡器输入端,负端
地
关机控制
I信道的基带输入,正极端子
I信道的基带输入,负端
正电源( + 5V )
地
RF输出端,负端
RF输出,正端
地
正电源( + 5V )
Q信道的基带输入,负端
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
额定直流电压为2.4V 。输出应该是交流耦合。
额定直流电压为2.4V 。输出应该是交流耦合。
逻辑高=正常运行;
逻辑低=关机功能。
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
额定直流电压为2.0V 。输入应该是交流耦合。
额定直流电压为2.0V 。输入应该是交流耦合。
其他评论
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
绝对最大额定值
参数
电源电压(VCC )
LO , RF输入( LOP , LON , RFP , RFN )
闵基带输入电压
( BBIP , BBIN , BBQP , BBQN )
基带最大输入电压
( BBIP , BBIN , BBQP , BBQN )
工作温度
储存温度
价值
6.0
+10
0
3
-40至+85
-65到+150
单位
V
DC
DBM
V
DC
V
DC
C
C
产品型号订购信息
设备/卷
产品型号
STQ-2016-3
STQ-2016-3Z
带尺寸
7”
7”
分钟。
500
500
马克斯。
1000
1000
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
装置的电压和电流必须不超过最大工作
阿婷1页表中指定的值。
注意: ESD敏感
在搬运,包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
4
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EDS - 104229修订版B
典型的设备性能图
基带信号: W- CDMA试验模型1瓦特/ 64 DPCH ,
峰均比= 10.54
STQ - 2016-3直接正交调制器
宽带本底噪声
15
150
0
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
15 0
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
152
2
15
15 2
154
4
15
15 4
156
6
15
15 6
158
15 8
6
6
15 8
0
2
4
2
0
2
LO驱动电平(dBm )
LO驱动电平(D BM)
I / Q驱动器= 1 VPP ,差。
I / Q驱动器= 1 V峰峰值,差。
I / Q驱动器= 2 Vpp的,比较差异。
I / Q驱动器
VPP ,差。
I / Q驱动器= 3
= 2 V峰峰值,差。
I / Q驱动器
VPP ,差。
I / Q驱动器= 4
= 3 V峰峰值,差。
4
4
2
4
6
6
8
1
1.5
8
2
2.5
3
智商驱动电平(V PP ,差)
3.5
4
I / Q驱动器= 4 V峰峰值,差。
LO
LO
LO
LO
LO
里沃=
里沃=
里沃=
里沃=
里沃=
-5 dBm的
-2 dBm的
-1 dBm的
4分贝米
7分贝米
图1 。
宽带本底噪声( 60 MHz偏移)比。 LO
驱动电平, LO频率= 2140 MHz的。
图2中。
宽带本底噪声( 60 MHz偏移)比。 I / Q
驱动电平, LO频率= 2140 MHz的。
156
156
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
156.5
156.5
157
157
157.5
157.5
158
4.7
4.8
4.9
5
VCC( VDC)的
5.1
5.2
158
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
智商驱动电平(VPP ,差)
1.9
I / Q驱动器= 1.5 Vpp的,比较差异。
I / Q驱动器= 1.7 Vpp的,比较差异。
I / Q驱动器= 1.9 Vpp的,比较差异。
VCC = 4.75 V
VCC = 5.00 V
VCC = 5.25 V
网络连接gure 3 。
宽带本底噪声( 60 MHz偏移)比。
VCC , LO驱动器= 4.0 dBm的@ 2140兆赫。
图4中。
宽带本底噪声( 60 MHz偏移)比。 I / Q驱动器
的水平,超过VCC范围, LO驱动器= 4.0 dBm的@ 2140兆赫。
156
156
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
156.5
156.5
157
157
157.5
157.5
158
158
50
0
50
温度( ℃)
100
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
智商驱动电平(VPP ,差)
1.9
I / Q驱动器= 1.5 Vpp的,比较差异。
I / Q驱动器= 1.7 Vpp的,比较差异。
I / Q驱动器= 1.9 Vpp的,比较差异。
温度= -40 °。
温度= 25 °。
温度= 85 °。
图5中。
宽带本底噪声( 60 MHz偏移)比。
温度, LO驱动器= 4.0 dBm的@ 2140兆赫。
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图6 。
宽带本底噪声( 60 MHz偏移)比。 I / Q驱动器
等级,过温, LO驱动器= 4.0 dBm的@ 2140兆赫。
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电话: ( 800 ) SMI- MMIC
5
产品说明
该Sirenza的Microdevices公司STQ - 2016-3是一种直接正交
调制器针对W-CDMA中的应用程序使用。这
器件具有700-2500 MHz工作频率的频段,
优良的载波和边带抑制,以及一个低基础广泛
带底噪声。
该STQ - 2016-3采用硅锗(SiGe )设备
技术,可以实现-11 dBm的典型信道功率
与相邻信道功率小于-65 dBc的。数字
输入关机功能包括,在启用后,
衰减了60分贝输出。该器件封装在一个
行业标准的16引脚TSSOP ,带有裸焊盘的
一流的射频和热地。该STQ - 2016-3Z是封装
年龄在符合RoHS标准,绿色16引脚TSSOP与
雾锡完成。
STQ-2016-3
STQ-2016-3Z
Pb
符合RoHS
&放大器;
绿色
包
700-2500兆赫直接正交调制器
16引脚TSSOP封装,带有裸焊盘接地
封装尺寸: 0.197 X 0.252英寸, ( 5.0× 6.4毫米),
包装高度: 0.039英寸(1.0 MM)
产品特点
功能框图
BBQP
VCC
VEE
垂耳
LON
VEE
SD
BBIP
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
BBQN
VCC
VEE
RFP
RFN
VEE
VCC
BBIN
分钟。
-13
典型值。
-11
0.25
-65
-75
-75
-157
79
81
优秀的载波馈通, -40 dBm的不断
输出功率
+4.0 dBm的输出P1dB为
宽基带输入, DC - 500 MHz的
极好的相位精度和幅度平衡,
± 0.5度/ ± 0.2分贝
极低的本底噪声, -157 dBm / Hz计
ACP低, -65 dBc的
LO
QUADRATURE
发电机
应用
W-CDMA的发送器
1930-1990兆赫
分钟。
-14.5
典型值。
-12.5
0.25
-65
-73
-73
-157
77
79
马克斯。
-10.5
0.5
-63
-68
-68
-156
76
2110至70年兆赫
分钟。
-15
典型值。
-13
0.25
-65
-73
-73
-156
78
马克斯。
-11
0.5
-63
-68
-68
-155
类型*
E
C,D
E
C,D
C,D
C,D
C,D
产品规格 - W- CDMA调制
(请参阅表1试验条件)
869-894兆赫
参数
信道功率
功率平坦度
邻道功率
科幻RST备用通道
动力
第二备用通道
动力
宽带本底噪声
信噪比
60 MHz的偏离
支架
噪声偏移: 60兆赫,
测得在一个3.84MHz的
带宽
评论
通过保证
输出功率试验,
第2页中指定
在整个频范围
频率带宽
通过保证
指定IM3测试
第2页
单位
DBM
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBm / Hz计
dB
马克斯。
-9
0.5
-63
-68
-68
-156
*类型定义: A = 100 %测试(见表2的条件) , B =样品进行测试,C =特点在整个温度范围内的样本
和Vcc时, D =设计参数, E = 100 %通过相关CW参数, I =输入设备测试规范。
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,恕不另行通知。
没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品在使用中
生命支持设备和/或系统。
版权所有2001 Sirenza的Microdevices公司,公司全球版权所有。
303南方科技法庭布鲁姆菲尔德,CO 80021
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
1
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EDS - 104229修订版B
STQ - 2016-3直接正交调制器
产品规格 - 参数变化, W- CDMA调制
(
请参考表1试验条件)
工作电压(V )
参数
信道功率
邻道功率
第一备用信道功率
第二备用信道功率
宽带本底噪声
信噪比
从载波60 MHz偏移
温度。 ( ℃)
5.25
-12.95
-65.4
-72.9
-72.9
-40
-12.15
-64.95
-75.1
-75.4
+25
-13
-65
-73
-73
-156
78
+85
-13.50
-65.25
-72.9
-72.5
-155.4
77
类型*
C,D
C,D
C,D
C,D
C,D
C,D
评论
单位
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dBm / Hz计
dB
4.75
-13.05
-64.3
-72.9
-73.25
-156.3
77.8
5.0
-13
-65
-73
-73
-156
78
-155.95 -156.25
77.8
79
噪声偏移: 60兆赫,
测得在一个3.84MHz的
带宽
产品规格 - 参数变化, W- CDMA调制
(请参阅表1试验条件)
LO驱动器( DBM)
参数
信道功率
邻道功率
第一备用信道功率
第二备用信道功率
宽带本底噪声
信噪比
从载波60 MHz偏移
I / Q驱动器(VPP ,差** )
+7
1.0
-16.7
-68.7
-68.3
-67.3
-156.7
75
1.7
-13
-65
-73
-73
-156
78
2.5
-10.2
-58.6
-74.7
-73.7
-155.2
80
类型*
C,D
C,D
C,D
C,D
C,D
C,D
评论
单位
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
-1
-13.05
-65.75
-72.3
-72.3
+3
-13
-65
-73
-73
-156
78
-12.95
-64.5
-73.1
-73.05
-156.4
78.3
dBm / Hz表示-155.25
dB
77.5
噪声偏移: 60兆赫,
测得在一个3.84MHz的
带宽
产品规格 - 射频输出, CW调制
(见表2测试条件)
700-1000兆赫
参数
RF频率范围
输出功率
RF端口回波损耗
输出P1dB为
载波馈通
边带抑制
IM3抑制
正交相位误差
I / Q幅度平衡
电源电压(VCC )
电源电流
器件热阻
结案件
双音基带输入@ 1.2Vp -P differ-
每个音无穷区间
匹配到50Ω (参见原理图上
14和15页)
( I / Q输入= 3.74 Vp-p的差分典型值)
其他测试条件/评论
单位
兆赫
DBM
dB
DBM
DBM
dB
dB
度。
dB
V
mA
摄氏度/ W
34
46
-2
-0.2
+4.75
60
+3.0
分钟。
700
-13
-10.5
20
+4.0
-40
40
50
±0.5
±0.05
+5
73
25
+2
+0.2
-34
34
47
-2
-0.2
0
典型值。
马克斯。
1000
-9.0
2500至00年兆赫
分钟。
1700
-13
-11.5
16
+3.0
-40
40
53
±0.5
±0.05
+5
73
25
+2
+0.2
+5.25
86
-32
典型值。
马克斯。
2500
-9
类型*
A
A,C
D
A,C
A,C
A,C
A,C
D
D
I
A
D
+5.25 +4.75
86
60
*类型定义: A = 100 %测试(见表2的条件) , B =样品进行测试,C =特点在整个温度范围内的样本
和Vcc时, D =设计参数, E = 100 %通过相关CW参数, I =输入设备测试规范。
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产品规格 - LO输入
参数
LO频率
LO驱动电平
LO端口回波损耗
推荐/最佳水平
匹配到50Ω (参见原理图页
12)
其他测试条件/评论
单位
兆赫
DBM
dB
分钟。
700
-1
+3
16
典型值。
马克斯。
2500
+7
类型*
I
I
D
产品规格 - 关断输入(引脚7 )
参数
关断电流
关机衰减
关机引脚电阻
关机引脚电容
关机控制
阈值电压
关机建立时间
@ 1MHz的
@ 1MHz的
关机禁用(正常工作)
关机启用
其他测试条件/评论
单位
mA
dB
千欧
pF
V
V
ns
3.75
0.0
<450
分钟。
典型值。
42
60
11.9
5.2
VCC
1.5
马克斯。
60
类型*
A
D
D
D
I
I
D
产品规格 - 基带调制输入
参数
基带频率输入
基带输入电阻
基带输入电容
其他测试条件/评论
-3dB带宽,基带输入termi-
经过NAT在50欧姆
每个引脚
每个引脚
单位
兆赫
千欧
pF
分钟。
DC
4.4
0.5
典型值。
马克斯。
500
类型*
I
D
D
*类型定义: A = 100 %测试(见表2的条件) , B =样品进行测试,C =特点在整个温度范围内的样本
和Vcc时, D =设计参数, E = 100 %通过相关CW参数, I =输入设备测试规范。
**峰 - 峰值差分(VPP ,差)基带电压的定义:
1.5
1
VPP
0.5
Vp
I
0
0.5
1
V
0
100
200
pp
,
差异
400
SA MP LES
2
VPP
500
600
700
800
1.5
300
单端W- CDMA基带信号的情节( BBIP )
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表1 W-CDMA的测试条件
(除非另有说明)
V
CC
(引脚2,10,15 )
T
A
基带输入
(引脚1 , 8 , 9 , 16 )
LO输入
(引脚4,5)
+5V
+25C
1.9V直流偏置, W- CDMA试验模型1 W /
64 DPCH ( PAR = 10.54 )元, 850mVp -P
引脚= 1.7 Vp-p的差分驱动器, I和Q
正交信号
+4.0 dBm的@ 2140 MHz的
表2. CW测试条件
(对于所有的产品规格,除非另有说明)
V
CC
(引脚2,10,15 )
T
A
基带输入
(引脚1 , 8 , 9 , 16 )
LO输入
(引脚4,5)
+5V
+25C
1.9V的直流偏置, 200kHz的频
昆西,每针300 MVP -P =
600 MVP -P差分驱动,我
正交信号和Q信号
-5 dBm的@ 1960 MHz的
引脚输出说明
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
BBQP
VCC
VEE
垂耳
LON
VEE
SD
BBIP
BBIN
VCC
VEE
RFN
RFP
VEE
VCC
BBQN
描述
Q信道的基带输入,正极端子
正电源( + 5V )
地
本地振荡器输入,正端
本地振荡器输入端,负端
地
关机控制
I信道的基带输入,正极端子
I信道的基带输入,负端
正电源( + 5V )
地
RF输出端,负端
RF输出,正端
地
正电源( + 5V )
Q信道的基带输入,负端
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
额定直流电压为2.4V 。输出应该是交流耦合。
额定直流电压为2.4V 。输出应该是交流耦合。
逻辑高=正常运行;
逻辑低=关机功能。
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
额定直流电压为2.0V 。输入应该是交流耦合。
额定直流电压为2.0V 。输入应该是交流耦合。
其他评论
标称直流偏置电压为1.9V (内部偏置)
绝对最大额定值
参数
电源电压(VCC )
LO , RF输入( LOP , LON , RFP , RFN )
闵基带输入电压
( BBIP , BBIN , BBQP , BBQN )
基带最大输入电压
( BBIP , BBIN , BBQP , BBQN )
工作温度
储存温度
价值
6.0
+10
0
3
-40至+85
-65到+150
单位
V
DC
DBM
V
DC
V
DC
C
C
产品型号订购信息
设备/卷
产品型号
STQ-2016-3
STQ-2016-3Z
带尺寸
7”
7”
分钟。
500
500
马克斯。
1000
1000
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
装置的电压和电流必须不超过最大工作
阿婷1页表中指定的值。
注意: ESD敏感
在搬运,包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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典型的设备性能图
基带信号: W- CDMA试验模型1瓦特/ 64 DPCH ,
峰均比= 10.54
STQ - 2016-3直接正交调制器
宽带本底噪声
15
150
0
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
15 0
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
152
2
15
15 2
154
4
15
15 4
156
6
15
15 6
158
15 8
6
6
15 8
0
2
4
2
0
2
LO驱动电平(dBm )
LO驱动电平(D BM)
I / Q驱动器= 1 VPP ,差。
I / Q驱动器= 1 V峰峰值,差。
I / Q驱动器= 2 Vpp的,比较差异。
I / Q驱动器
VPP ,差。
I / Q驱动器= 3
= 2 V峰峰值,差。
I / Q驱动器
VPP ,差。
I / Q驱动器= 4
= 3 V峰峰值,差。
4
4
2
4
6
6
8
1
1.5
8
2
2.5
3
智商驱动电平(V PP ,差)
3.5
4
I / Q驱动器= 4 V峰峰值,差。
LO
LO
LO
LO
LO
里沃=
里沃=
里沃=
里沃=
里沃=
-5 dBm的
-2 dBm的
-1 dBm的
4分贝米
7分贝米
图1 。
宽带本底噪声( 60 MHz偏移)比。 LO
驱动电平, LO频率= 2140 MHz的。
图2中。
宽带本底噪声( 60 MHz偏移)比。 I / Q
驱动电平, LO频率= 2140 MHz的。
156
156
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
156.5
156.5
157
157
157.5
157.5
158
4.7
4.8
4.9
5
VCC( VDC)的
5.1
5.2
158
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
智商驱动电平(VPP ,差)
1.9
I / Q驱动器= 1.5 Vpp的,比较差异。
I / Q驱动器= 1.7 Vpp的,比较差异。
I / Q驱动器= 1.9 Vpp的,比较差异。
VCC = 4.75 V
VCC = 5.00 V
VCC = 5.25 V
网络连接gure 3 。
宽带本底噪声( 60 MHz偏移)比。
VCC , LO驱动器= 4.0 dBm的@ 2140兆赫。
图4中。
宽带本底噪声( 60 MHz偏移)比。 I / Q驱动器
的水平,超过VCC范围, LO驱动器= 4.0 dBm的@ 2140兆赫。
156
156
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
宽带本底噪声( dBm / Hz计)
156.5
156.5
157
157
157.5
157.5
158
158
50
0
50
温度( ℃)
100
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
智商驱动电平(VPP ,差)
1.9
I / Q驱动器= 1.5 Vpp的,比较差异。
I / Q驱动器= 1.7 Vpp的,比较差异。
I / Q驱动器= 1.9 Vpp的,比较差异。
温度= -40 °。
温度= 25 °。
温度= 85 °。
图5中。
宽带本底噪声( 60 MHz偏移)比。
温度, LO驱动器= 4.0 dBm的@ 2140兆赫。
303 S.科技法庭,布鲁姆菲尔德,CO 80021
图6 。
宽带本底噪声( 60 MHz偏移)比。 I / Q驱动器
等级,过温, LO驱动器= 4.0 dBm的@ 2140兆赫。
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