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SPN6562
双N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN6562是双N沟道增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于减小导通状态
性，并提供出色的开关性能。
这些装置特别适用于低电压
应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路，其中
高侧开关，低线功率损耗，并
需要抗瞬变。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
N沟道
30V/2.8A,R
DS （ ON）
= 65mΩ @ V
GS
=10V
30V/2.3A,R
DS （ ON）
= 75mΩ @ V
GS
=4.5V
30V/1.5A,R
DS （ ON）
= 105mΩ @ V
GS
=2.5V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 23-6L封装设计
引脚配置（ SOT- 23-6L ）
最热
2006/08/15
Ver.1
第1页
SPN6562
双N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
符号
G1
S2
G2
D2
S1
D1
描述
门1
源2
门2
排水2
源1
Drain1
订购信息
产品型号
SPN6562S26RG
※
本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
SPN6562S26RG ：带卷轴;铅 - 免费
包
SOT-23-6L
部分
记号
62YW
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
≤
10sec
稳定状态
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
30
±12
2.8
2.3
10
1.25
1.15
0.75
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
-55/150
-55/150
50
100
℃/W
2006/08/15
Ver.1
第2页
SPN6562
双N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=24V,V
GS
=1.0V
V
DS
=24V,V
GS
=0.0V
T
J
=55℃
V
DS
≧4.5V,V
GS
=10V
V
DS
≧4.5V,V
GS
=4.5V
V
GS
= 10V ，我
D
=2.8A
V
GS
=4.5V,I
D
=2.3A
V
GS
=2.5V,I
D
=1.5A
V
DS
=4.5V,I
D
=2.5A
I
S
=1.25A,V
GS
=0V
30
0.8
1.6
±100
1
10
6
4
0.055
0.065
0.085
4.6
0.82
0.065
0.075
0.105
1.2
V
nA
uA
A
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=15,V
GS
=4.5V
I
D
≡2.0A
4.2
0.6
1.5
350
55
41
2.5
6
nC
V
DS
=15,V
GS
=0V
F = 1MHz的
pF
V
DD
=15,R
L
=10
V
根
=10V,R
G
=3
2.5
20
4
ns
2006/08/15
Ver.1
第3页
SPN6562
双N沟道增强型MOSFET
典型特征
2006/08/15
Ver.1
第4页
SPN6562
双N沟道增强型MOSFET
典型特征
2006/08/15
Ver.1
第5页
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    SPN6562S26RG
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