STPS340U/S/B
图。 7 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
图。 8 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
IR( A)
1E-2
Tj=150°C
C( pF)的
500
F=1MHz
Tj=25°C
Tj=125°C
200
100
50
1E-3
Tj=100°C
1E-4
Tj=75°C
20
VR ( V)
1E-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
1
2
5
VR ( V)
10
20
50
图。 9 :
正向压降与前进
电流(最大值) 。
图。 10-1 :
热阻结到环境
与各牵头下,铜表面(环氧树脂印刷
电路板FR4 ,铜厚度为35μm ) ( SMB ) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
120
10.00
IFM ( A)
典型值
Tj=150°C
100
Tj=125°C
1.00
80
60
0.10
VFM ( V)
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
40
20
S(铜)(平方厘米)
0
0
1
2
3
4
5
图。 10-2 :
热阻结到环境
与各牵头下,铜表面(环氧树脂印刷
电路板FR4 ,铜厚度为35μm ) ( SMC ) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
100
80
60
40
20
S(铜)(平方厘米)
0
0
1
2
3
4
5
图。 10-3 :
热阻结到环境
与各牵头下,铜表面(环氧树脂印刷
电路板FR4 ,铜厚度为35μm ) ( DPAK ) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
100
80
60
40
20
S(铜)(平方厘米)
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
4/7
特征
STPS340
1
特征
表1中。
符号
V
RRM
I
F( RMS )
绝对额定值(限制值)
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
T
c
= 135° C
δ
= 0.5
DPAK
DPAK
SMB / SMC
SMB平
75
1300
-65到+ 150
150
A
W
°C
°C
3
A
价值
40
6
单位
V
A
I
F( AV )
平均正向电流
T
L
= 105° C
δ
= 0.5
T
L
= 115° C
δ
= 0.5
I
FSM
P
ARM
T
英镑
T
j
1.
dPtot
---------------
DTJ
浪涌不重复正向电流
重复峰值雪崩功率
存储温度范围
工作结温
(1)
t
p
= 10 ms的正弦
t
p
= 1微秒牛逼
j
= 25° C
1
& LT ;
--------------------------
条件,以避免热失控的自身散热片的二极管
RTH
(
j
–
a
)
表2中。
符号
热阻
参数
SMB
价值
25
15
20
5.5
° C / W
° C / W
单位
R
号(j -1)的
交界处领导
SMB平
SMC
R
日(J -C )
结到外壳
DPAK
表3中。
符号
I
R(1)
静态电气特性
参数
反向漏电流
测试条件
T
j
= 25° C
T
j
= 125° C
T
j
= 25° C
V
R
= V
RRM
分钟。
典型值。
马克斯。
20
2
10
0.63
I
F
= 3 A
0.52
0.57
V
0.84
I
F
= 6 A
0.63
0.72
单位
A
mA
V
F(1)
正向电压降
T
j
= 125° C
T
j
= 25° C
T
j
= 125° C
1.脉冲测试: TP = 380微秒,
δ
& LT ; 2 %
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 0.42 ×1
F( AV )
+ 0.050 I
F2(RMS)
2/11
STPS340
特征
图1 。
正向平均功耗如图2所示。
与平均正向电流(每
二极管)
I
F( AV )
(A)
3.5
平均正向电流随
环境温度( = 0.5,每
二极管) ( DPAK / SMB / SMC )
P
F( AV )
(W)
2.5
δ
= 0.05
2.0
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
3.0
R
号(j -a)的
=R
号(j -1)的
DPAK
δ
=1
1.5
2.5
SMB / SMC
2.0
1.5
1.0
R
号(j -a)的
=65°C/W
1.0
0.5
T
0.5
T
I
F( AV )
(A)
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
δ
= TP / T
3.5
tp
0.0
4.0
0
δ
= TP / T
25
tp
50
T
AMB
(°C)
75
100
125
150
网络连接gure 3 。
平均正向电流随
环境温度( = 0.5,每
二极管) ( SMB平)
图4中。
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
(最大值) ( DPAK )
I
F( AV )
(A)
3.5
R
号(j -a)的
=R
号(j -1)的
I
M
(A)
60
DPAK
3.0
2.5
50
40
2.0
SMB平
30
T
c
=25°C
T
c
=75°C
1.5
1.0
R
号(j -a)的
=40°C/W
. S
CU
= 2.5厘米
2
20
I
M
t
T
0.5
0.0
0
10
T
c
=125°C
δ
= TP / T
25
tp
50
T
AMB
(°C)
0
75
100
125
150
1.E-03
δ
=0.5
T( S)
1.E-02
1.E-01
1.E+00
图5中。
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
(最大值)( SMB)的
SMB
图6 。
不重复浪涌峰值前进
电流与过载时间
(最大值) ( SMC )
SMC
I
M
(A)
10
9
8
7
T
a
=25°C
I
M
(A)
12
11
10
9
8
7
6
T
a
=75°C
T
a
=75°C
T
a
=25°C
6
5
4
3
2
1
0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
I
M
t
5
4
3
T
a
=125°C
2
δ
=0.5
I
M
t
T
a
=125°C
T( S)
1
0
1.E-03
δ
=0.5
T( S)
1.E-02
1.E-01
1.E+00
3/11
STPS340U/S/B
图。 5 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
图。 6 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
IR( A)
1E-2
Tj=150°C
C( pF)的
500
F=1MHz
Tj=25°C
Tj=125°C
200
100
50
1E-3
Tj=100°C
1E-4
Tj=75°C
20
VR ( V)
1E-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
1
2
5
VR ( V)
10
20
50
图。 7 :
正向压降与前进
电流(最大值) 。
图。 8-1 :
热阻结到环境
与各牵头下,铜表面(环氧树脂印刷
电路板FR4 ,铜厚度为35μm ) ( SMB ) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
120
10.00
IFM ( A)
典型值
Tj=150°C
100
Tj=125°C
1.00
80
60
0.10
VFM ( V)
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
40
20
S(铜)(平方厘米)
0
0
1
2
3
4
5
图。 8-2 :
热阻结到环境
与各牵头下,铜表面(环氧树脂印刷
电路板FR4 ,铜厚度为35μm ) ( SMC ) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
100
80
60
40
20
S(铜)(平方厘米)
0
0
1
2
3
4
5
图。 8-3 :
热阻结到环境
与各牵头下,铜表面(环氧树脂印刷
电路板FR4 ,铜厚度为35μm ) ( DPAK ) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
100
80
60
40
20
S(铜)(平方厘米)
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
4/7