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绿色
产品
STG8810
版本1.0
S A mHop微电子 ORP 。
双N沟道增强型场效应晶体管
产品概述
V
DSS
20V
特点
超级高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
坚固可靠。
Suface贴装封装。
ESD保护。
I
D
7A
R
DS （ ON）
(m
）最大
20
@
VGS=4.5V
28
@
VGS=2.5V
牛逼S S小OP
D
1
/D
2
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
1
/D
2
S
2
S
2
G
2
D
1
D
2
G
1
G
2
（T OP V IE W）
S
1
S
2
绝对最大额定值（
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J,
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
b
a
极限
20
±12
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
7
5.6
28
a
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
最大功率耗散
1.5
1
-55到150
工作结存储
温度范围
热特性
R
JA
热阻，结到环境
a
85
° C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
Nov,26,2008
1
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STG8810
版本1.0
电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
V
uA
uA
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=16V , V
GS
=0V
20
1
±10
V
GS
= ±12V , V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
V
GS
= 4V ，我
D
=6.8A
V
GS
= 3V ，我
D
=6.3A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=6A
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
0.5
0.85
16.5
17
20
23
12
1.5
20
21
25
28
V
兆欧
兆欧
兆欧
兆欧
S
pF
pF
pF
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
g
FS
正向跨导
c
动态特性
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
t
D（上）
导通延迟时间
tr
t
D（关闭）
tf
Q
g
Q
gs
Q
gd
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
V
DS
=10V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
815
215
180
V
DD
=10V
I
D
=1A
V
GS
=4.5V
R
根
= 10欧姆
V
DS
=10V,I
D
=7A,
V
GS
=4.5V
28
83
63
41
11.5
2.4
5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
最大连续漏源二极管的正向电流
V
SD
二极管的正向电压
b
V
GS
=0V,I
S
=2.0A
0.79
2.0
1.2
A
V
笔记
_
a.Surface安装在FR4板，T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
Nov,26,2008
2
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STG8810
版本1.0
30
VGS=4.5V
15
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
24
VGS=2.5V
VGS=2V
12
18
9
-55 C
6
TJ = 125℃
3
0
25 C
12
6
VGS=1.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
60
50
40
30
20
10
0
V
的s
=4.5V
V
的s
=2.5V
图2.传输特性
1.8
R
DS （ ON）
，导通电阻
归
1.6
R
DS （ ON）
(m
)
1.4
V
的s
=4.5V
I
D
= 7A
V
的s
=2.5V
I
D
=6 A
1.2
1.0
0.8
1
6
12
18
24
30
0
25
50
75
100
125
I
D
，漏电流（ A）
TJ ，结温（ ° C）
150
T J （
°C )
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
BVDSS ，归
漏源击穿电压
1.6
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.20
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-50
-25
0
25
50
75
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
100 125 150
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图5.门阈值变化
随温度
图6.击穿电压变化
随温度
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3
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STG8810
版本1.0
60
50
40
20.0
是，源极 - 漏极电流（ A）
I
D
=7 A
10.0
R
DS （ ON）
(m
)
30
20
10
0
75 C
5.0
125 C
25 C
75 C
125 C
25 C
0
2
2.5
3
3.5
4
1.0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.导通电阻与
栅源电压
900
750
西塞
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
5
4
3
2
1
0
V
DS
= 10V
I
D
=7 A
600
450
科斯
300
CRSS
150
0
V
GS
，门源电压（ V）
C，电容（pF ）
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
14 16
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图9.电容
图10.栅极电荷
1000
60
I
D
，漏电流（ A）
100
TD （关闭）
Tf
TD （上）
切换时间（纳秒）
Tr
10
R
D
S
(O
L
N)
im
it
10
0u
1m
s
10
10
ms
0m
s
s
10
1
V
的s
=4.5V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
1
DC
1
1
VDS=10V,ID=1A
VGS=4.0V
10
100
0.1
0.1
10
30 50
RG ，栅极电阻（
)
V
DS
，漏源电压（V ）
图11.开关特性
图12.最大安全工作区
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4
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STG8810
版本1.0
V
DD
t
on
V
IN
D
V
GS
R
根
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
倒
S
A
V
IN
50%
10%
50%
脉冲宽度
图13.开关测试电路
图14.开关波形
10
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
P
DM
t
1
t
2
1.
2.
3.
4.
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.00001
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗曲线
Nov,26,2008
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