STPIC6A259
功率逻辑8位可寻址锁存器
初步数据
s
s
s
s
s
s
s
低R
DS （ ON）
： 1Ω TYP
输出短路保护
75mJ AVAILANCHE能源
八350毫安DMOS输出
50V切换能力
四个不同的功能模式
低功耗
SOP
描述
这种权力的逻辑8位可寻址锁存控制
漏极开路DMOS晶体管输出，并
设计
为
通用
存储
应用在数字系统中。具体用途
包括工作寄存器，串行保持寄存器，
和解码器或解复用器。这是一个
能够经营为一体的多功能设备
8可寻址锁存器或一个8行
解复用器与低电平有效的DMOS输出。
每一个漏极开路DMOS晶体管拥有一个
独立的斩波电流限制电路，以
防止在发生短路的情况下的损坏。
四种不同的操作模式是通过可选择的
控制清零（ CLR ）和使能（ G）输入
和列举的功能表。在
可寻址锁存模式中，在该数据中的数据（D）的
终端写入到所寻址的锁存器。该
解决DMOS晶体管输出反转
数据输入与所有unadressed DMOS晶体管
输出留在他们的previuous状态。在
MOS晶体管输出保持在他们的早先
态，并且不受数据或地址
输入。以消除进入的可能性
在锁存erroneus数据，使应
订货代号
TYPE
STPIC6A259M
STPIC6A259MTR
保持高电平（无效），而地址线
不断变化的。在8线demoultiplexing模式中，
寻址输出进行反转respectto为D
输入和所有其它输出为高。在清
模式下，所有的输出为高并且不受
地址和数据输入。
独立的电源接地（地线）和逻辑地
（ LGND ）端子providied方便
最大的系统灵活性。所有地线端子
是interally连接，并且每个接地端子
必须从外部连接到电力系统
接地，以减少寄生阻抗。
LGND之间的单点连接
PGND必须的方式从外部进行该
降低了洛吉和负载之间的串扰
电路。
该STPIC6A259提供了termally
增强型SO- 24封装。该STPIC6A259是
特点是工作在整个工作
外壳温度范围为-40 ° C至125°C 。
包
SO- 24的蝙蝠翼（管）
SO- 24的蝙蝠翼（带&卷）
评论
每框筒/ 20tube 50parts
每卷2500件
2001年3月
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这是一个新产品的初步信息，现在开发或正在接受评估。详细信息如有变更，恕不另行通知。
STPIC6A259
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
DS
I
DS
I
DS
I
D
I
D
I
D
E
AS
I
AS
P
d
P
d
T
J
T
C
T
英镑
T
L
逻辑输入电压范围
功率DMOS漏源极电压（见注2 ）
连续源极到漏极二极管的阳极电流
脉冲源极到漏极二极管的阳极电流（见注3 ）
漏电流脉冲，每路输出，所有输出开（T
C
=25°C)
连续电流，每路输出，所有输出开（T
C
=25°C)
峰值漏极电流单输出（T
C
= 25 ° C） （见注3 ）
单脉冲雪崩能量（见注6 ）
雪崩电流（见注4 ）
连续总功耗（T
C
≤
25°C)
连续总功耗（T
C
= 125°C)
经营虚拟结温范围
工作温度范围
存储温度范围
从案例铅温度1.6mm （ 1 / 16英寸） ，持续10秒
参数
逻辑电源电压（见注2 ）
价值
7
-0.3 7
50
1
2
1.1
350
1.1
75
600
1750
350
-40到+150
-40到+125
-65到+150
260
单位
V
V
V
A
A
A
mA
A
mJ
mA
mW
mW
°C
°C
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。这些条件下的功能操作
不是暗示。
热数据
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
参数
热阻结案件
热阻结到环境
10
50
单位
° C / W
° C / W
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
DP
t
su
t
h
t
W
T
C
逻辑电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
脉冲漏极输出电流（T
C
= 25 ° C，V
CC
= 5V ） （见注3,5）
建立时间，D前高摹
↑
（参见图2）
保持时间，D前高摹
↑
（参见图2）
脉冲持续时间（参见图2）
工作温度
参数
分钟。
4.5
0.85V
CC
0
-1.8
10
5
15
-40
125
马克斯。
5.5
V
CC
0.15V
CC
0.6
单位
V
V
V
A
ns
ns
ns
°C
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STPIC6A259
DC特性
(V
CC
= 5V ，T
C
= 25℃ ，除非另有说明）。
符号
参数
测试条件
分钟。
50
0.8
1.1
1
-1
0.5
注3和菲格。
I
（ NOM ）
= I
D
T
C
=85°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
0.6
0.8
350
5
1.1
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
A
mA
A
mA
V
（ BR ） DSX
漏极至源极击穿我
D
= 1毫安
电压
V
SD
源 - 漏二极管
I
F
= 350 MA（见注3 ）
正向电压
I
IH
高电平输入电流
V
I
= V
CC
I
IL
低电平输入电流
V
I
= 0
I
CC
I
OK
I
（ NOM ）
逻辑电源电流
输出电流在其中
斩波开始
额定电流
I
O
= 0
T
C
= 25°C
（见
3, 4)
V
DS （ ON）
= 0.5V
V
CC
= 5V
（见注5 ， 6 ， 7 ）
V
DS
= 40V
V
DS
= 40V
R
DS （ ON）
端接电阻
（见注5 ，第6和菲格9 ，
10)
I
D
= 350毫安
I
D
= 350毫安
I
D
断态漏电流
0.1
0.2
1
1.7
1
5
1.5
2.5
A
A
开关特性
(V
CC
= 5V ，T
C
= 25℃ ，除非另有说明）。
符号
t
PHL
参数
迪利的传播时间，
高至低电平输出
从D-
迪利的传播时间，
从低到高级别输出
从D-
上升时间，漏极开路输出
下降时间，漏极开路输出
反向恢复电流
上升时间
反向恢复时间
I
F
= 350毫安
的di / dt = 20A / μs的
（见注5 ，第6和图5）
测试条件
C
L
= 30pF的
I
D
= 350毫安
（参见菲格1 ，2， 11）
分钟。
典型值。
30
马克斯。
单位
ns
t
PLH
125
ns
t
r
t
f
t
a
t
rr
60
30
100
300
ns
ns
ns
ns
注1：所有的电压值a是相对于LGND和PGND
注2 ：每个功率DMOS源内部连接到GND
注3：脉冲持续时间
≤
100毫秒和占空比
≤
2%
注4 ：漏极供电电压= 15V ，开始结温（T
JS
） = 25°C 。 L = 210μH ，我
AS
= 600毫安（参见图6）
注5 ：技术应该限制牛逼
J
- T
C
至10 ° C（最大值）
注6：这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
注7 ：额定电流是指从不同来源设备之间的一致性比较。它是目前能产生
0.5V的在T的电压降
C
= 85°C.
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