STP100NF03L-03
STB100NF03L -03 STB100NF03L - 03-1
N沟道30V - 0.0026Ω - 100A - D
2
PAK / I
2
/TO-220
的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB100NF03L-03
STB100NF03L-03-1
STP100NF03L-03
■
■
■
V
DSS
30V
30V
30V
R
DS （ ON）
<0.0032
<0.0032
<0.0032
I
D
100A
100A
100A
TO-220
1
2
3
3
1
D
2
PAK
低阈值DRIVE
100％的雪崩测试
逻辑电平器件
3
12
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
I
2
PAK
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB100NF03L-03T4
STB100NF03L-03-1
STP100NF03L-03
记号
B100NF03L
B100NF03L
P100NF03L
包
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
2006年6月
REV 2
1/15
www.st.com
15
目录
STB100NF03L -03 - STB100NF03L - 03-1 - STP100NF03L -03
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
STB100NF03L -03 - STB100NF03L - 03-1 - STP100NF03L -03
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D(1)
I
D(1)
I
DM(2)
P
合计
E
的AS （3）
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏极电流（连续）在
T
C
= 25°C
漏极电流（连续）在
T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结
温度
-55至175
°C
价值
30
24
± 16
100
100
400
300
2
1.9
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
J
1.价值限于通过引线接合
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 50A ，V
DD
= 50V
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
3/15
电气特性
STB100NF03L -03 - STB100NF03L - 03-1 - STP100NF03L -03
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 50A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 50A
1
1.7
0.0026
0.0032
分钟。
30
1
10
±100
2.5
0.0032
0.0045
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
xR
DS （ ON）
最大
,
I
D
= 30A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
10
6200
1720
300
35
315
115
95
88
22.5
36
典型值。
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 15V ，我
D
= 50A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见
图13）
V
DD
= 24V ，我
D
= 100A,
V
GS
= 5V
（见
图14）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/15
STB100NF03L -03 - STB100NF03L - 03-1 - STP100NF03L -03
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 100A ，V
GS
= 0
75
150
4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
100
400
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 100A,
反向恢复时间
的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷
V
DD
= 20V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流
（见
图15）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/15
STB100NF03L-03
N沟道30V - 0.0026
- 100A
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB100NF03L-03
s
s
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
<0.0032
I
D
100 A
典型
DS
（上） = 0.0026
低阈值DRIVE
100％的雪崩测试
逻辑电平器件
表面安装
2
PAK （ TO-263 ）
电力包装管（没有后缀）或
在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）
3
1
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
电机控制，音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电磁阀和继电器驱动器
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D(1)
I
D(1)
I
DM
()
P
合计
E
AS(2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
30
±
15
100
100
400
300
2
1.4
-60至175
175
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
AR
= 50A ，V
DD
= 50V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
J
°C
°C
()
脉冲宽度限制主编由安全工作区
（ 1 ）按封装电流限制
2002年1月
.
1/9
QQ：2880707522 复制
