N沟道500V - 0.75
- 8.6 A TO - 220 / TO- 220FP
的PowerMESH MOSFET
TYPE
STP9NB50
STP9NB50FP
s
s
s
s
s
STP9NB50
STP9NB50FP
V
DSS
500 V
500 V
R
DS ( ON)
& LT ; 0.85
& LT ; 0.85
I
D
8.6 A
4.9 A
典型
DS
(上) = 0.75
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
1
2
1
2
3
TO-220
TO-220FP
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中,意法半导体设计了一个AD-
vanced系列功率MOSFET具有突出的
表演。新申请专利带布局
再加上公司的proprieraty边缘termi-
民族结构,给出了低R
DS ( ON)
单位面积,
呈雪崩和dv / dt的能力和
无与伦比的栅极电荷和开关特性
抽动。
应用
s
大电流,高开关速度
s
SWITH模式电源( SMPS )
s
DC -AC转换器,用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
dv / dt的( 1 )
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压( DC )
储存温度
马克斯。工作结温
内部原理图
价值
STP9NB50
500
500
±30
8.6
5.4
34.4
125
1
4.5
-
-65到150
150
(1)I
SD
<9A ,二/ dt<200A / μ ,V
DD
& LT ; V
( BR ) DSS
, TJ<T
JMAX
单位
STP9NB50FP
V
V
V
4.9
3.1
34.4
40
0.32
4.5
2000
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
V
°C
°C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
2000年5月
1/9
STP9NB50/FP
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 400V ,我
D
= 8.6 A,
V
GS
= 10V
测试条件
V
DD
= 250 V,I
D
= 4.3 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
(见测试电路,图3 )
分钟。
典型值。
19
11
32
10.6
13.7
45
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试康迪特离子
V
DD
= 400V ,我
D
= 8.6 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
11.5
11
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8.6 A,V
GS
= 0
I
SD
= 8.6 A, di / dt的= 100A / μs的,
V
DD
= 100V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
420
3.5
16.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
8.6
34.4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
安全工作区TO- 220FP
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