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半导体
STK0160I
先进的功率MOSFET
开关稳压器的应用
特点
高压: BV
DSS
=600V(Min.)
低C
RSS
: C
RSS
=4.3pF(Typ.)
低栅极电荷:的Qg = 4.5nC (典型值)。
低R
DS ( ON)
:R
DS ( ON)
=9.3Ω(Typ.)
型号
STK0160I
记号
STK0160
封装代码
I- PAK
订购信息
外形尺寸
6.40~6.60
5.14~5.64
2.20~2.40
0.40~0.60
单位:
mm
1.50典型。
1.00典型。
5.90~6.30
1.32 MAX 。
1.80典型。
9.00~9.60
9.96最大。
0.86最大。
2.30典型。
1
2
3
2.30典型。
0.60最大。
引脚连接
1.门
2.漏
3.源
KSD-T6Q001-000
1
STK0160I
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
*
(Tc=25°C)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
(Tc=25℃)
(Tc=125℃)
I
DP
P
D
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
等级
600
±30
1.0
0.77
4.0
28
1.0
22
1.0
2.5
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
W
A
mJ
A
mJ
°C
漏极功耗
雪崩电流(单人)
单脉冲雪崩能量
雪崩电流(重复)
重复性雪崩能量
结温
存储温度范围
*受最高结温
特征
阻力
结案件
结到环境
符号
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
典型值。
-
-
最大
4.46
83.3
单位
℃/W
KSD-T6Q001-000
2
STK0160I
电气特性
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(Tc=25°C)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0
I
D
= 250μA ,V
DS
= V
GS
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
GS
= 10V ,我
D
=0.5A
V
DS
= 10V ,我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
分钟。
600
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
9.3
0.95
150
20
4.3
22.5
27
11.5
27
4.5
0.9
1.3
马克斯。
-
4.0
1
±100
11.5
-
225
30
6.4
-
-
-
-
6.7
1.3
1.9
单位
V
V
μA
nA
Ω
S
pF
V
DD
=300V, V
GS
=10V
I
D
= 1.0A ,R
G
=25
-
-
-
ns
V
DD
=300V, V
GS
=10V
I
D
=1.0A
-
-
nC
-
源极 - 漏极二极管额定值和特性
特征
连续源电流
源电流(脉冲)
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(Tc=25°C)
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时,我
S
=1.0A
I
s
= 1.0A ,V
GS
=0V
di
s
/dt=100A/us
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
160
0.59
最大
1.0
4.0
1.4
-
-
单位
A
V
ns
uC
注意;
重复评价:脉冲宽度由最大结温的限制
L = 20mH ,我
AS
= 1.0A ,V
DD
= 50V ,R
G
=25
脉冲测试:脉冲宽度\u003c 300US ,职务cycle≤ 2 %
基本上是独立工作温度
KSD-T6Q001-000
3
STK0160I
电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
图。 2我
D
- V
GS
:
-
图。 3 R
DS ( ON)
- I
D
图。 4我
S
- V
SD
图。 5电容 - V
DS
图。 6 V
GS
- Q
G
=
KSD-T6Q001-000
4
STK0160I
图。 7 V
DSS
- T
J
图。 8 R
DS ( ON)
- T
J
C
C
图。 9
I
D
- T
C
图。 10安全工作区
`
*
KSD-T6Q001-000
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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电话:13510131896
联系人:欧阳
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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