STP90NF03L
STB90NF03L-1
N沟道30V - 0.0056Ω -90A TO- 220 / I
2
PAK
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP90NF03L
STP90NF03L-1
■
■
■
V
DSS
( @Tjmax )
30V
30V
R
DS ( ON)
<0.0065
<0.0065
I
D
90A
90A
3
1
2
O
ptimal
R
DS
(上)× Q
g
权衡
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
3
12
TO-220
I
2
PAK
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是第三
代意法半导体独有的“单
特征尺寸 “带为基础的进程。该
导致晶体管显示出最佳的权衡
之间的导通电阻和栅极电荷。当
在降压稳压器用于高端和低端,它
给出了在两个方面的最佳性能
传导和开关损耗。这是
对于主板在那里快速极其重要
开关和高效率是至
重要性。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP90NF03L
STB90NF03L-1
记号
P90NF03L
B90NF03L
包
TO-220
I
2
PAK
包装
管
管
2006年9月
第5版
1/13
www.st.com
13
目录
STP90NF03L - STB90NF03L - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STP90NF03L - STB90NF03L - 1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
=100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
30
± 20
90
65
360
150
0.73
-65 175
175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
R
THJ情况
R
THJ -A
T
l
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
1
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
3/13
电气特性
STP90NF03L - STB90NF03L - 1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 45A
V
GS
= 5V ,我
D
= 45A
1
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
2.5
0.0056 0.0065
0.007 0.012
表4 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
>号(上)× RDS ( ON)最大值
,
I
D
= 45A
分钟。
典型值。
40
2700
860
170
35
10
18
47
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
=0
V
DD
= 24V ,我
D
= 90A
V
GS
=5V
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15V ,我
D
= 45A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
(参见图12)
V
DD
= 15V ,我
D
= 45A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
(参见图12)
分钟。
典型值。
30
200
50
105
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
4/13
STP90NF03L - STB90NF03L - 1
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 90A ,V
GS
=0
I
SD
=90A,
的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 15V , TJ = 150℃
(参见图14)
80
90
2.5
测试条件
民
典型值。
最大
90
360
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
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STP90NF03L
STB90NF03L-1
N沟道30V - 0.0056Ω - 90A TO- 220 / I
2
PAK
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STP90NF03L
STB90NF03L-1
s
s
s
s
s
V
DSS
30 V
30 V
R
DS ( ON)
< 0.0065
< 0.0065
I
D
90 A
90 A
典型
DS
(上) = 0.0056
典型的Q
g
= 35 NC @ 5V
最优
DS
(上)× Q
g
权衡
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
3
1
2
3
12
TO-220
I
2
PAK
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是第三
代意法半导体独有的“单
特征尺寸
”
条形基础的过程。由此产生的
晶体管显示上重新之间的最佳平衡点
sistance和栅极电荷。当高和使用
在降压稳压器低压侧,它提供了最好的perfor-
曼斯在两个传导和开关的术语
损失。这是母亲 - 非常重要的
板需要快速切换和高效率
至为重要的。
内部原理图
应用
s
专门设计和优化
高效率的CPU CORE DC / DC
转换器
订购信息
销售类型
STP90NF03L
STB90NF03L-1
记号
P90NF03L
B90NF03L
包
TO-220
I
2
PAK
包装
管
管
2003年4月
1/9
STP90NF03L/STB90NF03L-1
电气特性
(续)
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值,
I
D
= 45 A
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
分钟。
典型值。
40
2700
860
170
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15V ,我
D
= 45 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5 V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 24V ,我
D
= 90 A,V
GS
= 5V
分钟。
典型值。
30
200
35
10
18
47
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 1 5V ,我
D
= 45 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5 V
(见测试电路,图3 )
分钟。
典型值。
50
105
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 90 A,V
GS
= 0
I
SD
= 90 A, di / dt的= 100A / μs的,
V
DD
= 15V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
80
90
2.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
90
360
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/9