SMP75-8
TRISIL
TM
特点
双向电涌放电器。
非常低对峙电压： V
RM
= 8 V.
高重复浪涌能力：
I
PP
= 75 A (10/1000
s).
非常低的电容：C < 75 pF的
低漏电流： < 2
A
描述
该SMP75-8是一个非常低的电压瞬变浪涌
避雷器是专门为保护敏感
防雷击电信设备
罢工和其他瞬变。
SMB
（ JEDEC DO- 214AA ）
主要应用
xDSL传输设备
原理图
好处
防止高能浪涌。
非常低的导通电压： V
BO
< 15 V ，从而
避免saturationof变压器。
无信号失真由于非常低的钙
pacitance 。
COMPLIESWITHTHE FOLLOWINGSTANDARDS ：
- BELLCORE TR -NWT
-000974:
- CCITT K20 ：
- VDE 0433 ：
- VDE 0878 ：
*用串联电阻或PTC 。
10/1000
s
10/1000
s
10/700
s
5/310
s
10/700
s
5/310
s
1.2/50
s
1/20
s
1千伏
75A *
4千伏
100A
4千伏
100A
4千伏
100A
1998年1月 - 埃德： 2
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SMP75-8
静态参数
TYPE
I
RM
@ V
RM
马克斯。
A
SMP75-8
2
V
6
I
R
@ V
R
马克斯。
注1
A
50
V
8
V
BO
@ I
BO
马克斯。
注2
V
15
mA
800
I
H
典型值。
注3
mA
50
C
马克斯。
注4
pF
75
注1 ：
红外测量VR担保VBR>VR
注2 ：
测量50Hz时，见测试电路1.在任何情况下VBOmin
≥
VBR
注3 ：
请参阅功能保持电流测试电路2 。
注4 ：
VR = 1V的偏差， VRMS = 1V ， F = 1MHz的。
动力参数
符号
测试条件（见注5 ）
测试条件1
V
上升
= 100 V / μs的， di / dt的< 10 A / μs的，我
PP
= 75 A
V
BO
测试条件2
V
上升
= 1千伏/微秒， di / dt的< 10 A / μs的，我
PP
= 10 A
注5：
VBO参数由KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块给出。
见测试电路（ 3），用于VBO动态参数。
TYPE
马克斯。
单位
SMP75-8
20
V
测试电路1 FOR I
BO
和V
BO
参数：
TP = 20ms的
AUTO
变压器
220V/2A
STATIC
继电器。
K
R1
140
R2
240
220V
VOUT
IBO
措施
D.U.T
V BO
措施
变压器
220V/800V
5A
测试步骤：
脉冲测试持续时间（ TP = 20毫秒） ：
- 对于双向器件=开关K闭合
- 单向设备=开关K断开。
V
OUT
选择
- 设备与V
BO
＆ LT ;
200伏
- V
OUT
= 250 V
RMS
, R
1
= 140
.
- 设备与V
BO
≥
200伏
- V
OUT
= 480 V
RMS
, R
2
= 240
.
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SMP75-8
功能HOLDING电流（I
H
）测试电路2 ： GO -NO GO测试
R
D.U.T.
- V
P
V
BAT
= - 6 V
浪涌发生器
这是一个GO -NO GO测试，其允许确认holdingcurrent （我
H
）水平在functionaltest电路。
测试步骤：
- 调节电流水平在我
H
值由短路的D.U.T.
- 消防的D.U.T.有浪涌电流：I
pp
= 10A, 10/1000
s.
- 该D.U.T.会回来的关断状态的50毫秒最大的持续时间内。
测试电路3中V
BO
动力参数
100 V /
s,
IPP = 75A
2
45
66
470
83
0.36 nF的
46
H
U
10
F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
1千伏/
s,
IPP = 10 A
26
H
250
12
47
46
H
U
60
F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
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SMP75-8
典型应用： T1 / E1保护
DA108S1
+ Vcc的
RTIP
5V
Rx线
+ Vcc的
RRING
0V
SMP75-8
+ Vcc的
IC
TTIP
+ Vcc的
SM6T6V8A
Tx线路
特林
SMP75-8
上面的示意图显示了T1 / E1应用
电路。这种类型的线路保护可使用
处所设备或电话公司
设备上的端口直接连接到金属
植物系。
在雷击浪涌，低电压TRISIL
SMP75-8
提供了一种有效的消弧保护
在变压器的初级侧。
该SMP75-8有一个最大峰值脉冲电流
75A （10 / 1000μs脉冲）和一个最大的
15V的击穿电压。这个低电压
防止变压器被饱和接触时
浪涌发生就行了。此外，该低
电容（ 65pF ）是必需的，以避免显著
中的高速数字的情况下的信号衰减
脉冲。
为保护IC线路接口从剩余
能量是通过变压器耦合，
附加过电压保护，建议在
集成电路的线路输入/输出管脚。二极管
阵列DA108S1连接+ Vcc和之间
GND然后用于限制剩余
在一个安全水平的过电压。
该DA108S1尤其致力于此
因为应用程序。其快速的响应时间和
低正向电压降使之能够夹住任何
该IC线路接口内部前激增
保护失败。此外，该低电容
（ 30pF的）是必需的，以防止信号劣化
高速datd 。
该DA108S1是一个完全集成的（ 1片）设备
并从ST的ASD结果
TM
（申请
具体分立器件）技术。自闭症
TM
结合
几个组件的功能集成到一个单一的
被定制，以满足精确单片器件
一个特定的应用程序的需求，从而允许
更高的密度和更高的可靠性。
订货编号
SMP
75 - 8
表面贴装
TRISIL 75一
电压
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SMP75-8
TRISIL 电信设备保护
特点
■
■
■
■
■
双向过压保护
电压： 8V
低漏电流：I
R
= 2μA（最大）
保持电流：我
H
= 150 mA（最小值）
重复峰值脉冲电流：
I
PP
= 75 A（ 10 / 1000μs ）
主要应用
任何敏感的设备需要保护
防雷击和电源交叉：
■
SMB
（ JEDEC DO- 214AA ）
以太网，T1 / E1
表1 ：订购代码
产品型号
SMP75-8
描述
该SMP75-8是一个非常低的电压瞬变浪涌
避雷器是专门为保护敏感
防雷击电信设备
罢工和其他瞬变。它的低电压使
它适用于保护低电压变压器中的T1 /
E1，未经反式饱和以太网链路
前者。
好处
Trisils不受老化，并提供一个失败
安全模式短路了更好的保护。
它们被用来帮助设备，以满足主
如UL1950 ， IEC950 / CSA C22.2标准
和UL1459 。他们有UL94 V0批准的树脂。
SMB封装符合JEDEC注册（ DO- 214AA ） 。
Trisils符合以下标准GR-
1089核心， ITU -T - K20 / K21 ， VDE0433 ， VDE0878 ，
IEC61000-4-5和FCC第68部分。
记号
L08
图1 ：示意图
TM ：
TRISIL是意法半导体公司的商标。
2006年1月
第4版
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SMP75-8
图10：对动态I测试电路1
BO
和V
BO
参数
100 V / μs的， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 75A的
2
45
66
470
83
0.36 nF的
46 H
U
10 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
1千伏/微秒， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 10 A
26 H
250
12
47
46 H
U
60 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
图11 ：测试电路2，我
BO
和V
BO
参数
K
吨= 20毫秒
R1 = 140
R2 = 240
220V 50HZ
VOUT
DUT
VBO
测量
1/4
IBO
测量
测试程序
脉冲测试持续时间（ TP = 20毫秒） ：
●
对于双向器件=开关K闭合
●
对于单向设备=开关K是开放的
V
OUT
选择：
●
器件采用V
BO
＆ LT ; 200V
V
OUT
= 250 V
RMS
, R1 = 140
●
器件采用V
BO
≥
200V
V
OUT
= 480 V
RMS
, R2 = 240
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