STD90N4F3 - STI90N4F3
STP90N4F3 - STU90N4F3
N沟道40 V， 5.4毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ，我
2
PAK
的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STD90N4F3
STI90N4F3
STP90N4F3
STU90N4F3
■
■
V
DSS
40 V
40 V
40 V
40 V
R
DS （ ON）
最大
< 6.5毫欧
< 6.5毫欧
< 6.5毫欧
< 6.5毫欧
I
D
80 A
80 A
80 A
80 A
Pw
1
3
3
2
1
110 W
110 W
110 W
110 W
DPAK
IPAK
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
1
2
3
3
12
应用
■
TO-220
IPAK
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这n沟道增强型功率
MOSFET是最新的细化
意法半导体独有的“单一特征尺寸
条形基础的过程不那么重要调整
步骤，因此，显着的制造
重现。由此产生的晶体管显示
极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
低栅电荷
.
表1中。
设备简介
记号
90N4F3
90N4F3
90N4F3
90N4F3
包
DPAK
IPAK
TO-220
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
管
管
订购代码
STD90N4F3
STI90N4F3
STP90N4F3
STU90N4F3
2008年7月
REV 2
1/16
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16
目录
STD90N4F3 - STI90N4F3 - STP90N4F3 - STU90N4F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/16
STD90N4F3 - STI90N4F3 - STP90N4F3 - STU90N4F3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
40
± 20
80
65
320
110
0.73
8
400
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
dv / dt的
(3)
E
的AS （4）
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
80 A ， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DS
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
TJMAX
4.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 40A ，V
DD
= 30V
表3中。
热阻
价值
符号
参数
TO-220
IPAK
单位
IPAK
1.36
DPAK
° C / W
--
50
--
° C / W
° C / W
°C
Rthj情况
Rthj -A
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
62.5
--
300
100
--
275
RthJ -PCB
(1)
热阻结到环境最大
T
l
最大无铅焊接温度的目的
1.当安装在1inch FR- 4盎司铜电路板
3/16
电气特性
STD90N4F3 - STI90N4F3 - STP90N4F3 - STU90N4F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
STATIC
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
2
5.4
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
40
10
100
±
200
V
A
A
nA
V
m
4
6.5
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25 V，I
D
=40 A
民
典型值。马克斯。单位
100
2200
580
40
40
11
8
54
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 20 V，I
D
= 80 A
V
GS
=10 V
（参见图14）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/16
STD90N4F3 - STI90N4F3 - STP90N4F3 - STU90N4F3
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（参见图16）
V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（参见图16）
分钟。
典型值。
15
50
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
40
15
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80 A，V
GS
=0
I
SD
=80 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 30 V ， TJ = 150℃
（参见图15）
45
60
2.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/16
STD90N4F3 ， STI90N4F3
STP90N4F3 ， STU90N4F3
N沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ，我
2
PAK
的STripFET III功率MOSFET
特点
TYPE
STD90N4F3
STI90N4F3
STP90N4F3
STU90N4F3
■
■
V
DSS
40 V
40 V
40 V
40 V
R
DS （ ON）
最大
< 5.8mΩ
< 6.2毫欧
< 6.2毫欧
< 6.2毫欧
I
D
80 A
80 A
80 A
80 A
Pw
110 W
110 W
110 W
110 W
3
1
3
2
1
DPAK
IPAK
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
1
3
2
3
12
TO-220
IPAK
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这的STripFET III功率MOSFET技术
是其中的最新改进，其中有
特别是针对已最大限度地减少通态
电阻提供出色的开关
表演。
表1中。
设备简介
记号
90N4F3
90N4F3
90N4F3
90N4F3
包
DPAK
IPAK
TO-220
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
管
管
订购代码
STD90N4F3
STI90N4F3
STP90N4F3
STU90N4F3
2009年7月
文档ID 14212牧师3
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16
目录
STD90N4F3 ， STI90N4F3 ， STP90N4F3 ， STU90N4F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
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文档ID 14212牧师3
STD90N4F3 ， STI90N4F3 ， STP90N4F3 ， STU90N4F3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
E
的AS （4）
T
j
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
40
± 20
80
65
320
110
0.73
8
400
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
80 A ， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DS
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
TJMAX
4.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 40A ，V
DD
= 30V
表3中。
符号
热阻
价值
参数
TO-220
IPAK
单位
IPAK
1.36
62.5
100
50
300
275
DPAK
° C / W
° C / W
° C / W
°C
Rthj情况
Rthj -A
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
RthJ -PCB
(1)
热阻结到环境最大
T
l
最大无铅焊接温度的目的
1.当安装在1inch FR- 4盎司铜电路板
文档ID 14212牧师3
3/16
电气特性
STD90N4F3 ， STI90N4F3 ， STP90N4F3 ， STU90N4F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
STATIC
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A的DPAK
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A的IPAK ，
IPAK ，TO- 220
2
5.0
5.4
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
40
10
100
±
200
V
A
A
nA
V
m
m
4
5.8
6.2
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25 V，I
D
=40 A
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 20 V，I
D
= 80 A
V
GS
=10 V
（参见图14）
民
-
-
典型值。马克斯。单位
100
2200
580
40
40
11
8
54
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/16
文档ID 14212牧师3
STD90N4F3 ， STI90N4F3 ， STP90N4F3 ， STU90N4F3
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（参见图16）
V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（参见图16）
分钟。
典型值。
15
50
40
15
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80 A，V
GS
=0
I
SD
=80 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 30 V ， TJ = 150℃
（参见图15）
测试条件
分钟。
-
-
45
60
2.8
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 14212牧师3
5/16
STD90N4F3
STP90N4F3 - STU90N4F3
N沟道40V - 5.4mΩ - 80A - DPAK - TO- 220 - IPAK
的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STD90N4F3
STP90N4F3
STU90N4F3
■
■
V
DSS
40V
40V
40V
R
DS （ ON）
<6.5m
<6.5m
<6.5m
I
D
80A
80A
80A
Pw
110W
110W
110W
1
3
1
3
2
3
2
1
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
DPAK
TO-220
IPAK
应用
■
开关应用
描述
这n沟道增强型功率
MOSFET是最新的细化
意法半导体独有的“单一特征尺寸
条形基础的过程不那么重要调整
步骤，因此，显着的制造
重现。由此产生的晶体管显示
极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
低栅电荷
.
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
订货编号
STD90N4F3
STP90N4F3
STU90N4F3
记号
90N4F3
90N4F3
90N4F3
包
DPAK
TO-220
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
管
2007年11月
REV 1
1/14
www.st.com
14
目录
STD90N4F3 - STP90N4F3 - STU90N4F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STD90N4F3 - STP90N4F3 - STU90N4F3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
40
± 20
80
65
320
110
0.73
8
400
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
dv / dt的
(3)
E
的AS （4）
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
< 80 A ， di / dt的< 400A / μs的，V
DS
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
， TJ < TJMAX
4.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 40A ，V
DD
= 30V
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj -A
热阻
价值
参数
TO-220
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
62.5
--
300
IPAK
1.36
100
--
275
--
50
--
DPAK
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
RthJ -PCB
(1)
热阻结到环境最大
T
l
最大无铅焊接温度的目的
1.当安装在1inch FR- 4盎司铜电路板
3/14
电气特性
STD90N4F3 - STP90N4F3 - STU90N4F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
STATIC
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
2
5.4
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
40
10
100
±
200
V
A
A
nA
V
m
4
6.5
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25 V，I
D
=40 A
民
典型值。马克斯。单位
100
2200
580
40
40
11
8
54
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 20 V，I
D
= 80 A
V
GS
=10 V
（参见图14）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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STD90N4F3 - STP90N4F3 - STU90N4F3
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（参见图16）
V
DD
= 20 V，I
D
= 40 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（参见图16）
分钟。
典型值。
15
50
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
40
15
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80 A，V
GS
=0
I
SD
=80 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 30 V ， TJ = 150℃
（参见图15）
45
60
2.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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