STP16NE06
STP16NE06FP
N - CHANNEL 60V - 0.08
- 16A - TO- 220 / TO- 220FP
的STripFET 功率MOSFET
初步数据
TYPE
STP16NE06
STP16NE06FP
s
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS ( ON)
< 0.100
< 0.100
I
D
16 A
11 A
典型
DS ( ON)
= 0.08
雪崩坚固的技术
100%的雪崩测试
175
o
C的工作温度
DV dt能力高/
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
SGS - THOMSON独有"Single功能Size"
过程,由此单个本体被植入于一
带布局结构。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整,因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
直流电机控制
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
同步整流
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
V
ISO
dv / dt的
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25 C
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
绝缘耐压( DC )
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
TO-220FP
内部原理图
价值
STP16NE06
STP16NE06FP
60
60
±
20
16
10
64
60
0.4
6
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
16 A , di / dt的
≤
200 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX
单位
V
V
V
11
7
64
30
0.2
2000
A
A
A
W
o
W / C
V
V / ns的
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
新的RDS(on )规格。从98年7月开始
’
1998年6月
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