【STP7NB60STP7NB60FPN - 沟道增强型的PowerMESH MOSFETTYPE】,IC型号STP7NB60,STP7NB60 PDF资料,STP7NB60经销商,ic,电子元器件-51电子网

STP7NB60

STP7NB60FP

N - 沟道增强型

的PowerMESH MOSFET

TYPE

STP7NB60

STP7NB60F P

DSS

600 V

DS （ ON）

＆ LT ; 1.2

7.2 A

4.1 A

典型

DS （ ON）

= 1.0

DV dt能力极高/

100％的雪崩测试

非常低的固有电容

栅极电荷最小化

描述

采用了最新的高电压MESH OVERLAY

过程中， SGS - Thomson还设计了一个

功率MOSFET具有先进的家庭

出色的表现。新专利

未决带布局再加上公司的

专有的边缘终端结构，给出了

单位面积最低的RDS（on ），特殊的雪崩

和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷

和开关特性。

应用

大电流，高开关速度

开关模式电源（ SMPS ）

DC -AC转换器，用于焊接

设备和不间断

电源和电机驱动器

绝对最大额定值

符号

DGR

()

吨OT

的dv / dt （

)

ISO

英镑

1998年3月

参数

漏源电压（V

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流（连续）在T

= 25 C

漏电流（连续）在T

= 100 C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25 C

降额因子

峰值二极管恢复电压斜率

绝缘W ithstand电压（DC ）

储存温度

马克斯。操作摄像结温

TO-220

TO-220FP

内部原理图

价值

ST P7NB60

STP7NB60FP

600

7.2

4.5

28.8

125

1.0

4.5

-65到150

150

(

) I

≤

图7A中， di / dt的

≤

200 A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

， TJ

≤

JMAX

UNI吨

4.1

2.6

28.8

0.32

4.5

2000

W / C

V / ns的

1/9

（）脉冲宽度有限的安全工作区

STP7NB60/FP

热数据

TO-220

吨HJ -CA SE

吨hj- AMB

thc- SI NK

热阻结案件

最大

1.0

62.5

0.5

300

牛逼O220 -F P

3.13

C / W

热阻结到环境

最大

热阻案例散热器

典型值

最大无铅焊接温度的目的

雪崩特性

SYMB OL

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度限制T

最大，

＆ LT ; 1％）的

单脉冲雪崩能量

（起始物为

= 25℃ ，我

= I

, V

= 50 V)

最大VALU ê

7.2

580

单位

电气特性

例

= 25

C除非另有说明）

关闭

SYMB OL

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

测试电导率银行足球比赛s

= 250

= 0

分钟。

600

100

典型值。

马克斯。

取消它

零栅极电压

=最大额定值

漏电流（V

= 0) V

=最大额定值

门体漏

电流（V

= 0)

30 V

= 125 C

开（ *）

SYMB OL

GS （ TH）

DS （ ON）

D（ 0：N ）

参数

门牛逼hreshold电压V

= V

静态漏源0：N

阻力

在国家漏极电流

= 10V

测试电导率银行足球比赛s

= 250

= 3.6 A

7.2

分钟。

典型值。

1.0

马克斯。

1.2

取消它

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON） MAX

= 10 V

动态

SYMB OL

()

国际空间站

OSS

RSS

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试电导率银行足球比赛s

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON） MAX

= 25 V

F = 1 MHz的

= 3.6 A

= 0

分钟。

典型值。

5.3

1250

165

1625

223

马克斯。

取消它

2/9

STP7NB60/FP

电气特性

（续）

接通

SYMB OL

D（上）

参数

开启对T IME

上升时间

总摹吃费

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试电导率银行足球比赛s

= 300 V I

= 3.6 A

= 10 V

= 4.7

（见测试电路，图3 ）

= 480 V

= 7.2 V

= 10 V

分钟。

典型值。

9.9

13.3

马克斯。

取消它

关闭

SYMB OL

R（ VOF F）

参数

对F-电压上升时间

下降时间

交叉牛逼IME

测试电导率银行足球比赛s

= 480 V I

= 7.2 A

= 4.7

= 10 V

（见测试电路，图5 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

取消它

源漏二极管

SYMB OL

SDM

()

RRM

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

转移O N个电压

反向恢复

时间

反向恢复

收费

反向恢复

当前

= 7.2 A

= 0

530

4.5

测试电导率银行足球比赛s

分钟。

典型值。

马克斯。

7.2

28.8

1.6

取消它

= 7.2的di / dt = 100 A / μs的

= 150 C

= 100 V

（见测试电路，图5 ）

（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

（）脉冲宽度有限的安全工作区

安全工作区TO- 220

安全工作区TO- 220FP

3/9

STP7NB60/FP

对于TO- 220热阻抗

热阻抗forTO - 220FP

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

4/9

STP7NB60/FP

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

归栅极阈值电压VS

温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

5/9

N沟道600V - 1.0

- 7.2A TO-220 / TO- 220FP

的PowerMESH MOSFET

表1.一般特点

TYPE

STP7NB60

STP7NB60FP

DSS

600 V

DS （ ON）

＆ LT ; 1.2

7.2 A

4.1 A

STP7NB60

STP7NB60FP

图1.包装

功能摘要

■

典型

DS （ ON）

= 1.0

■

DV dt能力极高/

100％的雪崩测试

非常低的固有电容

栅极电荷最小化

TO-220

TO-220FP

描述

采用了最新的高电压MESH OVERLAY

过程中，意法半导体设计了一个AD-

vanced系列功率MOSFET有着出色的

荷兰国际集团的演出。新的正在申请专利的带

布局再加上公司的专有

边缘终端结构，给出最低

单位面积的RDS（on ），特殊的雪崩和dv /

DT能力和无与伦比的栅极电荷和

开关特性。

应用

■

大电流，高开关速度

■

图2.内部示意图

开关模式电源（ SMPS ）

DC -AC转换器，用于焊接

设备和不间断

电源和电机驱动器

表2.订购代码

产品型号

STP7NB60

STP7NB60FP

记号

P7NB60

P7NB60FP

包

TO-220

TO-220FP

包装

管

第2版

2004年4月

1/11

STP7NB60/FP

表3.绝对最大额定值

价值

符号

DGR

糖尿病（1）

合计

参数

STP7NB60

漏源电压（V

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流（续）在T

= 25 °C

漏电流（续）在T

= 100 °C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25 °C

降额因子

dv / dt的

(2)

ISO

英镑

峰值二极管恢复电压斜率

绝缘耐压（ DC ）

储存温度

马克斯。工作结温

7.2

4.5

28.8

125

1.0

4.5

–

-65到150

150

600

± 30

4.1

2.6

28.8

0.32

4.5

2000

STP7NB60FP

W° / C

V / ns的

°C

单位

注：1，脉冲宽度有限的安全工作区

2. I

≤

图7A中， di / dt的

≤

200 A / μs的，V

≤

BR ） DSS

, T

≤

JMAX

表4.热数据

价值

符号

THJ情况

THJ - AMB

参数

TO-220

热阻结案件

热阻结到环境

最大

1.0

62.5

300

TO220-FP

3.13

° C / W

°C

单位

最大无铅焊接温度的

用途

表5.雪崩特性

符号

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度限制T

最大，

＆ LT ; 1％）的

单脉冲雪崩能量

（起始物为

= 25°C ;我

= I

; V

= 50 V)

最大值

7.2

580

单位

2/11

STP7NB60/FP

电气特性

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表6.关

符号

（ BR ） DSS

DSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（ VGS = 0 ）

GSS

门体漏

电流（VDS = 0）

测试条件

= 250毫安; V

= 0

=最大额定值

=最大额定值; TC = 125°C

= ± 30 V

分钟。

600

± 100

典型值。

马克斯。

单位

表7.

(1)

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

; I

= 250

= 10V ;我

= 3.6 A

分钟。

典型值。

1.0

马克斯。

1.2

单位

注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

表8.动态

符号

飞秒（1）

国际空间站

OSS

RSS

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

＆ GT ;我

D（上）

个R

DS （ ON）最大值

; I

= 3.6 A

= 25 V ; F = 1兆赫; V

= 0

分钟。

典型值。

5.3

1250

165

1625

223

马克斯。

单位

注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

表9.开关开

符号

TD （上）

参数

开启时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 300 V ;我

= 3.6 A R

= 4.7

= 10 V （见测试电路，图18）

= 480 V I

= 7.2 V

= 10 V

分钟。

典型值。

9.9

13.3

马克斯。

单位

表10.关闭

符号

R（ Voff时）

参数

关闭电压上升时间

下降时间

交叉时间

测试条件

= 480 V ;我

= 7.2 ;

= 4.7

= 10 V （见测试电路，图20）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

3/11

STP7NB60/FP

表11.源漏二极管

符号

SDM （1）

的SD （2）

RRAM

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

= 7.2 V

= 0

= 7.2 ;一的di / dt = 100 A / μs的

= 100 V T，

= 150 °C

（见测试电路，图20 ）

530

4.5

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

7.2

28.8

单位

注：1，脉冲宽度有限的安全工作区

2.脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

图3.安全工作区的TO- 220

图4.安全工作区的TO- 220FP

对于TO- 220图5.热阻抗

对于TO- 220FP图6.热阻抗

4/11

STP7NB60/FP

图7.输出特性

图8.传热特性

图9.跨导

上电阻图10中的静态漏极 - 源极

图11.栅极电荷VS栅极 - 源极电压

图12.电容变化

5/11