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STP62NS04Z
N沟道钳位12.5mΩ - 62A - TO- 220
充分保护MESH OVERLAY 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP62NS04Z
V
DSS
( @Tjmax )
R
DS ( ON)
<0.015
I
D
62A
100%的雪崩测试
低电容和栅极电荷
175 ° C最高结温
TO-220
1
2
3
描述
这充分钳位MOSFET是通过使用产生
最新的先进公司的网覆盖
方法,该方法是基于一种新的带布局。
新技术的固有优势
再加上额外的钳位能力使
本产品特别适合在最恶劣
操作条件如那些遇到
在汽车环境。任何其他
应用程序需要额外的耐用性也
推荐使用。
内部原理图
应用
开关应用
订购代码
产品型号
STP62NS04Z
记号
P62NS04Z
TO-220
包装
2006年10月
第5版
1/12
www.st.com
12
目录
STP62NS04Z
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STP62NS04Z
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DG
I
GS
I
DM(1)
P
合计
dv / dt的
(2)
E
的AS (3)
V
ESD
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
=100°C
栅漏极电流(连续)
门SourceCurrent (连续)
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
ESD ( HBM - C = 100pF电容, R = 1.5千欧)
工作结温
储存温度
价值
62
37.5
± 50
± 50
248
110
0.74
8
500
8
-55至175
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
V
°C
单位
V
V
A
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2. I
SD
40A , di / dt的
100A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
j
T
JMAX
3.
起始物为
J
= 25
o
C,我
D
= 20A ,V
DD
= 20V
表2中。
符号
R
thJC
R
thJA
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
价值
1.36
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
3/12
电气特性
STP62NS04Z
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 16V
V
GS
= ±10V
I
GS
= 100 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 30A
18
2
12.5
4
15
分钟。
33
10
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
V
V
m
表4 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ,我
D
= 30A
V
DS
= 25V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
20
1330
420
135
34
10
11.5
47
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DD
= 20V ,我
D
= 40A
V
GS
=10V
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
R( Voff时)
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 20V ,我
D
= 20A,
R
G
=4.7, V
GS
= 10V
图13第8页
V
= 30V ,我
D
= 40A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
图13第8页
分钟。
典型值。
13
104
41
42
30
54
90
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4/12
STP62NS04Z
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 62A ,V
GS
= 0
I
SD
= 40A,
的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 20V ,T
J
= 150°C
图15第8页
45
65
2.9
测试条件
典型值。
最大
62
248
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
5/12
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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