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STM8300
S A mHop微电子 ORP 。
版本1.0
双增强模式场效应晶体管( N和P沟道)
产品概要( N沟道)
V
DSS
30V
产品概要( P沟道)
V
DSS
-30V
I
D
5.3A
R
DS ( ON)
(m
)最大
46
@
VGS=10V
I
D
-4.7A
R
DS ( ON)
(m
)最大
56
@
VGS=-10V
90
@
VGS=-4.5V
65
@
VGS=4.5V
D
2
D
2
5
6
7
8
4
3
2
1
G
2
S
2
G
1
S
1
S 0 - 8
1
D
1
D
1
绝对最大额定值(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J,
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
b
a
N沟道
30
±20
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
5.3
4.2
19
a
P沟道
-30
±20
-4.7
-3.8
-17
2.0
1.28
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
最大功率耗散
工作结存储
温度范围
-55到150
热特性
R
JA
热阻,结到环境
a
62.5
° C / W
详细信息如有变更,恕不另行通知。
Jul,31,2008
1
www.samhop.com.tw
STM8300
版本1.0
N沟道电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
DS
=24V , V
GS
=0V
30
1
±100
V
uA
nA
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
基本特征
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
c
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=5.3A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=4.5A
V
DS
= 5V ,我
D
=5.3A
1
1.6
38
48
10
3
46
65
V
兆欧
兆欧
S
动态特性
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输出电容
310
V
DS
=15V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
73
44
pF
pF
pF
反向传输电容
c
开关特性
导通延迟时间
t
D(上)
tr
上升时间
t
D(关闭)
tf
Q
g
Q
gs
Q
gd
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
=15V
I
D
=1A
V
GS
=10V
R
= 6欧姆
V
DS
=15V,I
D
=5.3A,V
GS
=10V
V
DS
=15V,I
D
=5.3A,V
GS
=4.5V
V
DS
=15V,I
D
=5.3A,
V
GS
=10V
7.5
9.5
16
13
5.3
2.8
0.9
1.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
二极管的正向电压
b
1
0.79
1.2
A
V
V
GS
=0V,I
S
=1A
Jul,31,2008
2
www.samhop.com.tw
STM8300
版本1.0
P沟道电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
DS
=-24V , V
GS
=0V
典型值
最大
单位
V
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
-30
-1
±100
uA
nA
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-4.7A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-3.7A
V
DS
= -5V ,我
D
=-4.7A
-1.0
-1.8
46
68
7.5
-3.0
56
90
V
兆欧
兆欧
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
c
V
DS
=-15V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
520
125
78
7.5
12.4
62
37
10.3
5.2
1.1
2.8
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
D(上)
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
=-15V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
= 6欧姆
V
DS
=-15V,I
D
=-4.7A,V
GS
=-10V
V
DS
=-15V,I
D
=-4.7A,V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V,I
D
=-4.7A,
V
GS
=-10V
漏源二极管的特性
最大连续漏源二极管的正向电流
I
S
V
SD
二极管的正向电压
b
V
GS
=0V,I
S
=-1A
-0.77
-1
-1.2
A
V
笔记
_
a.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300US ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
Jul,31,2008
3
www.samhop.com.tw
STM8300
版本1.0
N沟道
25
V
的s
=10V
V
的s
=4.5V
V
的s
=4V
15
I
D
,漏电流( A)
15
V
的s
=3.5V
I
D
,漏电流( A)
20
12
9
25 C
6
T J = 125℃
3
-55 C
0
0.0
10
V
的s
=3V
V
的s
=2.5V
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.7
1.4
2.1
2.8
3.5
4.2
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
78
65
V
的s
=4.5V
图2.传输特性
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V
GS
=10V
I
D
=5.3A
V
GS
=4.5V
I
D
=4.5A
R
DS ( ON)
(m
)
52
39
V
的s
=10V
26
13
0
1
5
10
15
20
25
R
DS ( ON)
,导通电阻
0
25
50
75
100
125
150
T J (
°C )
I
D
,漏电流( A)
TJ ,结温( ° C)
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
1.6
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
BVDSS ,归
漏源击穿电压
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
I
D
=250uA
Vth时,归一化
门源阈值电压
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
0.4
-55 -25
0
25
50
75
100 125 150
TJ ,结温( ° C)
TJ ,结温( ° C)
图5.门阈值变化
随温度
4
图6.击穿电压变化
随温度
Jul,31,2008
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STM8300
版本1.0
90
75
20
是,源极 - 漏极电流( A)
I
D
=5.3A
10
R
DS ( ON)
(m
)
60
45
30
15
0
75 C
T
J
=
125 C
25 C
25 C
T
J
=
125 C
75 C
0
2
4
6
8
10
1.0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图7.导通电阻与
栅源电压
600
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
10
V
GS
,门源电压( V)
500
C,电容(pF )
8
6
4
2
0
0
V
DS
=15V
I
D
=5.3A
400
西塞
300
200
科斯
100
CRSS
0
0
5
10
15
20
25
30
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
,漏极至源极电压( V)
QG ,总栅极电荷( NC)
图9.电容
图10.栅极电荷
250
70
im
it
10
0u
切换时间(纳秒)
100
60
10
吨D(上)
I
D
,漏电流( A)
10
R
DS
吨D(关闭)
Tr
Tf
(O
L
N)
1m
10
s
s
10
0m
ms
1
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
1
DC
s
1
1
V DS = 15V , ID = 1A
V G S = 10V
0.1
6 10
60 100 300 600
0.1
10
30
50
RG ,栅极电阻(
)
V
DS
,漏源电压(V )
图11.开关特性
图12.最大安全工作区
Jul,31,2008
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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