STP60NS04ZB
N沟道钳位 - 为10mΩ - 60A - TO- 220
充分保护MESH OVERLAY 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP60NS04ZB
■
■
■
V
DSS
夹
R
DS （ ON）
< 0.015Ω
I
D
60A
100％的雪崩测试
低电容和栅极电荷
175 ° C最高结温
TO-220
1
2
3
描述
这充分钳位功率MOSFET产生
通过使用最新的先进公司的网
这是基于一个新的条带覆盖处理
布局。新的固有的优势
技术，再加上额外的夹紧
功能让这款产品特别适合
在最恶劣的工作条件，如
那些在汽车遇到
环境。任何其他应用程序需要额外的
耐用性也推荐。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP60NS04ZB
记号
P60NS04ZB
包
TO-220
包装
管
2006年10月
REV 2
1/13
www.st.com
13
目录
STP60NS04ZB
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
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STP60NS04ZB
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DG
I
GS
I
DM(1)
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
栅漏极电流（连续）
门源电流（连续）
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
夹
夹
60
42
±50
±50
240
150
1
6
4
4
单位
V
V
A
A
mA
mA
A
W
W / ℃，
KV
KV
KV
V
ESD （G -S ）
V
ESD（ G- D）
V
静电放电（D- S）
T
英镑
T
j
门源ESD
（ HBM - C = 100pF电容， R = 1.5千欧）
栅极 - 漏极的ESD
（ HBM - C = 100pF电容， R = 1.5千欧）
漏源ESD
（ HBM - C = 100pF电容， R = 1.5千欧）
储存温度
-65 175
马克斯。工作结温
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 30 V)
最大值
60
400
单位
A
mJ
3/13
电气特性
STP60NS04ZB
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅源击穿
电压
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
=0
-40 <牛逼
j
< 175
V
DS
= 16V ;牛逼
J
=150°C
V
DS
= 16V ;牛逼
J
=175°C
V
GS
= ± 10V ;吨
j
=175°C
V
GS
= ± 16V ;吨
j
=175°C
I
GS
= 100A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
-40 <牛逼
J
< 150℃
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
V
GS
= 16V ，我
D
= 30A
18
1.7
3
11
10
4.2
15
14
分钟。
33
50
100
50
150
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
A
V
V
m
m
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
下降时间
交叉时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
=30A
分钟。
20
典型值。
40
1700
800
190
60
45
100
48
13
16
2100
1000
240
75
60
130
42
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
钳
= 30V ，我
D
= 60A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图14）
V
DD
= 18V ，我
D
= 60A,
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7
（见
图15）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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STP60NS04ZB
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 60A ，V
GS
= 0
50
62
2.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 60A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 15V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图16）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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