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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1002页 > SH8M3
4V驱动N沟道+ P沟道MOSFET
SH8M3
Structure
硅的N沟道/ P沟道MOSFET
■特点
1）低导通电阻。
2 ）内置G -S保护二极管。
3 ）小型表面贴装封装（ SOP8 ） 。
●应用
电源开关， DC / DC变换器。
每根导线具有相同的尺寸
尺寸
（单位：毫米）
SOP8
Packaging
特定网络阳离子
包
TYPE
SH8M3
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TB
2500
Inner
电路
(8)
(7)
(6)
(5)
(8) (7) (6) (5)
2
2
(1) (2) (3) (4)
（ 1 ） Tr1的（ N沟道）来源
（ 2 ） Tr1的（ N沟道）门
（ 3 ） Tr2的（ PCH）来源
（ 4 ） Tr2的（ PCH）门
（ 5 ） Tr2的（ PCH）漏
（ 6 ） Tr2的（ PCH）漏
（ 7 ） Tr1的（ N沟道）漏
（ 8 ） Tr1的（ N沟道）漏
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷板上。
1
1
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
连续
脉冲
连续
脉冲
范围
N沟道
P沟道
30
30
±20
±20
±4.5
±5.0
±18
±20
1.6
1.6
20
18
2
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
(1)
(2)
(3)
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
A
保护二极管被包含在栅极和间
源端，以防止静电的二极管
电时，该产品在使用中。使用保护
当固定电压超过电路。
热
阻力
参数
渠道环境
* MOUNTED
在陶瓷板。
符号
RTH （ CH -A ）
范围
62.5
单位
°C
/ W
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○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
1/5
2009.12 - Rev.A的
SH8M3
N沟道
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
符号
分钟。
30
1.0
3.0
典型值。
36
52
58
230
80
50
6
8
22
5
3.9
1.1
1.4
马克斯。
±10
1
2.5
51
73
82
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
数据表
单位
μA
V
μA
V
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±20V,
V
DS
=0V
I
D
=1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=30V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=5.0A,
V
GS
=10V
I
D
=5.0A,
V
GS
=4.5V
I
D
=5.0A,
V
GS
=4V
I
D
=5.0A,
V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=2.5A,
V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
=6.0Ω
R
G
=10Ω
V
DD
15V
V
GS
=5V
I
D
=5.0A
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
=6.4A,
V
GS
=0V
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SH8M3
P沟道
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
符号
分钟。
典型值。
40
57
65
850
190
120
10
25
60
25
8.5
2.5
3.0
马克斯。
±10
1
2.5
56
80
90
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
30
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
GS （ TH）
1.0
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
R
DS （ ON）
阻力
3.5
Y
fs
正向转移导纳
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
下降时间
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
栅极 - 源电荷
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
数据表
单位
μA
V
μA
V
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
= ±20V,
V
DS
=0V
I
D
= -1mA ，
V
GS
=0V
V
DS
=30V,
V
GS
=0V
V
DS
= 10V,
I
D
= -1mA
I
D
= 4.5A,
V
GS
= 10V
I
D
= 2.5A,
V
GS
= 4.5V
I
D
= 2.5A,
V
GS
= 4.0V
I
D
= 2.5A,
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 2.5A,
V
DD
15V
V
GS
= 10V
R
L
=6.0Ω
R
G
=10Ω
V
DD
15V
V
GS
= 5V
I
D
= 4.5A
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 1.6A,
V
GS
=0V
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SH8M3
N沟道
ⅵELECTRICAL
特性曲线
1000
数据表
1000
t
f
C
国际空间站
100
栅源电压： V
GS
(V)
10
切换时间： T（ NS ）
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
10000
电容：C （PF ）
Ta=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=10V
R
G
=10Ω
脉冲
10
Ta=25°C
9 V
DD
=15V
I
D
=5A
8
R
G
=10Ω
7脉冲
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
100
t
D（关闭）
C
OSS
C
RSS
10
t
r
t
D（上）
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
漏源电压： V
DS
(V)
漏电流：我
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(mΩ)
10
V
DS
=10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
300
Ta=25°C
脉冲
250
200
150
100
50
0
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
=0V
脉冲
1
源电流：我
s
(A)
漏电流：我
D
(A)
0.1
I
D
=5A
I
D
=2.5A
1
0.1
0.01
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
栅源电压： V
GS
(V)
栅源电压： V
GS
(V)
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(mΩ)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(mΩ)
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
=10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
=4.5V
脉冲
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(mΩ)
1000
1000
1000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
=4V
脉冲
100
100
100
10
10
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
1
0.1
1
10
漏电流：我
D
(A)
漏电流：我
D
(A)
漏电流：我
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ Ι ）
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙ ）
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙΙ ）
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SH8M3
P沟道
ⅵELECTRICAL
特性曲线
10000
数据表
栅源电压：
V
GS
(V)
切换时间： T（ NS ）
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
10000
电容：C （PF ）
1000
1000
Ta=25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 10V
R
G
=10Ω
脉冲
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Ta=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 4.5A
R
G
=10Ω
脉冲
C
国际空间站
t
f
100
t
D（关闭）
100
C
OSS
C
RSS
10
t
D（上）
t
r
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
8
9
10
漏源电压：
V
DS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(mΩ)
10
V
DS
= 10V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
200
10
源电流：
I
S
(A)
Ta=25°C
脉冲
150
V
GS
=0V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
漏电流：
I
D
(A)
1
I
D
=4.5A
I
D
=2.0A
1
0.1
100
0.1
0.01
50
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
栅源电压：
V
GS
(V)
栅源电压：
V
GS
(V)
源极 - 漏极电压：
V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(mΩ)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(mΩ)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(mΩ)
1000
V
GS
= 10V
脉冲
1000
V
GS
= 4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
1000
V
GS
= 4V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
100
100
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ Ι ）
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙ ）
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙΙ ）
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S-8051ANR
SST29LE010-150-4C-EH
STP60NS04ZB_06
ST173C10CHJ1P
SD125SCU100A
SMZ3547
SJ-A292B-FREQ
SRC1210N
S-8232
S8232
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SMA5105
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