【P沟道增强型MOSFET-10A描述STP4435A是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管这是使用高密度】,IC型号STP4435A,STP4435A PDF资料,STP4435A经销商,ic,电子元器件-51电子网

P沟道增强型MOSFET

10A

描述

STP4435A是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

这是使用高密度生产， DMOS沟道技术。这种高密度

过程特别是针对减少通态电阻。这些设备是

特别适用于低电压应用，例如LCD背光，笔记本

计算机的电源管理和其它电池供电的电路。

STP4435A

引脚配置

SOP-8

特征

-30V / -9.2A ，R

DS （ ON）

= 22MΩ （典型值）。

=-10V

-30V / -7.0A ，R

DS （ ON）

= 30mΩ

= -4.5V

超高密度电池设计

非常低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大

DC电流能力

SOP- 8封装设计

最热

SOP-8

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2007 ， Stanson公司

STP4435A 2007 V1

P沟道增强型MOSFET

10A

STP4435A

ABSOULTE最大额定值

（ TA = 25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

(TJ=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流

（二极管传导）

功耗

工作结温

Storgae温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70

℃

=25℃

=70

℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

-30

-10.0

-7.0

-50

-2.3

2.8

1.8

-55/150

单位

℃

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10A

STP4435A

电气特性

（ TA = 25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅压漏

当前

通态漏电流

漏源导通电阻

转发TRAN导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向TransferCapacitance

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

最小典型最大单位

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

=55

℃

D（上）

DS （ ON）

=0V,I

=-250uA

= -250微安

=0V,V

20V

=-30V,V

=0V

=-30V,V

=0V

DS = -

5V,V

=10V

= -10V ，我

=-9.2A

= -4.5V ，我

=-7.0

=-10V,I

=-9.0A

=-2.0A,V

=0V

-30

-1.0

-3.0

100

-1

-5

-40

0.022

0.030

-0.8 -1.2

西塞

科斯

CRSS

D（上）

=-15V,V

=-10V

-9.A

2.3

4.5

1650

=-15V,VGS=0V

f=1MHz

350

235

110

D（关闭）

=15V,R

=15

=-1.0A,V

根

=-10V

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典型CHARACTERICTICS

（ 25 ℃除非注）

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