新产品
SiE868DF
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
I
D
(A)
a
V
DS
(V)
40
R
DS （ ON）
(Ω)
0.0023在V
GS
= 10 V
0.0029在V
GS
= 4.5 V
硅
极限
169
150
包
Q
g
（典型值）。
极限
60
45 NC
60
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
第三代功率MOSFET
超低热阻使用
顶部裸露的PolarPAK
包
双面冷却
引线框架为基础的新型密封封装
- 模具不外露
- 相同分屏无论芯片尺寸，
≤
100 V
低Q
gd
/Q
gs
比有助于防止直通
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
封装图
www.vishay.com/doc?72945
的PolarPAK
10
D
9
G
8
S
7
S
6
D
6
7
8
9
10
应用
初级侧开关
半桥
D
D
S
G
D
D
G
D
1
G
2
S
S
3
4
顶部
意见
D
5
5
4
3
2
1
S
N沟道
MOSFET
对于相关文档
www.vishay.com/ppg?65006
底部
意见
顶面连接至引脚1 ， 5，6，和10
订货信息：
SiE868DF -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
40
± 20
169 （硅限制）
60
a
（套餐限制）
60
a
35
B，C
34
B，C
100
60
a
4.3
B，C
50
125
125
80
5.2
B，C
3.3
B，C
- 55 150
260
单位
V
A
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
雪崩能量
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
mJ
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
P
D
W
最大功率耗散
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
°C
焊接建议（峰值温度）
D，E
注意事项：
一。套餐限量为60 A.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。见焊接温度曲线
(www.vishay.com/doc?73257).
该的PolarPAK是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未
镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，不
需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 65006
S09-1222 -REV 。 A， 6月29日09
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1
新产品
SiE868DF
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
t
≤
10 s
最大结点到环境
A，B
最大结至外壳（漏顶）
稳定状态
最大结至外壳（来源）
A，C
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。在稳态条件下最大为68 ° C / W 。
。测量源极引脚（在包装的一侧） 。
符号
R
thJA
R
thJC
（漏）
R
thJC
（来源）
典型
20
0.8
2.2
最大
24
1
2.7
单位
° C / W
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
当前
a
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
=
10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5
V，I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
1.0
40
45
- 5.5
1.6
V
毫伏/°C的
2.2
± 100
1
10
0.0023
0.0029
V
nA
A
A
0.0018
0.0024
105
6100
700
320
95
45
17
12
1.1
40
165
65
110
15
15
50
10
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
25
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 20 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 20 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
F = 1 MHz的
V
DD
= 20 V ，R
L
= 2
Ω
I
D
10 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
0.2
pF
145
65
nC
Ω
V
DD
= 20 V ，R
L
= 2
Ω
I
D
10 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
2.2
60
250
100
165
25
25
75
15
60
100
1.2
75
115
ns
T
C
= 25 °C
I
S
= 10 A
I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
0.8
50
75
30
20
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
A
V
ns
nC
ns
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 65006
S09-1222 -REV 。 A， 6月29日09
新产品
SiE868DF
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
V
GS
= 10
V
直通4
V
80
V
GS
= 3
V
I
D
- 漏电流（ A）
60
I
D
- 漏电流（ A）
12
16
T
C
= 125 °C
20
40
8
T
C
= 25 °C
4
T
C
= - 55 °C
20
V
GS
= 2
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.0030
8000
7000
传输特性
0.0025
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5
V
0.0020
V
GS
= 10
V
C
国际空间站
6000
5000
4000
3000
2000
0.0015
0.0010
0.0005
1000
C
RSS
0.0000
0
20
40
60
80
100
0
0
5
10
C
OSS
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 20 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
V
DS
= 10
V
6
V
DS
= 20
V
4
V
DS
= 32
V
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.6
2.0
I
D
= 20 A
1.8
电容
V
GS
= 4.5
V
V
GS
= 10
V
1.4
1.2
1.0
0.8
2
0
0
20
40
60
80
100
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 65006
S09-1222 -REV 。 A， 6月29日09
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3
新产品
SiE868DF
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
0.008
0.007
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.006
0.005
0.004
T
J
= 125 °C
0.003
0.002
0.001
1
0.0
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
T
J
= 25 °C
I
D
= 20 A
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 25 °C
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
2.0
50
导通电阻与栅极至源极电压
1.8
40
1.6
V
GS （ TH）
(V)
功率（W）的
30
1.4
I
D
= 250
A
1.2
20
1.0
10
0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
有限
by
R
DS （ ON）
*
单脉冲功率，结到环境
10
I
D
- 漏电流（ A）
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.01
BVDSS
10 s
DC
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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4
文档编号： 65006
S09-1222 -REV 。 A， 6月29日09
新产品
SiE868DF
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
200
140
120
160
I
D
- 漏电流（ A）
Po
w
呃耗散（
W
)
100
80
60
40
20
120
80
包装有限公司
40
0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
功率降额，结至外壳
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 65006
S09-1222 -REV 。 A， 6月29日09
www.vishay.com
5
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