STB3N62K3 ， STD3N62K3 ， STF3N62K3
STP3N62K3 ， STU3N62K3
N沟道620 V， 2.2
， 2.7 SuperMESH3 功率MOSFET
D
2
PAK ， DPAK ，TO- 220FP ， TO-220， IPAK
特点
TYPE
STB3N62K3
STD3N62K3
STF3N62K3
STP3N62K3
STU3N62K3
V
DSS
620 V
620 V
620 V
620 V
620 V
R
DS （ ON）
最大
＆ LT ; 2.5
＆ LT ; 2.5
＆ LT ; 2.5
＆ LT ; 2.5
＆ LT ; 2.5
I
D
2.7 A
2.7 A
2.7 A
(1)
2.7 A
2.7 A
P
D
45 W
45 W
20 W
45 W
45 W
IPAK
3
1
3
2
1
1
3
DPAK
DPAK
3
1
2
1
2
3
1.限制由包
■
■
■
■
■
100％的雪崩测试
DV dt能力极高/
非常低的固有电容
改进的二极管的反向恢复
特征
齐纳保护
TO-220
TO-220FP
图1 。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
获得新SuperMESH3 系列
通过进一步的微调的组合
ST的确立带钢为主的PowerMESH
与垂直的一个新的优化布局
结构。除了降低导通电阻
显著相比上一代，特别
注意已采取保证了很好的
dv / dt能力和故障毛利率较高
电压为要求最苛刻的应用程序。
表1中。
设备简介
订购代码
STB3N62K3
STD3N62K3
STF3N62K3
STP3N62K3
STU3N62K3
2009年8月
记号
3N62K3
3N62K3
3N62K3
3N62K3
3N62K3
文档ID 14894第2版
包
DPAK
DPAK
TO-220FP
TO-220
IPAK
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
管
管
1/20
www.st.com
20
目录
STB3N62K3 ， STD3N62K3 ， STF3N62K3 ， STP3N62K3 ， STU3N62K3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
......................... 7
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2/20
文档ID 14894第2版
STB3N62K3 ， STD3N62K3 ， STF3N62K3 ， STP3N62K3 ， STU3N62K3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
TO-220
DPAK
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
V
ESD （G -S ）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
门源ESD
（ HBM -C = 100 pF的， R = 1.5千欧）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
--
-55到150
150
2.7
1.7
10.8
45
0.36
2500
9
2500
DPAK
IPAK
620
± 30
2.7
(1)
1.7
(1)
10.8
(1)
20
0.16
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
°C
1.限制由包
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
2.7 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB
R
THJ - AMB
T
l
热数据
参数
热阻结案件
最大
热阻结到PCB
最大
热阻结大使
最大
铅的最大温度
焊接用途
--
62.5
TO- 220 DPAK DPAK IPAK TO- 220FP
2.78
50
100
300
--
6.25
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
文档ID 14894第2版
3/20
电气额定值
表4 。
符号
I
AR
E
AS
STB3N62K3 ， STD3N62K3 ， STF3N62K3 ， STP3N62K3 ， STU3N62K3
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
2.7
100
单位
A
mJ
4/20
文档ID 14894第2版
STB3N62K3 ， STD3N62K3 ， STF3N62K3 ， STP3N62K3 ， STU3N62K3
电气特性
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
620
1
50
± 10
3
3.75
2.2
4.5
2.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.4 A
表6 。
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ （ 1 ）
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 1.4 A
分钟。
-
典型值。
2.1
385
55
6
32.3
10
13
2.5
7.5
马克斯。
-
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
-
-
V
GS
= 0, V
DS
= 0 496 V
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 496 V，I
D
= 2.7 A,
V
GS
= 10 V
（见
图17）
-
-
-
-
-
-
1. C
OSS EQ
。被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
D
S
增加了从0到80 ％的V
DSS
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 310 V，I
D
=1.7 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图16）
分钟。
典型值。
9
6.8
22
15.6
最大
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
文档ID 14894第2版
5/20
STB3N62K3 ， STD3N62K3 ， STF3N62K3
STP3N62K3 ， STU3N62K3
N沟道620 V， 2.2
， 2.7 SuperMESH3 功率MOSFET
D
2
PAK ， DPAK ，TO- 220FP ， TO-220， IPAK
特点
TYPE
STB3N62K3
STD3N62K3
STF3N62K3
STP3N62K3
STU3N62K3
V
DSS
620 V
620 V
620 V
620 V
620 V
R
DS （ ON）
最大
＆ LT ; 2.5
＆ LT ; 2.5
＆ LT ; 2.5
＆ LT ; 2.5
＆ LT ; 2.5
I
D
2.7 A
2.7 A
2.7 A
(1)
2.7 A
2.7 A
Pw
1
3
2
1
3
45 W
45 W
20 W
45 W
45 W
IPAK
3
1
DPAK
DPAK
3
1
2
1
2
3
1.限制由包
■
■
■
■
■
100％的雪崩测试
DV dt能力极高/
非常低的固有电容
改进的二极管的反向恢复
特征
齐纳保护
TO-220
TO-220FP
图1 。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
获得新SuperMESH3 系列
通过进一步的微调的组合
ST的确立带钢为主的PowerMESH
与垂直的一个新的优化布局
结构。除了降低导通电阻
显著相比上一代，特别
注意已采取保证了很好的
dv / dt能力和故障毛利率较高
电压为要求最苛刻的应用程序。
表1中。
设备简介
订购代码
STB3N62K3
STD3N62K3
STF3N62K3
STP3N62K3
STU3N62K3
2008年7月
记号
6N62K3
6N62K3
6N62K3
6N62K3
6N62K3
REV 1
包
DPAK
DPAK
TO-220FP
TO-220
IPAK
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
管
管
1/19
www.st.com
19
目录
STB/D/F/P/U3N62K3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
......................... 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/19
STB/D/F/P/U3N62K3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
DPAK
DPAK
IPAK
620
± 30
2.7
1.7
10.8
45
0.36
2500
9
--
-55到150
150
2500
2.7
(1)
1.7
(1)
10.8
(1)
20
0.16
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
V
ESD （G -S ）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
门源ESD
（ HBM -C = 100 pF的， R = 1.5千欧）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
1.限制由包
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
2.7 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB
R
THJ - AMB
T
l
热数据
参数
热阻结案件
最大
热阻结到PCB
最大
热阻结大使
最大
铅的最大温度
焊接用途
--
62.5
TO- 220 DPAK DPAK IPAK TO- 220FP
2.78
50
100
300
--
6.25
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
2.7
100
单位
A
mJ
3/19
STB/D/F/P/U3N62K3
电气特性
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 2.7 A，V
GS
= 0
I
SD
= 2.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V （见
图21）
I
SD
= 2.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ，T
j
= 150 °C
（见
图21）
190
825
9
255
1100
10
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
2.7
10.8
1.6
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表9 。
符号
BV
GSO(1)
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ±1 MA（漏极开路）
民
30
典型值
最大单位
V
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
外部元件的使用情况
5/19
QQ：2880707522 复制
