128Kx8自动存储的nvSRAM采用实时时钟
特点
结合的nvSRAM采用集成的实时
时钟功能（ RTC ，看门狗定时器，时钟
接警后，电源监视器）
电容或电池备份RTC
25 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或软件
控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3 V + 20 ％ ， - 10 ％电源
商业和工业温度
48引脚300mil的SSOP封装（符合RoHS标准）
STK17TA8
描述
该SIMTEK STK17TA8结合1MB的非易失性
静态RAM （的nvSRAM ）与全功能的实时
时钟在一个可靠的，单片集成电路。
在为1Mbit的nvSRAM是一个快速静态RAM与非
包括挥发性量子阱存储元件
与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。数据会自动转移到
当功率损耗是非易失性存储单元
检测时（ STORE操作） 。上电时，数据
自动恢复到SRAM中（ RECALL的
操作）。无论STORE和RECALL操作
也是在软件控制下使用。
实时时钟功能提供了一个准确的
与闰年的跟踪和一个可编程的时钟，
高精度振荡器。报警功能是亲
可编程一次性报警或定期分钟，
数小时或数天的报警。还有一个可编程
BLE看门狗定时器的处理器控制。
框图
量子阱
1024 X 1024
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
召回
V
CC
V
帽
V
RTCbat
V
RTCcap
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
RTC
A
15
– A
0
X
1
X
2
INT
A
16
– A
0
G
E
W
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
MUX
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0025版本2.0
2008年1月
STK17TA8
套餐
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
INT
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCbat
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
X
1
X
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCcap
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
（ TOP）
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
有关详细的封装尺寸
规格，请参阅第26页。
48引脚SSOP
引脚说明
引脚名称
A
16
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
X
1
X
2
V
RTCcap
V
RTCbat
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
产量
输入
电源
电源
电源
I / O
I / O
描述
地址： 17地址输入选择的阵列的nvSRAM或131,072字节的时钟16字节一一
寄存器映射
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM和RTC
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据被写入到选定的地址位置
E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。德主张摹高
导致DQ引脚三态。
水晶连接，驱动晶体在启动时
水晶连接的32.768 kHz晶振
电容提供备份RTC电源电压（悬空，如果V
RTCbat
时）
电池供电备份RTC电源电压（悬空，如果V
RTCcap
时）
电源： 3.0V ， + 20 ％ ， -10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉低外部的
芯片，它将启动一个非易失性存储操作。弱上拉电阻保持这个引脚为高电平，如果没有连接。
（连接可选） 。
中断控制：可以通过编程来对时钟闹钟，看门狗定时器和电源监控器响应。
可编程为高电平（推/拉）或低电平有效（漏极开路）
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM功耗存储的数据从SRAM到非易失性stor-期间
年龄因素。
地
未标记引脚没有内部连接。
INT
V
帽
V
SS
（空）
产量
电源
电源
无连接
文件控制＃ ML0025版本2.0
2008年1月
2
SSOP
STK17TA8
绝对最大额定值
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ℃ 140℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
RF （ SSOP - 48 ）封装热特性
θ
jc
6.2 C / W ;
θ
ja
51.1 [ 0fpm ] ， 44.7 [ 200fpm ] ， 41.8 ℃/ W [ 500fpm 。
DC特性
广告
符号
I
CC1
参数
民
平均V
CC
当前
65
50
70
55
mA
mA
最大
民
最大
产业
单位
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
=为45nS
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安（除HSB ）
I
OUT
= 4毫安
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
3
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3V ， 25 ° C，典型
10
10
mA
3
mA
I
CC3
I
CC4
平均V
帽
目前在
自动存储
周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
mA
I
SB
3
3
mA
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.5
0.8
2.0
V
SS
–0.5
2.4
0.4
70
3.6
57
–40
2.7
17
200
20
±1
±1
V
CC
+ 0.5
0.8
μA
μA
V
V
V
0.4
85
3.6
57
V
°C
V
μF
K
岁月
3.0V +20%, -10%
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
@ 55摄氏度
注： HSB引脚有我
OUT
= -10微安的V
OH
2.4 V时，此参数的特点，但未经测试。
注： INT引脚为开漏，不供应或吸收大电流时中断寄存器的位D3低。
文件控制＃ ML0025版本2.0
2008年1月
3
STK17TA8
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1和图2
电容
b
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
7
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注B：这些参数是保证，但不tested.9,9 /
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1
:
AC输出负载
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图2
:
对于三态功能AC输出负载（T
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
文件控制＃ ML0025版本2.0
2008年1月
4
128Kx8自动存储的nvSRAM采用实时时钟
特点
结合的nvSRAM采用集成的实时
时钟功能（ RTC ，看门狗定时器，时钟
接警后，电源监视器）
电容或电池备份RTC
25 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或软件
控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3 V + 20 ％ ， - 10 ％电源
商业和工业温度
体积小SSOP封装（ RoHS-
兼容）
STK17TA8
描述
该SIMTEK STK17TA8结合1MB的非易失性
静态RAM （的nvSRAM ）与全功能的实时
时钟在一个可靠的，单片集成电路。
在为1Mbit的nvSRAM是一个快速静态RAM与非
包括挥发性量子阱存储元件
与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。数据会自动转移到
当功率损耗是非易失性存储单元
检测时（ STORE操作） 。上电时，数据
自动恢复到SRAM中（ RECALL的
操作）。无论STORE和RECALL操作
也是在软件控制下使用。
实时时钟功能提供了一个准确的
与闰年的跟踪和一个可编程的时钟，
高精度振荡器。报警功能是亲
可编程一次性报警或定期分钟，
数小时或数天的报警。还有一个可编程
BLE看门狗定时器的处理器控制。
框图
量子阱
1024 X 1024
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
召回
V
CC
V
帽
V
RTCbat
V
RTCcap
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
RTC
A
15
– A
0
X
1
X
2
INT
A
16
– A
0
G
E
W
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
MUX
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0025版本1.5
2007年3月
STK17TA8
套餐
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
INT
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
48引脚SSOP
有关详细的封装尺寸
规格，请参阅第25页。
V
SS
V
RTCbat
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
X
1
X
2
V
SS
V
RTCcap
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
48-引脚SSOP
引脚说明
引脚名称
A
16
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
X
1
X
2
V
RTCcap
V
RTCbat
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
产量
输入
电源
电源
电源
I / O
I / O
描述
地址： 17地址输入选择的阵列的nvSRAM或131,072字节的时钟16字节一一
寄存器映射
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM和RTC
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据被写入到选定的地址位置
E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。德主张摹高
导致DQ引脚三态。
水晶连接，驱动晶体在启动时
水晶连接的32.768 kHz晶振
电容提供备份RTC电源电压（悬空，如果V
RTCbat
时）
电池供电备份RTC电源电压（悬空，如果V
RTCcap
时）
电源： 3.0V ， + 20 ％ ， -10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉低外部的
芯片，它将启动一个非易失性存储操作。弱上拉电阻保持这个引脚为高电平，如果没有连接。
（连接可选） 。
中断控制：可以通过编程来对时钟闹钟，看门狗定时器和电源监控器响应。
可编程为高电平（推/拉）或低电平有效（漏极开路）
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM功耗存储的数据从SRAM到非易失性stor-期间
年龄因素。
地
未标记引脚没有内部连接。
INT
V
帽
V
SS
（空）
产量
电源
电源
无连接
文件控制＃ ML0025版本1.5
2007年3月
2
STK17TA8
绝对最大额定值
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ℃ 140℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
在http://www.simtek.com封装热特性，请参见网站
DC特性
广告
符号
I
CC1
参数
民
平均V
CC
当前
65
50
70
55
mA
mA
最大
民
最大
产业
单位
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
=为45nS
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安
I
OUT
= 4毫安
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
3
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3V ， 25 ° C，典型
10
10
mA
3
mA
I
CC3
I
CC4
平均V
帽
目前在
自动存储
周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
3
3
mA
I
SB
mA
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
2.0
V
SS
–0.5
2.4
0.4
70
3.6
57
–40
2.7
17
200
20
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
μA
μA
V
V
V
0.4
85
3.6
57
V
°C
V
μF
K
岁月
3.3V + 0.3V
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
@ 55摄氏度
注： HSB引脚有我
OUT
= -10微安的V
OH
2.4 V时，此参数的特点，但未经测试。
注： INT引脚为开漏，不供应或吸收大电流时中断寄存器的位D3低。
文件控制＃ ML0025版本1.5
2007年3月
3
STK17TA8
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1和图2
电容
b
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
7
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注B：这些参数是保证，但不tested.9,9 /
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1
:
AC输出负载
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图2
:
对于三态功能AC输出负载（T
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
文件控制＃ ML0025版本1.5
2007年3月
4
STK17TA8
128K ×8自动存储的nvSRAM
带实时时钟
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
描述
赛普拉斯STK17TA8结合了1兆非易失性静态RAM
（的nvSRAM ）与一个全功能的实时时钟在一个可靠的，
单片集成电路。
1兆的nvSRAM是一个快速静态RAM与非易失性
量子阱的存储元件包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问时间和周期时间，使用方便
和无限的读写正常SRAM的耐力。数据
自动转移到非易失性存储单元时
检测到的功率损耗（实体店经营） 。上电时，
数据会自动恢复到SRAM中（ RECALL的
操作）。无论STORE和RECALL操作也
在软件控制下使用。
实时时钟功能提供了跨越准确的时钟
一年的跟踪和一个可编程的，高精度的振荡器。该
报警功能是可编程的一次性报警或定期
分钟，小时或天的报警。还有一个可编程
看门狗定时器的处理器控制。
结合的nvSRAM集成了实时时钟功能
（ RTC ，看门狗定时器，时钟闹钟，电源监视器）
电容或电池备份RTC
25日， 45纳秒读取访问和读/写周期时间
无限的读/写耐用性
上电时自动非易失商店
在硬件或软件控制的非易失性商店
自动恢复到SRAM上电
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3 V + 20 ％ ， - 10 ％电源
商用和工业温度
48引脚300mil的SSOP封装（符合RoHS标准）
逻辑框图
量子阱
1024 X 1024
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
召回
V
CC
V
帽
V
RTCbat
V
RTCcap
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
RTC
A
15
– A
0
X
1
X
2
INT
A
16
– A
0
G
E
W
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
MUX
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-52039修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年3月2日
[+ ]反馈
STK17TA8
引脚配置
图1.引脚图 - 48引脚SSOP
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
INT
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCbat
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
X
1
X
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
V
RTCcap
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
相对的PCB面积使用
[1]
（ TOP）
引脚说明
引脚名称
A
16
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
X
1
X
2
V
RTCcap
V
RTCbat
V
CC
HSB
IO类型
输入
I / O
输入
输入
输入
产量
输入
描述
地址：
17个地址输入中选择一个的数组的nvSRAM在131,072字节或16个字节1
在时钟寄存器映射
数据：
用于访问的nvSRAM和RTC双向8位数据总线
CHIP ENABLE ：
主动低辐射输入选择器
写使能：
有源低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址位置
在E的下降沿选
OUTPUT ENABLE ：
有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
水晶连接，驱动晶体在启动时
水晶连接的32.768 kHz晶振
电源
电容提供备份RTC电源电压（悬空，如果V
RTCbat
时）
电源
电池供电备份RTC电源电压（悬空，如果V
RTCcap
时）
电源
电源：
3.0V, +20%, -10%
I / O
五金店忙：
当这种低输出指示存储过程中。当拉低外部
到芯片，就会启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻保持这个引脚为高电平，如果
未连接。 （连接可选） 。
中断控制：
可以通过编程的时钟闹钟，看门狗定时器和响应
电源监视器。可编程为高电平（推/拉）或低电平有效（漏极开路）
INT
V
帽
V
SS
NC
产量
电源
自动存储电容：
提供电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性存储元件。
电源
地
无连接
未标记引脚没有内部连接。
记
1.详细的封装尺寸规格，请参阅
“包图”
在22页..
文件编号： 001-52039修订版**
第23页2
[+ ]反馈
STK17TA8
绝对最大额定值
在输入相对地电压................- 0.1V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
.........- 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB .....................- 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
偏压下...............................温度-55°C至125°C
结温................................... -55 ° C至140℃
存储温度.................................... -65℃ 150℃
功耗................................................ ............. 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） ..... 15毫安
RF （ SSOP - 48 ）封装热特性
θ
jc
6.2 C / W ;
θ
ja
51.1 [ 0fpm ] ， 44.7 [ 200fpm ] ， 41.8 ℃/ W [ 500fpm ]
注意：
应力大于“绝对在列
最大额定值“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个压力装置的唯一的评级，并且功能操作
在上述这些条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠度。
DC电气特性
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
符号
I
CC1
参数
平均V
CC
当前
广告
民
最大
65
50
产业
民
最大
70
55
mA
mA
t
AVAV
= 25纳秒
t
AVAV
- 45纳秒
依赖于输出负载和
周期率。得到的值
无输出负载。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于持续时间平均电流
商店
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车的CMOS
水平
依赖于输出负载和
周期率。得到的值
无输出负载。
所有的输入无关
对于持续时间平均电流
STORE周期（T
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
后待机电流水平
非易失性周期完成
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2 MA（ HSB除外）
I
OUT
= 4毫安
单位
笔记
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
3
3
mA
I
CC3
平均V
CC
目前在T
AVAV
=
200ns
3V ， 25 ° C，典型
10
10
mA
I
CC4
平均V
帽
目前在
<Emphasis>AutoStore 周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
mA
I
SB
3
3
mA
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.5
0.8
0.4
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.5
0.8
0.4
mA
mA
V
V
V
V
注： HSB引脚有我
OUT
= -10uA为V
OH
2.4V的，这个参数的特点，但未经测试。
注： INT是开漏，不供应或吸收大电流时中断寄存器的位D3如下。
文件编号： 001-52039修订版**
第23页3
[+ ]反馈
STK17TA8
DC电气特性
（续）
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
符号
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
参数
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
广告
民
0
2.7
17
200
20
最大
70
3.6
57
产业
民
– 40
2.7
17
200
20
最大
85
3.6
57
°C
V
μF
K
多年在55
°C
3.0V +20%, -10%
V之间
帽
引脚和V
SS
, 5V
额定。
单位
笔记
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... 0V到3V
输入上升和下降时间............................................ <5 NS
输入和输出时序参考电平1.5V ....................
输出负载..................................见
图2
和
科幻gure 3
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
[2]
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
最大
7
7
图2. AC输出负载
3.0V
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图3. AC输出负载为三态功能
(t
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
笔记
2.这些参数是保证，但未经测试。
文件编号： 001-52039修订版**
第23页4
[+ ]反馈
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