STP36NF06
STP36NF06FP
N沟道60V - 0.032
- 30A TO-220 / TO- 220FP
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP36NF06
STP36NF06FP
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS （ ON）
<0.040
<0.040
I
D
30 A
18 A
(*)
典型
DS
（上） = 0.032
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
TO-220FP
内部原理图
订购信息
销售类型
STP36NF06
STP36NF06FP
记号
STP36NF06
STP36NF06FP
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
绝对最大额定值
符号
参数
STP36NF06
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
STP36NF06FP
60
60
± 20
30
21
120
70
0.47
20
200
-55至175
18
(*)
12
72
25
0.17
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ * ）电流限制通过包装
(1) I
SD
≤36A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 18 A，V
DD
= 45V
2003年10月
1/9
STP36NF06 STP36NF06FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 18 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 30 V I
D
= 36 A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
10
40
23
6
9
31
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 18 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
=10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
27
9
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
65
155
4.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 30 A
V
DD
= 30 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP36NF06
STP36NF06FP
N沟道60V - 0.032
- 30A TO-220 / TO- 220FP
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP36NF06
STP36NF06FP
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS （ ON）
<0.040
<0.040
I
D
30 A
18 A
(*)
典型
DS
（上） = 0.032
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
TO-220FP
内部原理图
订购信息
销售类型
STP36NF06
STP36NF06FP
记号
STP36NF06
STP36NF06FP
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
绝对最大额定值
符号
参数
STP36NF06
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
STP36NF06FP
60
60
± 20
30
21
120
70
0.47
20
200
-55至175
18
(*)
12
72
25
0.17
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ * ）电流限制通过包装
(1) I
SD
≤36A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 18 A，V
DD
= 45V
2003年10月
1/9
STP36NF06 STP36NF06FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 18 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 30 V I
D
= 36 A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
10
40
23
6
9
31
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 18 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
=10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
27
9
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
65
155
4.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 30 A
V
DD
= 30 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP36NF06
STP36NF06FP
N沟道60V - 0.032
- 30A TO-220 / TO- 220FP
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP36NF06
STP36NF06FP
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS （ ON）
<0.040
<0.040
I
D
30 A
18 A
(*)
典型
DS
（上） = 0.032
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
TO-220FP
内部原理图
订购信息
销售类型
STP36NF06
STP36NF06FP
记号
STP36NF06
STP36NF06FP
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
绝对最大额定值
符号
参数
STP36NF06
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
STP36NF06FP
60
60
± 20
30
21
120
70
0.47
20
200
-55至175
18
(*)
12
72
25
0.17
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ * ）电流限制通过包装
(1) I
SD
≤36A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 18 A，V
DD
= 45V
2003年10月
1/9
STP36NF06 STP36NF06FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 18 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 30 V I
D
= 36 A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
10
40
23
6
9
31
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 18 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
=10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
27
9
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
65
155
4.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 30 A
V
DD
= 30 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP36NF06
STP36NF06FP
N沟道60V - 0.032
- 30A TO-220 / TO- 220FP
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP36NF06
STP36NF06FP
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS （ ON）
<0.040
<0.040
I
D
30 A
18 A
(*)
典型
DS
（上） = 0.032
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
TO-220FP
内部原理图
订购信息
销售类型
STP36NF06
STP36NF06FP
记号
STP36NF06
STP36NF06FP
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
绝对最大额定值
符号
参数
STP36NF06
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
STP36NF06FP
60
60
± 20
30
21
120
70
0.47
20
200
-55至175
18
(*)
12
72
25
0.17
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ * ）电流限制通过包装
(1) I
SD
≤36A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 18 A，V
DD
= 45V
2003年10月
1/9
STP36NF06 STP36NF06FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 18 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 30 V I
D
= 36 A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
10
40
23
6
9
31
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 18 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
=10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
27
9
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
65
155
4.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 30 A
V
DD
= 30 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP36NF06
STP36NF06FP
N沟道60V - 0.032
- 30A TO-220 / TO- 220FP
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP36NF06
STP36NF06FP
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS （ ON）
<0.040
<0.040
I
D
30 A
18 A
(*)
典型
DS
（上） = 0.032
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
TO-220FP
内部原理图
订购信息
销售类型
STP36NF06
STP36NF06FP
记号
STP36NF06
STP36NF06FP
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
绝对最大额定值
符号
参数
STP36NF06
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
STP36NF06FP
60
60
± 20
30
21
120
70
0.47
20
200
-55至175
18
(*)
12
72
25
0.17
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ * ）电流限制通过包装
(1) I
SD
≤36A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 18 A，V
DD
= 45V
2003年10月
1/9
STP36NF06 STP36NF06FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 18 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 30 V I
D
= 36 A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
10
40
23
6
9
31
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 18 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
=10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
27
9
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
65
155
4.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 30 A
V
DD
= 30 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP36NF06
STP36NF06FP
N沟道60V - 0.032
- 30A TO-220 / TO- 220FP
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP36NF06
STP36NF06FP
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS （ ON）
<0.040
<0.040
I
D
30 A
18 A
(*)
典型
DS
（上） = 0.032
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
TO-220FP
内部原理图
订购信息
销售类型
STP36NF06
STP36NF06FP
记号
STP36NF06
STP36NF06FP
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
绝对最大额定值
符号
参数
STP36NF06
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
STP36NF06FP
60
60
± 20
30
21
120
70
0.47
20
200
-55至175
18
(*)
12
72
25
0.17
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ * ）电流限制通过包装
(1) I
SD
≤36A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 18 A，V
DD
= 45V
2003年10月
1/9
STP36NF06 STP36NF06FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 18 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 30 V I
D
= 36 A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
10
40
23
6
9
31
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 18 A
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
GS
=10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
27
9
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
65
155
4.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 30 A
V
DD
= 30 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP36NF06
STP36NF06FP
N沟道60V - 0.032Ω - 30A - TO- 220 / TO- 220FP
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP36NF06
STP36NF06FP
V
DSS
60V
60V
R
DS （ ON）
<0.040
<0.040
I
D
30A
18A
(1)
3
1
2
1
3
2
1.电流限制通过包装
■
■
■
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用的表征
TO-220
TO-220FP
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP36NF06
STP36NF06FP
记号
P36NF06
P36NF06
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
2007年2月
REV 6
1/14
www.st.com
14
目录
STP36NF06 - STP36NF06FP
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
电气特性
STP36NF06 - STP36NF06FP
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
2
0.032
分钟。
60
1
10
±100
4
0.040
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25V ，我
D
= 15A
分钟。
典型值。
12
690
170
68
10
40
27
9
23
6
9
31
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 30V ，我
D
= 18A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图15）
V
DD
= 30V ，我
D
= 18A,
V
GS
= 10V
（见
图16）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/14
STP36NF06 - STP36NF06FP
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 30A ，V
GS
= 0
65
155
4.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 30A,
反向恢复时间
的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷
V
DD
= 30V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流
（见
图17）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/14
QQ：2880707522 复制
