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SSM6N37CTD

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

SSM6N37CTD

○

电源管理开关应用

1.5V驱动

低导通电阻

= 5.60

（最大值）（ @V

= 1.5 V)

= 4.05

（最大值）（ @V

= 1.8 V)

= 3.02

（最大值）（ @V

= 2.5 V)

= 2.20

（最大值）（ @V

= 4.5 V)

顶视图

0.15±0.03

0.05±0.03

1.0±0.05

单位：mm

0.2+±0.03 0.4±0.03

0.9±0.05

绝对最大额定值（Ta = 25 ℃）（ Q1 ， Q2公用）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏极功耗

通道温度

储存温度

脉冲

符号

DSS

GSS

（注1 ）

英镑

等级

250

500

140

150

单位

0.075±0.03

0.35

±0.02 ±0.02

0.7±0.03

°C

1.Source1

CST6D

2.Gate1

3.Drain2

JEDEC

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

JEITA

―

温度/电流/电压和在显著变化

东芝

2-1S1A

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

重量： 1.0毫克（典型值）。

工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：总的评价

安装在FR4板

(10 mm

10 mm

1.0mm时，铜垫： 100毫米

)

记号

端子状态（

顶视图

)

等效电路

（ TOP VIEW ）

极性标志

极性标记（在顶部）

*电极：在底

2009-08-11

0.38

+0.02

-0.03

0.6±0.02

4.Source2

5.Gate2

6.Drain1

―

SSM6N37CTD

电气特性

（大

25 ° C）（ Q1 ， Q2公用）

特征

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

GSS

测试条件

1毫安，V

0 V

1毫安，V

-10 V

20 V, V

0 V

= ±10

V, V

0 V

3 V，I

1毫安

3 V，I

百毫安

（注2 ）

民

0.35

0.14

10 V, V

0 V，F

1兆赫

10 V，I

百毫安

0 2.5 V ，R

-250毫安，V

0 V

（注2 ）

典型值。

0.28

1.65

2.16

2.66

3.07

5.5

4.1

-0.9

最大

±1

1.0

2.20

3.02

4.05

5.60

-1.2

单位

μA

百毫安，V

4.5 V （注2 ）

漏源导通电阻

DS （ ON）

50毫安，V

2.5 V

20毫安，V

1.8 V

10毫安，V

1.5 V

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

国际空间站

OSS

RSS

关闭

DSF

（注2 ）

漏源正向电压

注2 ：脉冲测试

开关时间测试电路

（ Q1 ， Q2常见）

（ a）测试电路

2.5 V

μs

OUT

10 V

D.U.

≤

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

（二）V

2.5 V

10%

90%

（三）V

OUT

90%

10%

关闭

DS （ ON）

注意事项

设V

是栅极和源极之间施加的电压，导致漏电流（I

）要低（ 1毫安为

SSM6N37CTD ）。然后，进行正常的开关操作，V

GS （ ON）

必须高于V更高

TH ，

和V

GS （ OFF ）

必须小于

钍。

这种关系可表示为：V

GS （ OFF ）

＆ LT ; V

GS （上）。

使用设备时考虑到这一点。

操作注意事项

当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境

防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

直接接触与设备应当抗静电材料。

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SSM6N37CTD

（ Q1 ， Q2常见）

– V

500

10 V

1000

– V

（MA ）

4.5 V

2.5 V

（MA ）

400

100

100 °C

300

漏电流

1.8 V

漏电流

200

1.5 V

25 °C

常见的来源

VDS

3 V

1.0

2.0

3.0

VGS = 1.2 V

100

常见的来源

25 °C

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.1

0.01

漏源电压

(V)

栅源电压

(V)

DS （ ON）

– V

=100mA

常见的来源

25°C

DS （ ON）

– I

漏源导通电阻

DS （ ON）

()

漏源导通电阻

DS （ ON）

()

1.5 V

1.8 V

2.5V

VGS = 4.5V

25 °C

100 °C

25 °C

100

200

300

400

500

栅源电压

(V)

漏电流

（MA ）

DS （ ON）

- TA

常见的来源

10米A / VGS

1.5 V

20米A / 1.8 V

50米A / 2.5 V

1.0

- TA

常见的来源

VDS

3 V

1毫安

漏源导通电阻

DS （ ON）

()

栅极阈值电压

(V)

0.5

100米/ 4.5 V

100

150

100

150

环境温度

(°C)

环境温度

(°C)

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SSM6N37CTD

（ Q1 ， Q2常见）

（女士）

1000

常见的来源

VDS

3 V

25°C

300

| – I

（MA ）

– V

1000

正向转移导纳

反向漏电流

100

25 °C

TA = 100℃

常见的来源

VGS

0 V

°C

0.1

–0.5

–1.0

–1.5

100

1000

漏电流

（MA ）

漏源电压

(V)

- V

100

1000

花花公子

吨 - 我

常见的来源

VDD

10 V

VGS

0至2.5 V

25 °C

50Ω

（纳秒）

（PF ）

100

电容

科斯

常见的来源

25°C

1兆赫

VGS

0 V

0.1

开关时间

西塞

吨

CRSS

100

1000

漏源电压

(V)

漏电流

（MA ）

– T

250

漏极功耗P

（ mW）的

安装在FR4板

(10mm

10mm

1mm时，铜垫： 100毫米）

200

150

100

-40

-20

100

120 140

160

*：总分

环境温度

(°C)

2009-08-11

SSM6N37CTD

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2009-08-11