STP30NM30N
N沟道300V - 0.078Ω - 30A - TO- 220
超低栅极电荷的MDmesh II 功率MOSFET
特点
TYPE
STP30NM30N
■
■
■
■
V
DSS
300V
R
DS （ ON）
<0.090
I
D
30A
WORLDWIDE最低的栅极电荷
高dv / dt雪崩能力
低输入电容
低栅极电阻
TO-220
1
2
3
描述
这300V功率MOSFET，一个新的先进
布局带来的MDmesh 的所有独特优势
技术中的电压。该装置
表现为全球范围内的任何最低的栅极电荷
导通电阻给出。它的使用，因此理想
初级侧开关的DC-DC转换器以及
作为用于开关模式电源允许较高
效率和系统小型化。
内部原理图
应用
■
开关应用
订货编号
产品型号
STP30NM30N
记号
P30NM30N
包
TO-220
包装
管
2007年4月
REV 1
1/12
www.st.com
12
目录
STP30NM30N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 5
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STP30NM30N
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
300
± 20
30
18.5
120
160
1.28
18
-65到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
dv / dt的
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
1. I
SD
< 30A ， di / dt的< 400A / μs的，V
DD
=80%V
（ BRDSS ）
表2中。
符号
热数据
参数
价值
0.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结到环境的最大
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50V)
最大值
15
900
单位
A
mJ
3/12
电气特性
STP30NM30N
2
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
分钟。
300
1
100
100
2
3
0.075
4
0.090
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125°C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 15A
分钟。
典型值。
9
2500
500
70
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 50V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
V
DD
= 240V ，我
D
= 30A,
V
GS
= 10V
（参见图13）
1.7
75
15
40
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
4/12
STP30NM30N
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 150V ，我
D
= 15A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图12）
分钟。
典型值。
25
25
65
25
最大单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30A ，V
GS
= 0
I
SD
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 200V TJ = 25℃
（参见图17）
350
5
30
测试条件
民
典型值。
最大单位
30
120
1.3
A
A
V
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
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