S T P / B 3055L2
S amHop微电子 ORP 。
2004年11月23日
NC hannel逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
20V
F ê乌尔（E S）
( m
W
)
I
D
18A
R
DS （ ON）
最大
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
40 @ V
的s
= 4.5V
60 @ V
的s
= 2.5V
- [R ugged可靠。
的TO-220和TO- 263 P ackage 。
D
D
G
D
S
G
S
铽性S E IE S
TO- 263 （ DD -P AK ）
S TP性S E IE S
TO-220
G
S
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
C
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
-P ulsed
@ TJ = 25℃
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
20
12
18
45
15
50
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
最大P奥尔耗散@ TC = 25℃
工作和S torage温度法兰
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到C的酶
热 esistance ，结到环境
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
1
S T P / B 3055L2
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
S ymbol
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
GS
= 12V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 5.2A
V
DS
= 5V, V
GS
= 4.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 5.0A
最小值典型值
C
最大单位
20
1
100
0.6
1
25
40
20
17
800
205
165
1.7
40
60
V
uA
nA
V
M-欧姆
M-欧姆
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
c
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
V
DS
=8V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 10V,
I
D
= 1A,
V
GE
= 4.5V,
R
L
= 10
欧姆
R
根
= 6
欧姆
V
DS
=10V,I
D
=6A,V
GS
=10V
V
DS
=10V,I
D
=6A,V
GS
=4.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 6A,
V
GS
=10V
2
21.5
8.5
39.5
20
14.7
11.6
2.2
3.6
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
S TP / B3055L2
电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
二极管的正向电压
符号
b
条件
V
GS
= 0V ，是= 15A
最小典型最大单位
1.1
1.3
V
C
漏源二极管的特性
V
SD
笔记
a.Surface安装在FR4板，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
20
V
GS
=10,9,8,7,6,5,4,3V
25
25 C
20
-55 C
16
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
12
15
TJ = 125℃
8
V
GS
=2V
4
0
10
5
0
0.0
0
1
2
3
4
5
6
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
3.6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
2.2
1500
1200
900
600
300
CRSS
0
0
2
4
6
8
10
图2.传输特性
V
GS
=4.5V
I
D
=6A
C，电容（pF ）
R
DS （ ON）
，导通电阻
归
12
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
0
西塞
科斯
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ （ C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3.电容
图4.导通电阻变化与
温度
3
S T P / B 3055L2
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
I
D
=250uA
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
24
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20
g
F小号
，T失败者电导（ S）
16
12
8
4
V
DS
=10V
0
0
5
10
15
20
25
是，S环境允许的漏电流（ A）
20
10
1
0.4
T
J
=25 C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
10
I
D
，排水光凭目前 （A ）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
60
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
8
6
4
2
0
0
V
DS
=10V
I
D
=6A
10
R
D
S
(O
L
N)
im
it
10
10
ms
s
0m
11
1s
DC
0.1
0.03
V
的s
=4.5V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
0.1
1
10
20
50
2
4
6
8
10 12 14 16
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
4
S T P / B 3055L2
4
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
V
DD
t
on
R
L
V
OUT
V
OUT
10%
t
关闭
t
r
90%
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
INVE TE
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
F igure 12 S魔力波形
2
R（T ） ，归一化ê ffective
牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
S英格尔P ULS ê
0.01
0.01
1.
2.
3.
4.
1
10
100
P
DM
t
1
t
2
R
θJ
C
（吨） = R （t）的R *
θJ
C
R
θJ
C
= S EE资料中HEET
T
M-
T
C
= P * R
θJ
C
(t)
值班 ycle ， D = T1 / T2
1000
10000
0.1
S单方波P ULS 持续时间（毫秒EC ）
F igure 13.归牛逼有源冰箱牛逼失败者ient阻抗 urve
5
QQ：2881677436 复制
