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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1179页 > SFRU9214
先进的功率MOSFET
特点
½
雪崩坚固的技术
½
坚固的门栅氧化层技术
½
较低的输入电容
½
改进的栅极电荷
½
扩展安全工作区
½
低漏电流： 10
A
（最大值） @ V
DS
= -250V
½
低
DS （ ON）
: 3.15
（典型值）。
SFR/U9214
BV
DSS
= -250 V
R
DS （ ON）
= 4.0
I
D
= -1.53 A
D- PAK
2
1
3
1
I- PAK
2
3
1.门2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25 C)
连续漏电流（T
C
=100 C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
A
=25 C) *
总功率耗散（T
C
=25 C)
线性降额因子
T
J
, T
英镑
T
L
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
o
o
2
O
1
O
1
O
3
O
o
o
价值
-250
-1.53
-0.97
1
O
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / C
o
-6.1
+ 30
_
110
-1.53
1.9
-4.8
2.5
19
0.15
- 55 + 150
o
C
300
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境*
结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
6.58
50
110
o
单位
C / W
*
当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装） 。
修订版B1
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SFR/U9214
符号
BV
DSS
ΔBV / ΔT
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
分钟。典型值。马克斯。单位
-250
--
-2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
-0.21
--
--
--
--
--
--
1.0
225
35
13
10
18
24
11
9
2.0
4.6
--
--
-4.0
-100
100
-10
-100
4.0
--
295
55
20
30
45
60
30
11
--
--
nC
ns
pF
A
S
V
o
P沟道
功率MOSFET
电气特性
(T
C
=25
o
C除非另有说明）
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=-250A
参见图7
V
DS
=-5V,I
D
=-250A
V
GS
=-30V
V
GS
=30V
V
DS
=-250V
V
DS
=-200V,T
C
=125 C
V
GS
=-10V,I
D
=-0.77A
V
DS
=-40V,I
D
=-0.77A
4
O
4
O
o
V / C I
D
=-250A
V
nA
V
GS
=0V,V
DS
= -25V ， F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=-125V,I
D
=-1.6A,
R
G
=24
见图13
4
5
OO
V
DS
=-200V,V
GS
=-10V,
I
D
=-1.6A
参见图6 &图12
4
5
OO
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
O
4
O
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
130
0.61
-1.53
-6.1
-4.0
--
--
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
= 25℃ ，我
S
=-1.53A,V
GS
=0V
T
J
= 25℃ ，我
F
=-1.6A
di
F
/dt=100A/s
4
O
o
o
注意事项;
1
O
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
o
2
O
L = 75mH ，我
AS
= -1.53A ，V
DD
= -50V ，R
G
=27
*
，起始物为
J
=25 C
o
_
3
_
_
O
I
SD
＆ LT ;
-1.6A ， di / dt的
＆ LT ;
250A / μs的，V
DD
＆ LT ;
BV
DSS
，起始物为
J
=25 C
_
脉冲测试：脉冲宽度= 250μs，其占空比
＆ LT ;
2%
4
O
5
O
基本上是独立工作温度
P沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
V
GS
-15 V
-10 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.0 V
-5.5 V
-5.0 V
下图： -4.5 V
上图：
SFR/U9214
如图2传输特性
[A]
[A]
-I
D
，漏电流
10
0
-I
D
，漏电流
10
0
150 C
10
-1
o
10
-1
25 C
- 55 C
o
o
@注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
-2
o
@注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= -40 V
3. 250
s脉冲测试
8
10
10
10
-1
-2
10
10
0
10
1
2
4
6
-V
DS
，漏源电压
[V]
-V
GS
，栅源电压
[V]
12
R
DS （ ON）
, [
]
漏源导通电阻
10
-I
DR
，反向漏电流
[A]
图3.导通电阻与漏电流
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
8
10
0
V
GS
= -10 V
6
150 C
10
-1
o
4
V
GS
= -20 V
@注：t
J
= 25 C
0
0
1
2
3
4
5
6
o
25 C
@注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. 250
s脉冲测试
o
2
10
-2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-I
D
，漏电流
[A]
-V
SD
，源极 - 漏极电压
[V]
图5.电容与漏源电压
40
0
C = C + C（ C = SOTD ）
ISS GS GD
ds
H·R ê
C =C +C
OSS DS GD
C =C
RSS GD
12
图6.栅极电荷与栅源电压
V
DS
= -50 V
10
V
DS
= -125 V
V
DS
= -200 V
8
30
0
C
国际空间站
20
0
C
OSS
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
-V
GS
，栅源电压
电容[ pF的]
[V]
6
10
0
C
RSS
4
2
@注：我
D
= -1.6 A
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
0
1
1
0
-V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷
[ NC ]
SFR/U9214
图7.击穿电压与温度的关系
-bv
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.2
2.5
P沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
@注意事项：
1. V
GS
= -10 V
2. I
D
= -0.8 A
0.9
@注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= -250
A
0.5
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
，结温
[ C]
o
T
J
，结温
[ C]
o
图9.最大。安全工作区
-I
D
，漏电流[ A]
Oeaini钛阂
prto HS RA
我L M T d设定B R
DS （ ON）
s IIE
1
1
0
01m
. s
1m
s
1
0
0
D
C
@Nts ：
oe
1 T = 2
o
C
.
C
5
2 T = 1 0
o
C
.
J
5
3 SNL PLE
。 IGE美国
1 m
0 s
图10.最大。漏电流与外壳温度
20
.
-I
D
，漏电流[ A]
15
.
10
.
1
-1
0
05
.
1
-2 0
0
1
0
1
1
0
1
2
0
00
.
2
5
5
0
7
5
10
0
o
15
2
10
5
-V
DS
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[C]
图11.热响应
热响应
10
1
D=0.5
@注意事项：
1. Z
θ
J·C
(t)=6.58
o
C / W最大。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
θ
J·C
(t)
P
.
DM
t
1.
t
2.
0.2
10
0
0.1
0.05
Z（ T）
0.02
0.01
10
- 1
10
- 5
单脉冲
θ
JC
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
P沟道
功率MOSFET
图12.栅极电荷测试电路波形&
SFR/U9214
“电流调节器”
50K
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
-10V
V
DS
V
GS
DUT
-3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样（我
G
)
电阻器
R
2
电流取样（我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
-10V
V
OUT
90%
t
on
t
关闭
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
t
D（上）
V
in
10%
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L
L
I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
-- V
DD
t
p
I
D
V
DD
时间
V
DS
(t)
R
G
DUT
-10V
t
p
C
V
DD
I
AS
BV
DSS
I
D
(t)
先进的功率MOSFET
特点
½
雪崩坚固的技术
½
坚固的门栅氧化层技术
½
较低的输入电容
½
改进的栅极电荷
½
扩展安全工作区
½
低漏电流： 10
A
（最大值） @ V
DS
= -250V
½
低
DS （ ON）
: 3.15
（典型值）。
SFR/U9214
BV
DSS
= -250 V
R
DS （ ON）
= 4.0
I
D
= -1.53 A
D- PAK
2
1
3
1
I- PAK
2
3
1.门2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25 C)
连续漏电流（T
C
=100 C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
A
=25 C) *
总功率耗散（T
C
=25 C)
线性降额因子
T
J
, T
英镑
T
L
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
o
o
2
O
1
O
1
O
3
O
o
o
价值
-250
-1.53
-0.97
1
O
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / C
o
-6.1
+ 30
_
110
-1.53
1.9
-4.8
2.5
19
0.15
- 55 + 150
o
C
300
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境*
结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
6.58
50
110
o
单位
C / W
*
当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装） 。
修订版B1
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SFR/U9214
符号
BV
DSS
ΔBV / ΔT
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
分钟。典型值。马克斯。单位
-250
--
-2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
-0.21
--
--
--
--
--
--
1.0
225
35
13
10
18
24
11
9
2.0
4.6
--
--
-4.0
-100
100
-10
-100
4.0
--
295
55
20
30
45
60
30
11
--
--
nC
ns
pF
A
S
V
o
P沟道
功率MOSFET
电气特性
(T
C
=25
o
C除非另有说明）
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=-250A
参见图7
V
DS
=-5V,I
D
=-250A
V
GS
=-30V
V
GS
=30V
V
DS
=-250V
V
DS
=-200V,T
C
=125 C
V
GS
=-10V,I
D
=-0.77A
V
DS
=-40V,I
D
=-0.77A
4
O
4
O
o
V / C I
D
=-250A
V
nA
V
GS
=0V,V
DS
= -25V ， F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=-125V,I
D
=-1.6A,
R
G
=24
见图13
4
5
OO
V
DS
=-200V,V
GS
=-10V,
I
D
=-1.6A
参见图6 &图12
4
5
OO
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
O
4
O
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
130
0.61
-1.53
-6.1
-4.0
--
--
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
= 25℃ ，我
S
=-1.53A,V
GS
=0V
T
J
= 25℃ ，我
F
=-1.6A
di
F
/dt=100A/s
4
O
o
o
注意事项;
1
O
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
o
2
O
L = 75mH ，我
AS
= -1.53A ，V
DD
= -50V ，R
G
=27
*
，起始物为
J
=25 C
o
_
3
_
_
O
I
SD
＆ LT ;
-1.6A ， di / dt的
＆ LT ;
250A / μs的，V
DD
＆ LT ;
BV
DSS
，起始物为
J
=25 C
_
脉冲测试：脉冲宽度= 250μs，其占空比
＆ LT ;
2%
4
O
5
O
基本上是独立工作温度
P沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
V
GS
-15 V
-10 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.0 V
-5.5 V
-5.0 V
下图： -4.5 V
上图：
SFR/U9214
如图2传输特性
[A]
[A]
-I
D
，漏电流
10
0
-I
D
，漏电流
10
0
150 C
10
-1
o
10
-1
25 C
- 55 C
o
o
@注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
-2
o
@注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= -40 V
3. 250
s脉冲测试
8
10
10
10
-1
-2
10
10
0
10
1
2
4
6
-V
DS
，漏源电压
[V]
-V
GS
，栅源电压
[V]
12
R
DS （ ON）
, [
]
漏源导通电阻
10
-I
DR
，反向漏电流
[A]
图3.导通电阻与漏电流
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
8
10
0
V
GS
= -10 V
6
150 C
10
-1
o
4
V
GS
= -20 V
@注：t
J
= 25 C
0
0
1
2
3
4
5
6
o
25 C
@注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. 250
s脉冲测试
o
2
10
-2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-I
D
，漏电流
[A]
-V
SD
，源极 - 漏极电压
[V]
图5.电容与漏源电压
40
0
C = C + C（ C = SOTD ）
ISS GS GD
ds
H·R ê
C =C +C
OSS DS GD
C =C
RSS GD
12
图6.栅极电荷与栅源电压
V
DS
= -50 V
10
V
DS
= -125 V
V
DS
= -200 V
8
30
0
C
国际空间站
20
0
C
OSS
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
-V
GS
，栅源电压
电容[ pF的]
[V]
6
10
0
C
RSS
4
2
@注：我
D
= -1.6 A
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
0
1
1
0
-V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷
[ NC ]
SFR/U9214
图7.击穿电压与温度的关系
-bv
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.2
2.5
P沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
@注意事项：
1. V
GS
= -10 V
2. I
D
= -0.8 A
0.9
@注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= -250
A
0.5
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
，结温
[ C]
o
T
J
，结温
[ C]
o
图9.最大。安全工作区
-I
D
，漏电流[ A]
Oeaini钛阂
prto HS RA
我L M T d设定B R
DS （ ON）
s IIE
1
1
0
01m
. s
1m
s
1
0
0
D
C
@Nts ：
oe
1 T = 2
o
C
.
C
5
2 T = 1 0
o
C
.
J
5
3 SNL PLE
。 IGE美国
1 m
0 s
图10.最大。漏电流与外壳温度
20
.
-I
D
，漏电流[ A]
15
.
10
.
1
-1
0
05
.
1
-2 0
0
1
0
1
1
0
1
2
0
00
.
2
5
5
0
7
5
10
0
o
15
2
10
5
-V
DS
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[C]
图11.热响应
热响应
10
1
D=0.5
@注意事项：
1. Z
θ
J·C
(t)=6.58
o
C / W最大。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
θ
J·C
(t)
P
.
DM
t
1.
t
2.
0.2
10
0
0.1
0.05
Z（ T）
0.02
0.01
10
- 1
10
- 5
单脉冲
θ
JC
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
P沟道
功率MOSFET
图12.栅极电荷测试电路波形&
SFR/U9214
“电流调节器”
50K
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
-10V
V
DS
V
GS
DUT
-3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样（我
G
)
电阻器
R
2
电流取样（我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
-10V
V
OUT
90%
t
on
t
关闭
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
t
D（上）
V
in
10%
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L
L
I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
-- V
DD
t
p
I
D
V
DD
时间
V
DS
(t)
R
G
DUT
-10V
t
p
C
V
DD
I
AS
BV
DSS
I
D
(t)
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