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STP3020L
N - CHANNEL 30V - 0.019Ω - 40A - TO- 220
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
ST P3020L
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
< 0.022
I
D
40 A
典型
DS （ ON）
= 0.019
低栅电荷100
o
C
面向应用
表征
3
1
2
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的跃迁
STOR显示了极高的堆积密度低
导通电阻，崎岖雪崩特征
并不太重要，因此调整步骤一重
可标记制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
s
DC -AC & DC - AC IN HIGH转换器
VRM的性能
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
SYMB OL
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
s TG
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额因子
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像Junct离子牛逼emperature
o
价值
30
30
±
20
40
28
160
80
0.53
-65 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1999年3月
1/8
STP3020L
热数据
R
THJ -case
Rthj -amb
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大的铅温度F或焊接用途
1.875
62.5
0.5
300
C / W
摄氏度/ W
o
C / W
o
C
o
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
Symbo升
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
开（ *）
Symbo升
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
I
D
= 20 A
I
D
= 20 A
40
分钟。
1
0.019
0.033
典型值。
马克斯。
2.5
0.022
0.038
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试刀豆ditions
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=20 A
V
GS
= 0
分钟。
5
典型值。
20
1270
350
115
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/8
STP3020L
电气特性
（续）
接通
Symbo升
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延时T IME
上升时间
总摹吃费
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 15 V
I
D
= 19 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（电阻性负载，参见图3）
V
DD
= 24 V I
D
= 38 A V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
28
220
21
9
11
29
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
（六中）D
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关断延时T IME
秋季牛逼IME
关闭电压上升牛逼IME
秋季牛逼IME
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 15 V
I
D
= 19 A
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7
（电阻性负载，参见图3）
V
DD
= 24 V
I
D
= 38 A
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7
（导入一件IVE负载，参见图5）
分钟。
典型值。
45
35
30
85
125
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 40 A
V
GS
= 0
45
60
2.5
I
SD
= 38 A
的di / dt = 100 A /
s
T
j
= 150
o
C
V
DD
= 15 V
（见测试电路，图5）
测试刀豆ditions
分钟。
典型值。
马克斯。
40
160
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
(
）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/8
STP3020L
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/8
STP3020L
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/8
STP3020L
N - CHANNEL 30V - 0.019Ω - 40A - TO- 220
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
ST P3020L
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
< 0.022
I
D
40 A
典型
DS （ ON）
= 0.019
低栅电荷100
o
C
面向应用
表征
3
1
2
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的跃迁
STOR显示了极高的堆积密度低
导通电阻，崎岖雪崩特征
并不太重要，因此调整步骤一重
可标记制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
s
DC -AC & DC - AC IN HIGH转换器
VRM的性能
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
SYMB OL
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
s TG
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额因子
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像Junct离子牛逼emperature
o
价值
30
30
±
20
40
28
160
80
0.53
-65 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1999年3月
1/8
STP3020L
热数据
R
THJ -case
Rthj -amb
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大的铅温度F或焊接用途
1.875
62.5
0.5
300
C / W
摄氏度/ W
o
C / W
o
C
o
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
Symbo升
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
开（ *）
Symbo升
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
I
D
= 20 A
I
D
= 20 A
40
分钟。
1
0.019
0.033
典型值。
马克斯。
2.5
0.022
0.038
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试刀豆ditions
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=20 A
V
GS
= 0
分钟。
5
典型值。
20
1270
350
115
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/8
STP3020L
电气特性
（续）
接通
Symbo升
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延时T IME
上升时间
总摹吃费
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 15 V
I
D
= 19 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（电阻性负载，参见图3）
V
DD
= 24 V I
D
= 38 A V
GS
= 5 V
分钟。
典型值。
28
220
21
9
11
29
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
（六中）D
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关断延时T IME
秋季牛逼IME
关闭电压上升牛逼IME
秋季牛逼IME
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 15 V
I
D
= 19 A
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7
（电阻性负载，参见图3）
V
DD
= 24 V
I
D
= 38 A
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7
（导入一件IVE负载，参见图5）
分钟。
典型值。
45
35
30
85
125
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 40 A
V
GS
= 0
45
60
2.5
I
SD
= 38 A
的di / dt = 100 A /
s
T
j
= 150
o
C
V
DD
= 15 V
（见测试电路，图5）
测试刀豆ditions
分钟。
典型值。
马克斯。
40
160
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
(
）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/8
STP3020L
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/8
STP3020L
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/8
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SB090P150-W-AG
SN54AS86AJ
SN74AUC1G74DCURE4
SG50N06D3S
SN74ALS2540
SDT7011
SBC817-40LT1G
SN65LBC180NE4
SN74AHCT1G32DBVR
S05K250
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STP3020
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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ST/正品
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27600
TO-220
原装进口正品房间现货热卖
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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ST
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23000
TO-220
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市华斯顿电子科技有限公司
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电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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ST
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联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
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ST/正品
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联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
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