SSTUB32866
1.8 V 25位1 ： 1或14位1 ： 2注册CON连接的可配置缓冲器
带奇偶校验的DDR2-800 RDIMM应用
版本04 - 2010年4月15日
产品数据表
1.概述
该SSTUB32866是1.8 V CON连接的可配置寄存器具体来说专为DDR2使用
内存模块需要一个奇偶校验功能。寄存器进行配置（使用
配置管脚C0和C1 ），以两种拓扑结构： 25位的1：1或14位1：2，而在后者
配置可以指定为寄存器A和寄存器B的DIMM 。
该SSTUB32866接受来自所述存储器控制器的奇偶校验位在它的奇偶校验位
（ PAR_IN ）输入，将其与DIMM上的独立的D输入端接收的数据
和指示是否发生了开路漏极QERR销上的奇偶错误
（低电平有效） 。该约定是偶校验，即，有效的奇偶性被定义为一个偶数
的那些跨DIMM的独立的数据输入端加上的奇偶性的输入数
位。
该SSTUB32866打包在一个96球， 6
×
16格， 0.8毫米焊球间距LFBGA封装
(13.5 mm
×
5.5 mm).
2.特点和好处科幻TS
CON连接可配置寄存器支持DDR2高达800 MT / s的注册DIMM应用
CON连接可配置为25位1 ： 1模式或14位1 ： 2模式
控制输出阻抗驱动器允许最佳的信号完整性和速度
达到或超过SSTUB32866 JEDEC标准的高速性能
支持多达运行450 MHz的时钟频率
经过优化的引脚为高密度的DDR2模块的设计
片选通过改变状态数据选通输出功耗降至最低
支持SSTL_18数据输入
DIMM上的独立数据输入校验检查
部分平价输出和输入允许两个SSTUB32866s正确校验级联
错误处理
差分时钟（ CK和CK ）输入
支持LVCMOS开关上的控制水平和复位输入
采用1.8 V单电源供电（ 1.7 V至2.0 V）
可在96球， 13.5毫米
×
5.5毫米， 0.8毫米焊球间距LFBGA封装
3.应用
400 MT / s到800 MT / s的DDR2寄存式DIMM渴望奇偶校验功能
恩智浦半导体
SSTUB32866
带奇偶校验的1.8 V DDR2-800配置寄存缓冲器
4.订购信息
表1中。
订购信息
焊接工艺
包
名字
SSTUB32866EC/G
SSTUB32866EC/S
描述
VERSION
类型编号
无铅（ SnAgCu焊料LFBGA96塑料低调精细间距球栅阵列封装; SOT536-1
球化合物）
96球;机身13.5
×
5.5
×
1.05 mm
无铅（ SnAgCu焊料LFBGA96塑料低调精细间距球栅阵列封装; SOT536-1
球化合物）
96球;机身13.5
×
5.5
×
1.05 mm
4.1订购选项
表2中。
订购选项
温度范围
T
AMB
= 0
°C
+70
°C
T
AMB
= 0
°C
+85
°C
类型编号
SSTUB32866EC/G
SSTUB32866EC/S
SSTUB32866_4
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2 30
恩智浦半导体
SSTUB32866
带奇偶校验的1.8 V DDR2-800配置寄存缓冲器
5.功能图
RESET
CK
CK
VREF
DCKE
SSTUB32866
1D
C1
R
QCKEA
QCKEB
(1)
DODT
1D
C1
R
QODTA
QODTB
(1)
DCS
1D
C1
R
QCSA
QCSB
(1)
企业社会责任
D2
0
1
1D
C1
R
Q2A
Q2B
(1)
TO 10其他渠道
（D3 ，D5，D6 ，D8至D14 ）
002aac010
1 CON组fi guration ： （ 1） 1禁用。
图1 。
SSTUB32866的功能框图; 1 ： 2注册与C0 = 0的配置
和C 1 = 1 （正逻辑）
SSTUB32866_4
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版本04 - 2010年4月15日
3 30
恩智浦半导体
SSTUB32866
带奇偶校验的1.8 V DDR2-800配置寄存缓冲器
RESET
CK
CK
LPS0
（内部节点）
D2, D3, D5, D6,
D8到D14
VREF
11
D
CLK
R
D2, D3, D5, D6,
D8到D14
11
CE
D2, D3, D5, D6,
11
D8到D14
11
11
Q2A ， Q3A ，
Q5A ， Q6A ，
Q8A到Q14A
Q2B ， Q3B ，
Q5B ， Q6B ，
Q8B到Q14B
奇偶
查
C1
0
D
CLK
R
Par_In
QERR
1
D
CLK
R
CE
D
CLK
R
1
PPO
0
C0
CLK
2-BIT
计数器
R
LPS1
（内部节点）
0
D
CLK
R
1
002aaa650
图2 。
奇偶校验逻辑图1 ： 2寄存器的配置（正逻辑） ; C0 = 0， C1 = 1
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4 30
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SSTUB32866
带奇偶校验的1.8 V DDR2-800配置寄存缓冲器
6.管脚信息
6.1钢钉
SSTUB32866EC/G
SSTUB32866EC/S
1 2 3 4 5 6
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
002aac011
球A1
索引区
透明的顶视图
图3 。
对于LFBGA96引脚配置
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
DCKE
D2
D3
DODT
D5
D6
Par_In
CK
CK
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
2
PPO
D15
D16
QERR
D17
D18
RESET
DCS
企业社会责任
D19
D20
D21
D22
D23
D24
D25
3
VREF
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
VREF
4
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
V
DD
5
QCKE
Q2
Q3
QODT
Q5
Q6
C1
QCS
北卡罗来纳州
Q8
Q9
Q10
Q11
Q12
Q13
Q14
6
DNU
Q15
Q16
DNU
Q17
Q18
C0
DNU
北卡罗来纳州
Q19
Q20
Q21
Q22
Q23
Q24
Q25
002aab108
图4 。
球映射， 1：1的寄存器（ C0 = 0 ，C1 = 0）
SSTUB32866_4
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SSTUB32866
1.8 V 25位1 ： 1或14位1 ： 2注册CON连接的可配置缓冲器
带奇偶校验的DDR2-800 RDIMM应用
牧师02 - 2006年10月9日
产品数据表
1.概述
该SSTUB32866是1.8 V CON连接的可配置寄存器具体来说专为DDR2使用
内存模块需要一个奇偶校验功能。据德音响定义按照
JEDEC标准的SSTUB32866注册的缓冲区。该寄存器是CON连接可配置
（使用CON组fi guration销C0和C1 ），以两种拓扑结构： 25位的1：1或14位1： 2，且在
后者CON组fi guration可以被指定为寄存器A或在DIMM寄存器B 。
该SSTUB32866接受来自所述存储器控制器的奇偶校验位在它的奇偶校验位
（ PAR_IN ）输入，将其与DIMM上的独立的D输入端接收的数据
和指示是否发生了开路漏极QERR销上的奇偶错误
（低电平有效） 。该公约是偶校验，也就是有效的奇偶校验德网络定义为偶数
的那些跨DIMM的独立的数据输入端加上的奇偶性的输入数
位。
该SSTUB32866打包在一个96球， 6
×
16格， 0.8毫米焊球间距LFBGA
包（ 13.5毫米
×
5.5 mm).
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
CON连接可配置寄存器支持DDR2高达800 MT / s的注册DIMM应用
CON连接可配置为25位1 ： 1模式或14位1 ： 2模式
控制输出阻抗驱动器允许最佳的信号完整性和速度
达到或超过SSTUB32866 JEDEC标准的高速性能
支持多达运行450 MHz的时钟频率
经过优化的引脚为高密度的DDR2模块的设计
片选通过改变状态数据选通输出功耗降至最低
支持SSTL_18数据输入
DIMM上的独立数据输入校验检查
部分平价输出和输入允许两个SSTUB32866s正确校验级联
错误处理
差分时钟（ CK和CK ）输入
支持LVCMOS开关上的控制水平和复位输入
采用1.8 V单电源供电（ 1.7 V至2.0 V）
可在96球， 13.5毫米
×
5.5毫米， 0.8毫米焊球间距LFBGA封装
3.应用
I
400 MT / s到800 MT / s的DDR2寄存式DIMM渴望奇偶校验功能
恩智浦半导体
SSTUB32866
1.8 V DDR2-800 CON连接可配置注册校验缓冲区
4.订购信息
表1中。
订购信息
焊接工艺
包
名字
SSTUB32866EC/G
SSTUB32866EC/S
描述
VERSION
类型编号
无铅（锡银铜焊料LFBGA96塑料低廓线连接NE-间距球栅阵列封装; SOT536-1
球化合物）
96球;机身13.5
×
5.5
×
1.05 mm
无铅（锡银铜焊料LFBGA96塑料低廓线连接NE-间距球栅阵列封装; SOT536-1
球化合物）
96球;机身13.5
×
5.5
×
1.05 mm
4.1订购选项
表2中。
订购选项
温度范围
T
AMB
= 0
°C
+70
°C
T
AMB
= 0
°C
+85
°C
类型编号
SSTUB32866EC/G
SSTUB32866EC/S
SSTUB32866_2
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恩智浦半导体
SSTUB32866
1.8 V DDR2-800 CON连接可配置注册校验缓冲区
5.功能图
RESET
CK
CK
VREF
DCKE
SSTUB32866
1D
C1
R
QCKEA
QCKEB
(1)
DODT
1D
C1
R
QODTA
QODTB
(1)
DCS
1D
C1
R
QCSA
QCSB
(1)
企业社会责任
D2
0
1
1D
C1
R
Q2A
Q2B
(1)
TO 10其他渠道
（D3 ，D5，D6 ，D8至D14 ）
002aac010
1 CON组fi guration ： （ 1） 1禁用。
图1. SSTUB32866的功能图; 1 ： 2寄存器A CON组fi guration与C0 = 0，
C 1 = 1 （正逻辑）
SSTUB32866_2
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恩智浦半导体
SSTUB32866
1.8 V DDR2-800 CON连接可配置注册校验缓冲区
RESET
CK
CK
LPS0
（内部节点）
D2, D3, D5, D6,
D8到D14
VREF
11
D
CLK
R
D2, D3, D5, D6,
D8到D14
11
CE
D2, D3, D5, D6,
11
D8到D14
11
11
Q2A ， Q3A ，
Q5A ， Q6A ，
Q8A到Q14A
Q2B ， Q3B ，
Q5B ， Q6B ，
Q8B到Q14B
奇偶
查
C1
0
D
CLK
R
Par_In
QERR
1
D
CLK
R
CE
D
CLK
R
1
PPO
0
C0
CLK
2-BIT
计数器
R
LPS1
（内部节点）
0
D
CLK
R
1
002aaa650
图2.奇偶校验逻辑图1 ： 2寄存器A CON组fi guration （正逻辑） ; C0 = 0， C1 = 1
SSTUB32866_2
NXP B.V. 2006年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2006年10月9日
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恩智浦半导体
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1.8 V DDR2-800 CON连接可配置注册校验缓冲区
6.管脚信息
6.1钢钉
SSTUB32866EC/G
SSTUB32866EC/S
1 2 3 4 5 6
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
002aac011
球A1
索引区
透明的顶视图
图3.引脚CON组fi guration的LFBGA96
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
DCKE
D2
D3
DODT
D5
D6
Par_In
CK
CK
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
2
PPO
D15
D16
QERR
D17
D18
RESET
DCS
企业社会责任
D19
D20
D21
D22
D23
D24
D25
3
VREF
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
VREF
4
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
GND
V
DD
V
DD
5
QCKE
Q2
Q3
QODT
Q5
Q6
C1
QCS
北卡罗来纳州
Q8
Q9
Q10
Q11
Q12
Q13
Q14
6
DNU
Q15
Q16
DNU
Q17
Q18
C0
DNU
北卡罗来纳州
Q19
Q20
Q21
Q22
Q23
Q24
Q25
002aab108
图4球映射，1:1寄存器（ C0 = 0 ，C1 = 0）
SSTUB32866_2
NXP B.V. 2006年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2006年10月9日
5 29
QQ：2881677436 复制
