STP20N10L
STP20N10LFI
N - 沟道增强型
低阈值功率MOS晶体管
TYPE
STP20N10L
STP20N10LFI
s
s
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
100 V
100 V
R
DS ( ON)
< 0.12
< 0.12
I
D
20 A
12 A
典型
DS ( ON)
= 0.09
雪崩坚固的技术
100%的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低栅电荷
高电流能力
175
o
C的工作温度
逻辑电平兼容的输入
面向应用
表征
3
1
2
1
2
3
TO-220
ISOWATT220
应用
s
大电流,高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
稳压器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电机控制,音频放大器
s
汽车环境(注射,
ABS ,气囊, LAMPDRIVERS ,等等)
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
STP20N10L
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
绝缘耐压( DC )
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
STP20N10LFI
100
100
±
15
20
14
80
105
0.7
-65 175
175
12
8
80
40
0.27
2000
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1996年11月
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