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STP5NA60
STP5NA60FI
N - 沟道增强型
快速功率MOS晶体管
TYPE
STP5NA60
STP5NA60FI
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
600 V
600 V
R
DS （ ON）
< 1.6
< 1.6
I
D
5.3 A
3.4 A
典型
DS （ ON）
= 1.35
±
30V栅极至源极电压额定值
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低的固有电容
GATE GHARGE MINIMIZED
化阈值电压蔓延
TO-220
3
1
2
1
2
3
描述
该系列功率MOSFET的代表
最先进的高电压技术。该
再加上一个新的优化的小区布局
专有的边缘终端同意给
设备低R
DS （ ON）
和栅极电荷，无与伦比
耐用性和出色的开关性能。
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
参数
ISOWATT220
内部原理图
价值
STP5NA60
STP5NA60FI
600
600
±
30
5.3
3.5
21
110
0.88
-65到150
150
3.4
2.3
21
45
0.36
2000
o
单位
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
的s
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1996年11月
1/10
STP5NA60/FI
热数据
TO-220
R
THJ - CAS é
R
thj- AMB
R
吨HC-罪
T
l
热阻结案件
最大
1.14
62.5
0.5
300
ISOWATT220
2.78
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
符号
I
A R
E
AS
E
AR
I
A R
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
D D
= 50 V)
重复性雪崩能量
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
雪崩电流，重复或不重复
(T
c
= 100
o
C，脉冲宽度为T的限制
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
o
最大值
5.3
140
6
3.5
单位
A
mJ
mJ
A
电气特性
(T
例
= 25℃ ，除非另有规定）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DS S
I
摹SS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
的s
= 0
分钟。
600
25
250
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值×0.8
门体漏
电流（V
S
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
符号
V
的s （次）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 2.6 A
5.3
分钟。
2.25
典型值。
3
1.35
马克斯。
3.75
1.6
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
S（上）最大
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
S（上）最大
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 2.6 A
V
的s
= 0
分钟。
2.7
典型值。
4.7
925
130
32
1210
175
45
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/10
STP5NA60/FI
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 300 V I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 480 V I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
（见测试电路，图5 ）
V
DD
= 480 V
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
28
75
215
马克斯。
40
100
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
45
8
19
60
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 480 V I
D
= 5 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
60
18
95
马克斯。
85
27
130
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
()
V
S.D。
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 5.3 A
V
GS
= 0
490
7.1
29
I
SD
= 5 A的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
T
j
= 150
o
C
（见测试电路，图5 ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5.3
21
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作领域对于TO- 220
安全工作区为ISOWATT220
3/10
STP5NA60/FI
热Impedeance对于TO- 220
对于ISOWATT220热阻抗
降额曲线TO- 220
降额曲线ISOWATT220
输出特性
传输特性
4/10
STP5NA60/FI
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
5/10
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