【S T M8457S amHop微电子 ORP 。Oct.16,2006双ê nhancement模】,IC型号STM8457,STM8457 PDF资料,STM8457经销商,ic,电子元器件-51电子网

S T M8457

S amHop微电子 ORP 。

Oct.16,2006

双ê nhancement模式域E ffect晶体管（ N和P沟道）

P ODUC牛逼S UMMAR

（ N-C hannel ）

DS S

40V

P ODUC牛逼S UMMAR

（P - C hannel ）

DS S

-40V

DS （ ON）（M

)

最大

-5A

DS （ ON）（M

)

最大

26 @ V

的s

= 10V

33 @ V

的s

= 4.5V

42 @ V

的s

= -10V

62 @ V

的s

= -4.5V

S 0 - 8

ABS OLUTE最大R ATINGS （T

= 25°C除非另有说明）

P ARAMETER

漏-S环境允许的电压

门-S环境允许的电压

漏光凭目前 -C ontinuous @助教

-P ulsed

S ymbol

25 C

70 C

, T

s TG

N-C hannel P-C hannel

5.1

1.7

1.44

-55到150

-40

-5

-4.2

-20

-1.7

单位

漏-S环境允许的二极管正向光凭目前

最大P奥尔耗散

工作结点和S torage

温度法兰

TA = 25℃

TA = 70℃

第r MAL HAR AC TE R是TIC S

热 esistance ，结到环境

62.5

C / W

S T M8457

N沟道电气特性（ TA

25 C除非另有说明）

参数

S ymbol

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

条件

= 0V时，我

= 250uA

= 32V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= V

, I

= 250uA

= 10V ，我

= 5A

= 4.5V ，我

=4A

= 5V, V

= 10V

= 5V ，我

= 5A

最小值典型值

最大单位

1.0

1.8

750

125

3.0

兆欧

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老 esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

EVERSE传输电容

为s

OS s

RSS

=20V, V

= 0V

F = 1.0MH

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

= 20V

= 1 A

= 10V

= 3.3欧姆

= 24V ，我

=5A,V

=10V

= 24V ，我

=5A,V

=4.5V

= 24V ，我

= 5 A

=4.5V

12.5

6.4

1.8

3.6

S T M8457

P沟道电气特性（ TA

25 C除非另有说明）

参数

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

为s

OS s

RSS

S ymbol

条件

= 0V时，我

= -250uA

= -32V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= V

, I

= -250uA

= -10V ，我

= -4A

= -4.5V ，我

= -3A

=-5V, V

= -10V

= -5V ，我

= - 4A

最小值典型值

最大单位

-40

-1

-1.0 -1.8

960

142

-3.0

兆欧

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老 esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

兆欧

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

EVERSE传输电容

=-20V, V

= 0V

F = 1.0MH

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

= -20V

= -1A

= -10V

= 3.3欧姆

=-24V,I

=-4A,V

=-10V

=-24V,I

=-4A,V

=-4.5V

= -24V ，我

= - 4A

=-4.5V

15.6

7.7

2.3

4.3

S T M8457

LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

条件

= 0V ，是= 1.7A

= 0V ，是= -1.7A

N沟道

P沟道

最小典型最大单位

0.78

-0.77

1.2

-1.2

漏源二极管的特性

笔记

a.Surface安装在FR 4局，T < = 10秒。

b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

N沟道

的s

=4V

的s

=8V

的s

=10V

，排水光凭目前（A ）

的s

=4.5V

T J = 125℃

-55 C

的s

=3V

25 C

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

4.8

0.5

1.5

2.5

，漏到-S环境允许的电压（V ）

的s

地下吃到-S环境允许的电压（V）

F igure 1输出C haracteris抽动

2.0

F igure 2.跨FER haracteris抽动

DS （ ON）

，在-R es是tance

归

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

的s

=4.5V

=4A

DS （ ON）

)

的s

=4.5V

的s

=10V

的s

=10V

=5A

100

125

150

T J （ C）

，排水光凭目前（A ）

T J ，J油膏牛逼emperature （ C）

F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前

和G吃了V oltage

F igure 4.在-R es是tance与变化

排水光凭目前与温度

S T M8457

B V

DS S

归一化

漏-S环境允许B reakdown V oltage

V th时，归一化

摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

-50 -25

100 125 150

的s

=250uA

1.20

=250uA

1.15

1.10

1.00

0.97

0.96

0.95

-50 -25

100 125 150

T J ，J油膏牛逼emperature （ C）

F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation

以T emperature

120

F igure 6. B reakdown V oltage V ariation

以T emperature

20.0

=5A

是，S环境允许的漏电流（ A）

100

10.0

5.0

25 C

125 C

75 C

DS （ ON）

)

125 C

75 C

25 C

1.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

的s

，G吃-S环境允许的电压（V ）

S.D。

，B ODY二极管F orward V oltage （ V）

F igure 7.在-R es是tance VS 。

摹吃-S环境允许的V oltage

F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage

V ariation带S环境允许光凭目前

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