S T M6922
S amHop微电子 ORP 。
1月22日， 2007年
双数控hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
40V
F ê乌尔（E S）
( m
）最大
I
D
7A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
（E S） P rotected 。
D
1
8
26 @ V
的s
= 10V
33 @ V
的s
= 4.5V
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
1
G
1
S
2
G
2
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
DM
I
S
P
D
TA = 70℃
T
J
, T
s TG
I
D
极限
40
20
7
5.9
28
1.7
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
工作结点和S torage
温度法兰
a
TA = 25℃
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
1
R
JA
62.5
C / W
S T M6922
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 1.7A
最小典型最大单位
0.78
1.2
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
30
V
的s
=10V
V
的s
=5V
24
15
12
V
的s
=4V
I
D
，排水光凭目前 （A ）
V
的s
=4.5V
18
I
D
，排水光凭目前 （A ）
T J = 125℃
9
-55 C
6
12
V
的s
=3.5V
6
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
3
0
0.0
25 C
2.5
3.0
0.9
1.8
2.7
3.6
4.5
5.4
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
F igure 2.跨FER haracteris抽动
60
1.75
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
归
50
1.60
1.45
1.30
1.15
1.00
0.85
V
的s
=4.5V
I
D
=5A
V
的s
=10V
I
D
=6A
R
DS （ ON）
(m
)
40
30
20
V
的s
=10V
10
1
V
的s
=4.5V
1
6
12
18
24
30
0
25
50
75
100
125
150
T J （ C）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前
和G吃了V oltage
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
3
S T M6922
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
=250uA
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
90
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
I
D
=6A
是，S环境允许的漏电流（ A）
75
10.0
5.0
25 C
125 C
R
DS （ ON）
(m
)
60
45
75 C
30
15
0
25 C
125 C
75 C
0
2
4
6
8
10
1.0
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
V
的s
，G吃-S环境允许的电压（V ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
4
S T M6922
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
1200
1000
10
8
6
4
2
0
V
DS
=20V
I
D
=6A
C，C apacitance （PF ）
800
600
400
200
0
0
RS s
5
10
15
C为S
5
OSS
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14 16
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
F igure 9 apacitance
F igure 10摹吃哈耶
250
Tr
50
30
10
R
DS
S魔力牛逼IME （ NS ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
100
60
10
TD （关闭）
(
)
ON
升IM
it
10
ms
TD （上）
Tf
10
1s
DC
0m
s
1
V·D
S = 20V ， ID = 1A
0.1
0.03
1
1
V G S = 10V
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10 40
6 10
60 100 300 600
R G ，G吃 ES是tance （
)
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 11.s魔力characteris抽动
F igure 12和最大S AFE
操作摄像区
9
热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
1.
2.
3.
4.
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
0.01
0.00001
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗曲线
5
QQ：2880707522 复制
