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N沟道增强型MOSFET
ST2302M
3.6A
描述
该ST2302M是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
采用高密度， DMOS沟槽技术生产。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。
这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话
和笔记本电脑的电源管理和其他面糊供电的电路，并且
需要在一个非常小的outine表面低线的功率损耗贴装封装。
引脚配置
SOT-23
特征
20V / 3.6A ，R
DS （ ON）
= 90米欧姆（典型值）。
@VGS = 4.5V
20V / 3.1A ，R
DS （ ON）
= 130米欧姆
@VGS = 2.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大
DC电流能力
SOT- 23封装设计
3.Drain
3
D
G
1
1.Gate
2.Source
S
2
最热
SOT-23
3
S02YA
1
Y：年份代码
2
答：处理代码
订购信息
产品型号
ST2302MSRG
包
SOT-23
最热
S02YA
※
过程代码： AZ ; AZ
※
ST2302MSRG
S： SOT -23 ; R：带卷轴; G：铅 - 免费
1
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www.stansontech.com
ST2302M 2007 V1
N沟道增强型MOSFET
ST2302M
3.6A
ABSOULTE最大额定值
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏CurrentTJ = 150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
Storgae温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
20
±
12
3.2
2.6
10
1.6
1.25
0.8
150
-55/150
100
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
2
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ST2302M 2007 V1
N沟道增强型MOSFET
ST2302M
3.6A
电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
最小值典型值
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
DS
= VGS ，我
D
=250uA
V
DS
=0V,V
GS
=
±
12V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=55
℃
V
DS
≧
5V,V
GS
=4.5V
V
DS
≧
5V,V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V,I
D
=3.6A
V
GS
=2.5V,I
D
=3.1A
V
DS
=5V,I
D
=3.6V
I
S
=1.6A,V
GS
=0V
20
0.5
1.2
±
100
1
10
6
4
0.09
0.13
V
V
nA
uA
A
Ω
S
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
10
0.85
1.2
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
I
D
3.6A
V
DS
=10V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DD
=10V
R
L
=5.5
Ω
I
D
=3.6A
V
根
=4.5V
R
G
=6
Ω
5.4
0.65
1.4
340
115
33
12
36
34
10
10
nC
pF
25
60
60
25
nS
t
D（关闭）
tf
3
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ST2302M 2007 V1
N沟道增强型MOSFET
ST2302M
3.6A
典型CHARACTERICTICS
(25
℃
除非另有说明）
4
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典型CHARACTERICTICS
(25
℃
除非另有说明）
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ST2302M 2007 V1
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SC2128A-L21D
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ST2302M
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