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STM4633
S A mHop微电子 ORP 。
版本1.0
P沟道增强型场效应晶体管
产品概述
V
DSS
-30V
特点
超级高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
坚固可靠。
Suface贴装封装。
ESD保护。
I
D
-7.0A
R
DS （ ON）
(m
）最大
33
@
VGS=-10V
52
@
VGS=-4.5V
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
S 0 - 8
1
D
D
绝对最大额定值（
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
T
A
=25°C
I
D
漏电流连续
a
T
A
=70°C
I
DM
E
AS
P
D
T
J,
T
英镑
-Pulsed
b
d
极限
-30
±20
-7
-5.6
-40
20
2.5
1.6
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
T
A
=25°C
T
A
=70°C
工作结存储
温度范围
热特性
R
JA
热阻，结到环境
a
50
° C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
Aug,13,2008
1
www.samhop.com.tw
STM4633
版本1.0
电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
=-24V , V
GS
=0V
-30
-1
±10
V
uA
uA
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-7A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5.6A
V
DS
= -15V ，我
D
=-7A
-1
-1.7
26
39
9.5
-3
33
52
V
兆欧
兆欧
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
c
V
DS
=-15V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
811
215
125
12.5
18
60
10.4
15
7.4
1.65
4.2
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
=-15V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
根
= 6欧姆
V
DS
=-15V,I
D
=-7A,V
GS
=-10V
V
DS
=-15V,I
D
=-7A,V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V,I
D
=-7A,
V
GS
=-10V
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
最大连续漏源二极管的正向电流
V
SD
二极管的正向电压
b
V
GS
=0V,I
S
=-1.7A
-0.77
-1.7
-1.3
A
V
笔记
_
a.Surface安装在FR4板，T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
d.Starting牛逼
J
=25
°
C,L=0.5mH,V
DD
= 20V （见Figure13 ）
Aug,13,2008
2
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STM4633
版本1.0
25
V
的s
=-4.5V
15
V
的s
=-4V
V G S = -10V
-I
D
，漏电流（ A）
15
V
的s
=-3.5V
-I
D
，漏电流（ A）
20
12
9
T J = 125℃
10
V
的s
=-3V
5
6
-55 C
25 C
3
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
60
50
V
的s
=-4.5V
40
30
20
10
1
V
的s
=-10V
图2.传输特性
1.5
1.4
V
的s
=-10V
I
D
=-7A
R
DS （ ON）
，导通电阻
归
R
DS （ ON）
(m
)
1.3
1.2
1.1
1.0
0
V
的s
=-4.5V
I
D
=-5.6A
1
5
10
15
20
25
0
25
50
75
100
125
150
T J （
°C )
-I
D
，漏电流（ A）
TJ ，结温（ ° C）
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
1.3
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
BVDSS ，归
漏源击穿电压
1.15
I
D
=-250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
100 125 150
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图5.门阈值变化
随温度
3
图6.击穿电压变化
随温度
Aug,13,2008
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STM4633
版本1.0
120
100
20.0
-is ，源极 - 漏极电流（ A）
I
D
=-7A
10.0
R
DS （ ON）
(m
)
80
60
125 C
40
25 C
20
0
75 C
5.0
25 C
125 C
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
75 C
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.导通电阻与
栅源电压
1200
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
10
-V
GS
，门源电压（ V）
1000
C，电容（pF ）
8
C为S
800
600
400
OS s
200
RS s
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
=-15V
I
D
=-7A
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图9.电容
图10.栅极电荷
1000
100
it
1m
-I
D
，漏电流（ A）
切换时间（纳秒）
100
TD （关闭）
10
R
D
O
S
(
L
N)
im
10
0u
s
10
10
0m
s
s
ms
Tr
TD （上）
1s
10
Tf
1
DC
1
1
VDS=-15V,ID=-1A
VGS=-10V
10
100
0.1
0.1
V
的s
=-10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
1
10
30
100
RG ，栅极电阻（
)
-V
DS
，漏源电压（V ）
图11.开关特性
图12.最大安全工作区
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4
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STM4633
版本1.0
15V
V
（ BR ）D S S小
tp
VDS
L
，D R IVE
RG
20V
.U .T
IA
S
tp
+
- VD
A
0.0 1
I
AS
非钳位感应测试电路
F igure 13A 。
非钳位感应波形
F igure 13B 。
1
归一化瞬时
热阻
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
0.01
0.01
单脉冲
1.
2.
3.
4.
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t )
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
图14.归瞬态热阻抗曲线
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