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新产品

SE10Pb通SE10PJ

威世通用半导体

表面贴装ESD能力整流器

ESMP

系列

特点

非常低调 - 1.0mm的典型高度

适合自动放置

氧化物平面芯片结

低正向压降

典型I

小于0.1微安

ESD能力

符合MSL 1级，每

260℃ LF最大峰值

AEC- Q101标准

1.0 A

100 V到600 V

5 μA

0.86 V

175 °C

DO- 220AA （ SMP）的

J-STD-020,

主要特征

F（ AV ）

RRM

在我

= 1.0 A

马克斯。

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

根据IEC 61249-2-21定义的无卤素

机械数据

案例：

DO- 220AA （ SMP）的

塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级

底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并

商业级

底座P / NHM3 - 无卤素，符合RoHS标准，并

汽车级

终端：

雾锡镀线索，每焊

J- STD- 002和JESD 22 - B102

M3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HM3后缀

符合JESD 201级2晶须测试

典型应用

通用，极性保护，以及轨到轨

保护消费者和汽车应用。

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

器件标识代码

最大重复峰值反向电压

平均正向电流

峰值正向浪涌电流为10ms单半

正弦波叠加在额定负荷

工作结存储温度范围

RRM

F（ AV ）

FSM

, T

英镑

符号

SE10PB

10B

100

SE10PD

10D

200

1.0

- 55 + 175

SE10PG

10G

400

SE10PJ

10J

600

°C

单位

文档编号： 89024

修订： 19 -APR- 11

您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：

www.vishay.com

DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com

本文如有更改，恕不另行通知。

本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述

www.vishay.com/doc?91000

新产品

SE10Pb通SE10PJ

威世通用半导体

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

最大瞬时

正向电压

最大反向电流

最大反向恢复时间

典型结电容

测试条件

= 1.0 A

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

符号

F (1)

典型值。

0.960

0.860

4.8

780

7.0

马克斯。

1.05

0.95

5.0

μA

单位

为V

R (2)

= 0.5 A，I

= 1.0 A,

= 0.25 A

4.0 V， 1 MHz的

笔记

(1)

脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比

(2)

脉冲测试：脉冲宽度

40毫秒

热特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

符号

θJA

(1)

典型热阻

θJL

(1)

θJC

(1)

SE10PB

SE10PD

132

SE10PG

SE10PJ

单位

° C / W

记

从结点到环境和结热阻铅安装在印刷电路板用5.0毫米× 5.0毫米铜垫的地方。

θJL

- 是

在阴极频带的终端进行测量。

θJC

的测量是在所述主体的顶部中心。

抗电静电放电下列标准

= 25 ° C除非另有说明）

标准

AEC-Q101-001

AEC-Q101-002

JESD22-A114

IEC 61000-4-2

(2)

测试类型

人体模型（联系方式）

机器型号（联系方式）

人体模型（联系方式）

机器型号（联系方式）

人体模型（联系方式）

人体模型（空气放电模式）

(1)

测试条件

C = 100 pF的， R = 1.5

C = 200 pF的， R = 0

C = 150 pF的， R = 1.5

C = 200 pF的， R = 0

C = 150 pF的， R = 150

符号

类

H3B

价值

> 8千伏

> 400千伏

> 8千伏

> 400千伏

> 8千伏

> 15千伏

笔记

抗扰度符合IEC 61000-4-2空气放电模式具有典型的表现> 30千伏

(2)

系统ESD标准

(1)

订购信息

（例）

首选的P / N

SE10PJ-M3/84A

SE10PJ-M3/85A

SE10PJHM3/84A

(1)

SE10PJHM3/85A

(1)

单位重量（g ）

0.024

首选包装代码

84A

85A

84A

85A

基地数量

3000

10 000

3000

10 000

配送方式

直径7"塑料带和卷轴

直径13"塑料带和卷轴

直径7"塑料带和卷轴

直径13"塑料带和卷轴

记

汽车级

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SE10Pb通SE10PJ

威世通用半导体

额定值和特性曲线

= 25

除非另有说明）

1.2

负载电阻或电感

100

瞬时反向电流（ μA ）

平均正向电流（ A）

1.0

= 175 °C

= 150 °C

0.8

0.6

0.4

测

在阴极频带终端

0.1

= 25 °C

0.2

100

125

150

175

0.01

100

铅温度（ ℃）

百分比额定峰值反向

电压

(%)

图。 1 - 最大正向电流降额曲线

1.2

D = 0.5

1.0

D = 0.8

图。 4 - 典型正向特性

100

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

SIG

= 50 MVP -P

D = 0.2

0.8

D = 0.1

0.6

D = 1.0

0.4

结电容（pF ）

1.2

平均功耗（ W）

D = 0.3

0.2

D =吨

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

100

平均正向电流（ A）

反向

电压

(V)

图。 2 - 正向功率损耗特性

图。 5 - 典型正向特性

正向电流（A ）

= 175 °C

= 150 °C

= 25 °C

0.1

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

正向

电压

(V)

图。 3 - 正向功率损耗特性

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SE10Pb通SE10PJ

威世通用半导体

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

DO- 220AA （ SMP）的

阴极带

0.012 （ 0.30 ） REF 。

0.086 (2.18)

0.074 (1.88)

0.053 (1.35)

0.041 (1.05)

0.036 (0.91)

0.024 (0.61)

0.142 (3.61)

0.126 (3.19)

0.158 (4.00)

0.146 (3.70)

0.103 (2.60)

0.087 (2.20)

0.032 (0.80)

0.016 (0.40)

0.105

(2.67)

0.013 (0.35)

0.004 (0.10)

0.045 (1.15)

0.033 (0.85)

0.012 (0.30) 0.018 (0.45)

0.000 (0.00) 0.006 (0.15)

0.100

(2.54)

0.025 0.030

(0.635) (0.762)

0.050

(1.27)

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日前，Vishay

放弃

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目的，非侵权及适销性。

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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明

关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的

产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数

数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有

工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证

技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，

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文档编号： 91000

修订： 11 -MAR- 11