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STL8N10LF3
N沟道100伏， 25毫欧（典型值） ， 7.8的STripFET III
在PowerFLAT 5×6封装的功率MOSFET
数据表 - 生产数据
特点
订货编号
STL8N10LF3
V
DS
100 V
R
DS （ ON）
最大
35 mΩ
I
D
7.8 A
(1)
1.值根据R级
THJ -PCB
■
■
■
逻辑电平V
GS （ TH）
175 ° C最高结温
100 ％额定雪崩
1
2
3
4
PowerFLAT 5x6至
应用
■
■
切换应用程序
汽车
图1 。
内部原理图
描述
这个设备是一个N沟道增强型
用功率MOSFET生产
意法半导体的STripFET III技术，
这是专门设计的，以减少导通
电阻和栅极电荷，以提供优越的
开关性能。
表1中。
设备简介
记号
8N10LF3
包
PowerFLAT 5x6至
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL8N10LF3
2013年1月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档编号023977版本1
1/13
www.st.com
13
目录
STL8N10LF3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
文档编号023977版本1
STL8N10LF3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1),(2)
I
D
I
D (4)
I
D (4)
I
DM(3),(4)
P
合计
P
TOT （4）
I
AV
E
的AS （5）
T
J
T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（连续）在T
PCB
= 25 °C
漏电流（连续）在T
PCB
=100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
PCB
= 25°C
不重复性雪崩电流
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
绝对最大额定值
参数
价值
100
±20
20
20
7.8
5.5
31.2
70
4.3
7.8
190
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
A
mJ
°C
1.按设计规定。不受生产测试。
2.电流通过接合的限制，用的R
thJC
= 2.1 ° C / W的芯片能够携带32一25 ℃。
3.脉冲宽度有限的安全工作区。
4.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
5.起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= 7.8 A，V
DD
= 25 V.
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
热阻
参数
热阻结案件
热阻结到PCB
价值
2.1
35
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
文档编号023977版本1
3/13
电气特性
STL8N10LF3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压（V
GS
= 0)
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源导通
阻力
测试条件
I
D
= 250 A
V
DS
= 100 V
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 4 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 4 A
1
25
40
分钟。
100
1
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
nA
V
mΩ
mΩ
3
35
50
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内在的栅极电阻
测试条件
分钟。
典型值。
970
115
11.5
20.5
4
5
3.65
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
Ω
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
V
DD
= 50 V，I
D
= 7.8 A
V
GS
=10 V
图13
F = 1 MHz的漏极开路
-
-
-
-
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50 V，I
D
= 7.8 A,
R
G
=4.7
Ω,
V
GS
=10 V
图12
分钟。
典型值。
8.7
9.6
50.6
5.2
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
4/13
文档编号023977版本1
STL8N10LF3
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 7.8 A，V
GS
=0
I
SD
= 7.8 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 48 V ， TJ = 150℃
测试条件
民
-
-
-
-
42.5
87
4.08
典型值。
最大
7.8
31.2
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档编号023977版本1
5/13
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